夏从新：男，汉族，1979年10月，河南永城人。副教授，硕士生导师。2004年6月毕业于河南师范大学物理与信息工程学院，获硕士学位，留校从事教学和科研工作。2007年7月晋升讲师，2010年11月破格晋升副教授。

　　教学工作：
　　主要承担《固体物理》（春季），《普通物理》（秋季）的本科生教学工作。

　　研究领域：
　　主要从事半导体光电子学及器件的理论研究和设计。迄今为止，已在J．Appl．Phys 和J．Opt．Soc．Am．B等SCI源期刊上发表论文40余篇。近期研究兴趣：
　　1）宽带隙半导体材料中光电性质的理论研究。
　　2）III族氮化物半导体基光电子器件的理论模拟和设计。
　　3）低维半导体结构的量子调控。
　　4）高效太阳能电池材料的理论模拟。

　　国家级项目：
　　主持国家自然科学基金项目“GaN基量子结构的非线性光学性质”[批准号：60906044，22万，2010．1—2012．12]。

　　近期代表性文章：
　　[1] Electric field effects on optical properties in zinc-blende InGaN/GaN quantum dot
　　Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
　　Journal of Luminscence，131（2011）623．
　　[2]Effects of laser field and electric field on impurity states in zinc-blende GaN/AlGaN quantum well
　　Congxin Xia，Yanping Zhu，Shuyi Wei
　　Physics Letters A 375（2011）2652
　　[3]Nonlinear Franz-Keldysh effect：two photon absorption in a semiconducting quantum well
　　Congxin Xia，H． N． Spector
　　Journal of the Optical Society of America B 27（2010）1571．
　　[4]Electron and impurity states in GaN/AlGaN coupled quantum dots：Effects of electric field and hydrostatic pressure
　　Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
　　Journal of Applied Physics 108（2010）054307．
　　[5]Shallow-donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN asymmetric coupled quantum dots：effect of electric field
　　Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
　　Journal of Applied Physics 107（2010）054305．
　　[6]Effects of applied electric field and hydrostatic pressure on donor impurity states in cylindrical GaN/AlN quantum dot
　　Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
　　Journal of Applied Physics 107（2010）014305
　　[7] Nonlinear Franz-Keldysh effect：two photon absorption in semiconducting quantum wires and quantum boxes
　　Congxin Xia，H． N．Spector
　　Journal of Applied Physics 106（2009）124302/1-6．
　　（selected for the Vo1．21，No．1 of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology）
　　[8] Franz-Keldy effect in the interband optical absorption of semiconducting nanostructures
　　Congxin Xia，H． N．Spector
　　Journal of Applied Physics 105（2009）084313．
　　[9] Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot
　　Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
　　Journal of Applied Physics 106（2009）094301．
　　[10]Electric field effect on the donor impurity states in zinc-blende symmetric InGaN/GaN coupled quantum dots
　　Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
　　Physics Letters A 374（2009）97．

　　联系方式：
　　邮件：xiacongxin@htu.cn
　　地址：河南师范大学物理与信息工程学院
　　邮编：453007

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