作者: 老苗 时间: 2011-1-16 20:34
标题: 微电子回忆版
在准备2011年考研的时候得到了许多朋友的帮助，谢谢朋友们!!!
当时找专业课题费了很大劲，为了给学弟学妹们省去麻烦，我把回忆版发上来供参考。希望有所帮助。祝各位好运。
概念：空穴，陷阱效应，非简并半导体，光电导增益，状态密度，表面复合速度，布里渊区，光生电动势，准费米能级，p-n结，
大题一：画出硅锗和砷化镓的能带结构并描述。
二：杂质在半导体中的作用
三：N型衬底的MOS结构表面电荷、能带随外电压变化图。
