来自:大庆分院
专利类型:发明专利
专利号:ZL201210185541.7
授权时间:2014.10.15
主要发明人:阚侃 崔宝玉 田媛 张广鑫 刘喆
专利介绍:一种氧化石墨改性P(AN-MMA)多孔聚合物电解质膜及其制备方法,它涉及一种聚合物电解质膜及其制备方法。本发明要解决现有的P(AN-MMA)基多孔聚合物电解质膜存在离子电导率低和机械强度小的问题。一种氧化石墨改性P(AN-MMA)多孔聚合物电解质膜由丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、氧化石墨、表面活性剂、引发剂、溶剂和增塑剂制备而成。方法:一、制备氧化石墨/ P(AN-MMA)复合物;二、制备氧化石墨改性/ P(AN-MMA)复合物多孔膜;三、浸渍得到氧化石墨改性P(AN-MMA)多孔聚合物电解质膜。本发明主要用于制备氧化石墨改性P(AN-MMA)多孔聚合物电解质膜。
