1．基本情况
刘彩池，女，1964年3月生，工学博士，教授，博士生导师。教育部新世纪优秀人才，河北省新世纪“三三三”三层次人才，河北省高校中青年骨干教师，河北省优秀博士后，天津市三八红旗手，河北工业大学信息功能材料研究所所长，从事半导体材料的教学与科研工作及材料物理与化学博士生、硕士生的培养工作。
2．研究领域
半导体晶体生长与缺陷工程、半导体光电子材料及应用、太阳电池材料及应用
3．社会兼职
中国有色金属学会半导体材料学术委员会委员
4．科研项目
在半导体材料晶体生长、半导体缺陷工程、光电子材料与应用、太阳电池材料与应用、材料质量与器件性能关系等方面先后主持国家自然科学基金5项，主研国家自然科学基金、国家科技部攀登计划、总装备部预研基金、教育部科学技术研究重点项目等10项，主持省部级科研项目8项，主研省部级科研项目12项。
5．获奖情况
获河北省科技进步二等奖2项，三等奖1项，河北省教育厅科技进步一等奖2项，三等奖1项，获专利4项。
6．主要学术成果
大直径硅单晶中原生微缺陷的演变机理及控制工艺，大直径砷化镓材料缺陷控制工艺及退火效应，氮化镓外延材料缺陷控制及注入效应，硅基太阳电池绒面织构、减反膜的设计与制备及杂质缺陷对太阳电池性能的影响。
7．主要论文
发表学术论文100余篇，其中收入三大索引60余篇，出版（合）译著1部，参编教材1部。
1.Effects of thermal annealing on the electrical properties of large diameter semi-insulating gallium arsenide，Journal of Alloys and Compounds, 475 (2009) 923–925
2．No mask epitaxial lateral overgrowth of gallium nitride on sapphire，Journal of Alloys and Compounds, 456 (2008) 368-371
3．Effect of annealing atmospheres on the void defects in largediameter CZSi single crystals,Materials Science in Semiconductor Processing,9（2006）117-120
4．Vanadium defects formation mechanism in undoped GaN grown on silicon, J. Rare Earths, 24(3)(2006)41-44
5．Microstructure of flow pattern defects in boron-doped Czochralski-grown silicon，Rare Metals，25（4）（2006）389-392
6． Investigation of flow pattern defects in as-grown and rapid thermal annealed CZSi wafers，J. Crystal Growth, 262(2004)1-6
7． Evolution of flow pattern defects in boron-doped <100> Czochralski silicon crystals during secco etching procedure，J. Crystal Growth, 269(2004)310
8． Investigation of oxygen precipitation and intrinsic gettering in heavily Sb-doped silicon, Microelectronic Engineering, 66(2003)340
9. Multivacancy clusters in neutron irradiated silicon, J. Appl. Phys.， 78(1995)6458
10. Fast neutron irradiation for Czochralski silicon，Appl. Phys. Lett., 65(22)(1994)2807-8
8．联系方式
电 话：（O），**
电子信箱：ccliu@hebut.edu.cn，liucaichi@eyou.com
通讯地址: 天津市红桥区丁字沽一号路河北工业大学材料学院
邮 编: 300130
办公地点: 北院中心实验楼二楼