陈贵锋

博士 讲师
通讯地址:
河北工业大学材料科学与工程学院
天津市丁字沽一号路8号 300130
E-mail地址: cgfchen@hebut.edu.cn
办公电话：
最终学历:
2008 河北工业大学大学半导体材料 博士
主要工作经历:
2004.10 – 至今 河北工业大学材料物理与化学国家重点学科
研究领域：单晶硅缺陷工程；功能薄膜及器件；纳米材料
社会兼职：
天津市真空学会薄膜专业委员会委员
主要科研项目：
在研项目：
1) 国家自然科学基金：电子辐照硅材料中亚稳态缺陷的形成与转化
2) 河北省自然科学基金：单晶硅材料的电子辐照效应
3) 河北省教育厅科研计划：电子辐照单晶硅亚稳态缺陷的研究
4) 横向项目：八英吋直拉硅单晶氧碳含量控制的研究
完成项目：
1) 河北省科学技术研究与发展指导计划：GaN氢化物气相外延设备的研制，第一完成人
2) 硅材料国家重点实验室开放课题：直拉硅中亚稳态缺陷的控制与利用，第一完成人
3) 河北省自然科学基金：氢化物气相外延（HVPE）无支撑氮化镓衬底的制备研究，第二完成人
4) 河北省自然科学基金：掺氮直拉硅的高能粒子辐照，第二完成人
5) 河北省自然科学基金：硅基外延氮化镓失配问题的研究，第四完成人
6) 教育部高等学校博士学科点专项科研基金：掺氮直拉硅的快中子辐照效应，第四完成人
7) 国家自然科学基金：直拉硅的快中子辐照效应，第六完成人
8) 天津市自然科学基金：厚膜GaN的HVPE法制备设备，第六完成人
发表论文
近年来一直从事半导体缺陷的研究，在Physica status solidi C、Chinese Physics B等期刊上发表学术论文二十余篇，其中SCI收录论文十余篇。
[1] Guifeng Chen, Yangxian Li, Caichi Liu, Neutron irradiation defects in Czochralski silicon, Phys. Status Solidi C 6, 2009
[2] Chen Guifen, Yan WenBo, Chen Hongjian, The effects of fast neutron irradiation on oxygen in Czochralski-silicon, Chinese Physics B, 2009
[3] Guifeng Chen, Wenbo Yan, Hongjian Chen, Infrared studies of oxygen-related complexes in electron-irradiated Cz-Si, Chinese Physics B, 2009
[4] Chen Guifeng, Li Yangxian, Liu Lili, Annealing behaviors of vacancy in varied neutron irradiated Czochralski silicon, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006
[5] Chen Guifeng, Li Yanxian, Li Xinghua, Influence of rapid thermal process on intrinsic gettering in fast neutron irradiated Czochralski silicon, Transactions of Nonferrous Metals Society of China, 2006
[6] Chen Gui-Feng, Tan Xiao-Dong, Wan Wei-Tian, The Growth and device Characteristics of Nano-folding InGaN/GaN MQWs LED, Chinese Physics, 2010
[7] Chen Guifeng, Li Yangxian, Yangshuai, The influence of the annealing behaviors on VO in varied neutron irradiated Czochralski silicon, Semiconductor technology(ISTC 2005), 2005, p289-293
[8] Chen Gui-feng, MA Xiao-wei, WU Jian-hai, Effect of rapid thermal annealing on oxygen precipitates behavior in Czochralski silicon irradiated by high energy particles, Journal of Zhejiang University(Engineering Science), 2010
[9] Chen Guifeng, Liu Lili, Li Yangxian, Study on the oxygen precipitation in fast neutron irradiated nitrogen-doped Czochralski silicon by FTIR, Spectroscopy and Spectral Analysis, 2006, 26(7): 41-42