研究生导师介绍
姓名： 万达 性 别: 男 院 系： 信息科学与工程学院
行政职务： 专业技术职称： 讲师
毕业院校： 武汉大学 毕业专业： 070205 凝聚态物理 毕业时间： 2018-06-30
最后学历： 博士研究生 最后学位：
办公电话： E-mail： wanda@wust.edu.cn
◇ 学科信息：
招生学科导师类别是否招生招生年度
电子信息 专业型硕导 是 2021
信息与通信工程 学术型硕导 是 2021

◇ 个人简介（主要研究方向、个人成果等总体介绍）
主要从事新型二维半导体材料和金属氧化物半导体相关的高性能纳电子器件的制备及性能优化。以第一作者及通讯作者在IEEE Electron Device Letters，IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Letters 等国际期刊发表多篇论文；作为合作作者在Angewandte Chemie, Advanced Functional Materials, Small, ACS Applied Materials & Interfaces等国际期刊发表论文20余篇；主持国家自然科学基金青年基金项目1项，参与国家自然科学基金面上项目2项。

◇ ：在国内外核心期刊上发表学术论文情况
论文题目 刊物名称 刊物国家 收录情况 卷期 排名
Design of Highly Stable Tungsten-Doped IZO Thin-Film Transistors with Enhanced Performance IEEE Transactions on Electron Devices 国外 SCI 2018, 65(3): 1018-1022 1
Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors IEEE Electron Device Letters 国外 SCI 2017, 38(11): 1540-1542 1
Low-Frequency Noise in High Performance and Stability of Li-doped ZnO Thin-Film Transistors Journal of Physics D: Applied Physics 国外 SCI 2020, 53(41): 415110 通讯
Recent Advances on Long-Term Stable Black Phosphorus Transistors Nanoscale 国外 SCI 2020, 12(39): 20089-20099 1
The Study for Solution-Processed Alkali Metal-Doped Indium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors IEEE Electron Device Letters 国外 SCI 2016, 37(1): 50-52 1
The Photovoltaic and Photoconductive Photodetector based on GeSe/2D Semiconductor van der Waals Heterostructure Applied Physics Letters 国外 SCI 2020, 116(4): 141101 通讯
High Voltage Gain WSe2 Complementary Compact Inverter with Buried Gate for Local Doping IEEE Electron Device Letter 国外 SCI 2020, 41(6): 944-947 1

◇ ：完成及承担科研项目
项目名称及下达编号 项目类别 项目来源 起讫时间 科研经费(万元) 本人承担任务
高性能柔性a-InGaZnO/SWCNT复合薄膜垂直薄膜晶体管的研制(**) 国家自然科学基金项目 2020.01-2022.12 23.00 主持
氧化锌基薄膜晶体管的轻元素离子注入：性能调控及物性研究(**) 国家自然科学基金项目 2016.01-2019.12 73.00 参与
高性能二维过渡族金属硫化物(MoS2、WS2)顶栅晶体管研制及相关问题研究(**) 国家自然科学基金项目 2016.01-2019.12 65.00 参与

◇ ：成果获奖情况
成果名称 颁奖部门 奖项 等级 完成日期 证书号 排名



◇ ：出版专著教材情况(注：在书名后注明教材或专著)
名称 类别 出版单位 日期 排名