一、个人基本情况姓名：余念念
性别：女
学位：博士
职称：副教授
所在系：物理系
电子邮件：niannianyu@whut.edu.cn
联系电话：**
二、教育背景与工作经历
2017.09~至今武汉理工大学副教授
2015.03~2017.08武汉理工大学讲师
2010.09~2014.12华中科技大学（武汉光电国家研究中心）微电子学与固体电子学博士
导师：缪向水教授
2006.09~2010.06华中科技大学电子科学与技术系本科
三、研究方向
低维新型非易失性存储材料及器件，包括：相变存储材料（PCM）纳米薄膜微观原子结构特性及其对器件宏观性能的影响；纳米相变存储单元的制备及相变性能；低维纳米相变材料电输运特性。
二维纳米材料，包括：制备方法研究，二维纳米材料自旋轨道耦合效应，二维范德华异质结的设计及其光电特性调控，二维纳米材料应用于新型存储技术（相变存储、磁存储、忆阻器等）。
四、教学研究
理学院物理系本科物理基地班课程：《原子物理学》、《半导体物理学》。
五、科学研究
承担项目：
国家自然科学基金青年基金项目“低维Bi-Te基纳米材料的制备及其电输运的尺寸效应研究”，2016.01-2018.12，主持。
国家自然科学基金青年基金项目“纳米尺度相变记录材料的制备及其相变机理研究”，2014.01-2016.12，参与。
十三五国家科技重大专项子课题“3D X-Point存储器关键技术研究”，2017.01-2019.12，参与。
华为公司创新研究计划项目“相变存储器多值存储技术研究”，2013.01-2014.12，参与。
代表性论文：
[1]Yu N N,Yuan J H, Li K X, andWang J F*. Tunable Rashba spin splitting in two-dimensional graphene/As-I heterostructures[J]. Applied Surface Science, 2018, 427: 10-14.
[2]Yuan J H,Yu N N, Wang J F,Xue K H*, andMiao X S.Design lateral heterostructure of monolayer ZrS2 and HfS2 from first principles calculations[J]. Applied Surface Science, 2018, 436: 919-926.
[3]Yuan J H, Xie Q X,Yu N N*, and Wang J F*. Surface regulated arsenenes as Dirac materials: From density functional calculations[J]. Applied Surface Science, 2017, 394: 625-629.
[4] Yuan J H,Yu N N, Xue K H*, and Miao X S. Ideal strength and elastic instability in single-layer 8-Pmmn borophene[J]. RSC Advances, 2017, 7(14): 8654-8660.
[5] Ma P, Tong H, Huang T, Xu M,Yu N N, Cheng X M, Sun C J, and Miao X S*. Variations of Local Motifs around Ge Atoms in Amorphous GeTe Ultrathin Films[J]. The Journal of Physical Chemistry C, 2017, 121(2): 1122-1128.
[6] Xu L, Li Y,Yu N N, et al. Local order origin of thermal stability enhancement in amorphous Ag doping GeTe[J]. Applied Physics Letters, 2015, 106(3): 031904.
[7] Tong H,Yu N N, Yang Z, et al. Disorder-induced anomalously signed Hall effect in crystalline GeTe/Sb2Te3 superlattice-like materials[J]. Journal of Applied Physics, 2015, 118(7): 075704.
[8] Tong H, Yang Z,Yu N N, et al. Work function contrast and energy band modulation between amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films[J]. Applied Physics Letters, 2015, 107(8): 082101.
[9]Yu N N, Tong H, Miao X S*. Structure and phonon behavior of crystalline GeTe ultrathin film[J]. Applied Physics Letters, 2014, 105(12): 121902.
[10]Yu N N, Tong H, Zhou J, et al. Local order of Ge atoms in amorphous GeTe nanoscale ultrathin films[J]. Applied Physics Letters, 2013, 103(6): 061910.