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周圣军

教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
出生日期：1983-08-08
所在单位：动力与机械学院
入职时间： 2014-03-01
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个人简介 教育背景
美国密歇根大学（University of Michigan, Ann Arbor） 2014.07-2015.07
● 电子工程与计算机系（EECS），Research Fellow
上海交通大学 (985, 211) 2011.12 –2014.03
● 机械工程博士后流动站点 博士后
上海交通大学 2008.9 -2011.12
● 专业：微电子学与固体电子学 博士
武汉理工大学 2005.09 -2008.07
● 专业：机械电子工程 硕士
武汉理工大学 2001.09 -2005.07
● 专业：电子科学与技术 本科
工业界经历
广东量晶光电科技有限公司 (LED外延和芯片制造企业，10台MOCVD设备)
2011年12月-2014年5月
● 担任研发主管，负责广东量晶光电科技有限公司的大功率LED芯片及高压LED芯片的研发和产业化工作。2014年，我负责研发的大功率LED芯片的发光效率达到160 lm/W@350 mA。
佛山国星光电股份有限公司 (中国最大的LED封装上市企业之一)
2006年7月-2007年12月
● 担任项目主管，研制全自动SMD LED在线测试分选设备，负责研发的LED在线测试分选设备已经应用于多家LED封装企业的产品生产线。

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论文成果More>> [1]. Enhanced luminous efficiency of phosphor-converted LEDs by using back reflector to increase reflectivity for yellow light. APPLIED OPTICS. 53 (34). 2014.
[2]. Improved light output power of LEDs with embedded air voids structure and SiO2 current blocking layer. APPLIED SURFACE SCIENCE. 305. 2014.
[3]. Effect of V-pits embedded InGaN/GaN superlattices on optical and electrical properties of GaN-based green light-emitting diodes. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 214 (5). 2017.
[4]. GaN-based flip-chip LEDs with highly reflective ITO/DBR p-type and via hole-based n-type contacts for enhanced current spreading and light extraction. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY. 92. 2017.
[5]. Effect of profile and size of isolation trench on the optical and electrical performance of GaN-based high-voltage LEDs. APPLIED SURFACE SCIENCE. 366. 2016.
[6]. Highly efficient and reliable high power LEDs with patterned sapphire substrate and strip-shaped distributed current blocking layer. APPLIED SURFACE SCIENCE. 355. 2015.

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论文成果 当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

[1]. Enhanced luminous efficiency of phosphor-converted LEDs by using back reflector to increase reflectivity for yellow light. APPLIED OPTICS. 53 (34). 2014.
[2]. Improved light output power of LEDs with embedded air voids structure and SiO2 current blocking layer. APPLIED SURFACE SCIENCE. 305. 2014.
[3]. Effect of V-pits embedded InGaN/GaN superlattices on optical and electrical properties of GaN-based green light-emitting diodes. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 214 (5). 2017.
[4]. GaN-based flip-chip LEDs with highly reflective ITO/DBR p-type and via hole-based n-type contacts for enhanced current spreading and light extraction. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY. 92. 2017.
[5]. Effect of profile and size of isolation trench on the optical and electrical performance of GaN-based high-voltage LEDs. APPLIED SURFACE SCIENCE. 366. 2016.
[6]. Highly efficient and reliable high power LEDs with patterned sapphire substrate and strip-shaped distributed current blocking layer. APPLIED SURFACE SCIENCE. 355. 2015.
[7]. Effect of ring-shaped SiO2 current blocking layer thickness on the external quantum efficiency of high power light-emitting diodes. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY. 97. 2017.
[8]. Effect of ring-shaped SiO2current blocking layer thickness on the external quantum efficiency of high power light-emitting diodes. Optics and Laser Technology. 97. 2017.
[9]. Comparative study of GaN-based ultraviolet LEDs grown on different-sized patterned sapphire substrates with sputtered AlN nucleation layer. Japanese Journal of Applied Physics. 56 (11). 2017.
[10]. 《微纳制造技术》教学经验与感受浅谈. 教育教学论坛. (1674-9324). 2016.

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