教师姓名：王　豪
单　位 物理实验与教学中心
职　称 副教授
学　历 博士
E-mail wanghao(at)whu.edu.cn; QQ:**
研究方向



简历：
2003年毕业于武汉大学，获工学学士学位；
2006年毕业于武汉大学，获工学硕士学位；
2009年毕业于武汉大学，获工学博士学位。
2010年留校工作。
2011年至2012年，香港科技大学博士后。
2014年加入物理实验教学中心。


教学：
先后承担电子线路、模拟集成电路设计、微电子数值技术、半导体物理与器件、电子线路实验等本科、研究生课程。


研究方向：
1. 纳电子器件数值模拟及应用；
2. 新型微纳器件紧凑模型及应用。


Selective journal articles in recent years:
[1] Y. Lv, J. Wang, G. Yang, W. Qin, L. Li*, and H. Wang*, "How Can Si/Ge Core/Shell Nanowires Outperform Their Pure Material Counterparts?," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, pp. 1327-1333, 2020.
[2] M. Qiu, S. Ye, W. Wang, J. He, S. Chang, H. Wang*, Q. Huang, "The interfacial states effects on the spin-dependent tunneling of Mn3Al-based magnetic tunnel junction," Journal of Physics D: Applied Physics, vol. 54, p. 115002, 2021.
[3] H. Wang, S. Chang, J. He, Q. Huang, and F. Liu, "Dielectric Engineering With the Environment Material in 2-D Semiconductor Devices," IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 6, pp. 325-331, 2018.
[4] H. Wang, S. Chang, J. He, Q. Huang and F. Liu, "The Dual Effects of Gate Dielectric Constant in Tunnel FETs," IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 4, pp. 445-450, 2016.
[5] Y. Lv, Q. Huang, H. Wang*, S. Chang, and J. He, "A Numerical Study on Graphene Nanoribbon Heterojunction Dual-Material Gate Tunnel FET," IEEE Electron Device Letters, vol. 37, pp. 1354-1357, 2016.


Book chapter:
H. Wang, “Carbon Nanotube TFETs: Structure optimization with numerical simulations”, Tunneling Field Effect Transistor Technology, 2016 –Springer International Publishing. DOI:10.1007/978-3-319-31653-6_7


指导学生获得大学生物理实验竞赛（创新赛）全国一等奖、国家大学生创新创业训练计划优秀结题项目、武汉大学优秀学士学位论文等。