龙 浩 （讲师）
教师背景
学历
所在学校
专业
时间

博士
武汉大学
微电子学与固体电子学
2009 - 2014

访问****
台湾大学
光电工程学研究所
2013

本科
武汉大学
物理学
2005 - 2009



研究领域
主要研究方向为新型功能材料与智能光电子器件的设计、构筑和性能研究，以及它们在照明、显示、光通信和物联网等领域的应用技术。现主持和参与国家自然科学基金、湖北省自然科学基金等科研项目。在国际知名学术期刊发表SCI论文50余篇，被引1000余次，H指数22（Google Scholar，2020），为IEEE Electron Device Letters、IEEE Photonics Journal、Journal of Applied Physics、Chemical Engineering Journal等十余个学术期刊审稿人，国际光学工程学会（SPIE）会员。多项中国发明专利已获授权。

主要科研项目
1.国家自然科学基金面上项目，氧化锌镁宽禁带半导体PIN异质结X射线探测器（No. **），主持，2021-2024。
2. 国家自然科学基金青年基金项目，基于一维纳米材料/量子阱复合结构的氧化锌紫外发光二极管研究（No. **），主持，2016-2018。
3.湖北省自然科学基金青年基金项目，ZnMgO基量子阱深紫外发光二极管的设计、制备与性能研究（No. 2015CFB364），主持，2015-2016。
4.国家自然科学基金青年基金项目，基于电荷非对称谐振隧穿结构的氧化锌基发光二极管研究（No. **），参与，2018-2020。
5.国家自然科学基金青年基金项目，含无序子结构的长周期光栅薄膜太阳电池的陷光机理（No. **），参与，2016-2018。

主要成果（*为通讯作者）
1. J E Li, W B Li, J H Gu, Z Y Zhong, C Y Yang, J Hou, H Tao, J L Du, X D Li, L J Xu, S G Wan, H Long*, H N Wang*, Carrier transport improvement in ZnO/MgZnO multiple-quantum-well ultraviolet light-emitting diodes by energy band modification on MgZnO barriers, Optics Communications, 459: 124978, 2020.
2. X. Mo, Z. Li, C. Liu, X. Tao, Y. Zhou, H. Long*, H. Wang, and Y. Ouyang*, Improving and manipulating green-light electroluminescence in solution-processed ZnO nanocrystals via erbium doping, Journal of Luminescence, 213: 127-132, 2019.
3. Y. Yang, S. Li*, F. Liu, H. Wang, and H. Long*, Optimization design of transparent conductive Al-doped ZnO and mechanism for performance-enhancing GaN light emitting diodes, Materials Research Express, 5(1): 015906, 2018.
4. H. Long*, J. Gu, H. Wang, C. Yang, J. Hou, S. Li, Y. Yang, C. Wang, L. Zhao, and Z. Zhong, Numerical study of enhanced performance in ZnO-based ultraviolet light-emitting diodes with step graded-composition MgZnO multiple quantum barriers, Superlattices and Microstructures, 109: 821-828, 2017.
5. H. Long, Ch. 17 ZnO-based LEDs, Handbook of Solid-State Lighting and LEDs, CRC Press, Taylor & Francis Group, Florida, 2017/06, ISBN: 978-1-4987-4141-5.
6. S. Z. Li*, S. X. Wang, K. Liu, N. G. Zhang, Z. Y. Zhong, H. Long*, G. J Fang, Self-powered blue-sensitive photodetector based on PEDOT:PSS/SnO₂ microwires organic/inorganic p–n heterojunction, Applied Physics A, 2015, 119(4): 1561.
7. H. Long, S. Z. Li, X. M. Mo, H. N. Wang, Z. Chen, Z. C. Feng, G. J. Fang*, Enhanced electroluminescence using Ta₂O₅/ZnO/HfO₂ asymmetric double heterostructure in ZnO/GaN-based light emitting diodes, Optics Express, 2014, 22(9): A833-A841.
8.H. Long, L. Ai, S. Z. Li, H. H. Huang, X. M. Mo, H. N. Wang, Z. Chen, Y. P. Liu, G. J. Fang*, Photosensitive and temperature-dependent I-V characteristics of p-NiO film/n-ZnO nanorod array heterojunction diode, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 2014, 184(1): 44-48
9.H. Long, S. Z. Li, X. M. Mo, H. N. Wang, H. H. Huang, Z. Chen, Y. P. Liu, G. J. Fang*, Electroluminescence from ZnO-nanorod-based double heterostructured light-emitting diodes, Applied Physics Letters, 2013, 103(12): 123504
10. H. Long, G. J. Fang*, S. Z. Li, X. M. Mo, H. N. Wang, H. H. Huang, Q. K. Jiang, J. B. Wang, X. Z. Zhao, A ZnO/ZnMgO multiple quantum well ultraviolet random laser diode, IEEE Electron Device Letters, 2011, 32(1): 54-56
11. H. Long, G. J. Fang*, H. H. Huang, X. M. Mo, W. Xia, B. Z. Dong, X. Q. Meng, X. Z. Zhao, Ultraviolet electroluminescence from ZnO/NiO-based heterojunction light-emitting diodes, Applied Physics Letters, 2009, 95(01): 013509
12. 中国发明专利, ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法, 授权号: ZL7.8
13. 中国发明专利, ZnO/ZnMgO多量子阱紫外激光二极管及其制备方法, 授权号: ZL6.8
14. 中国发明专利, 氧化锌纳米紫外光敏传感器及其制备方法, 授权号: ZL6.4
15. 中国发明专利, 一种n-氧化锌/p-氧化镍异质pn结紫外激光二极管及其制备方法, 授权号: ZL1.7
16. 中国发明专利, 一种基于n-ZnO/n-GaN异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法, 授权号: ZL9.9
17. 中国实用新型专利, ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管, 授权号: 1.2.

联系方式
邮 箱：longhao@mail.scuec.edu.cn
网 页：http://orcid.org/0000-0002-3505-4573
地 址：中南民族大学电子信息工程学院

欢迎有志青年加入攻读硕士研究生！