个人简历
一、导师个人情况介绍
胡廷伟，男，1985年生，工学博士，海南医学院热检学院副教授。主持3项国家/省部级基金（1项青年基金、1项中国博士后基金、1项海南省高层次人才基金），参与1项国家重点基础研究发展计划项目（973）、3项国家自然科学基金面上项目、1项陕西省自然科学基金。发表高水平SCI学术论文20余篇，其中以第一/通讯作者在Carbon，JPCL，APL等期刊上发表SCI论文11篇，5篇一区（中科院分区标准），总影响因子合计为50，授权专利2项。获海南省拔尖人才，海南医学院领军人才。2013年博士研究生国家奖学金，2014年CASC企业奖学金，2013西安交通大学一等奖学金、优秀研究生。
教育及工作经历：
2019/11-至今，海南医学院，热带医学检验与检疫学院，副教授
2019/05-2019/11，西安交通大学，材料科学与工程学院，副教授
2016/3-2017/3，加州大学尔湾，物理及天文系，访问学者
2015/10-2019/05，西安交通大学，材料科学与工程学院，讲师
2013/10–2015/9，香港城市大学，材料及物理，博士，导师：朱剑豪
2011/3–2015/9，西安交通大学，材料学，博士，导师：徐可为
2009/9–2011/3，西安交通大学，材料学，硕士，导师：徐可为
2005/9–2009/7，湖南大学，材料物理，学士，导师：周灵平
二、研究方向
主要研究方向为：纳米粒子合成、组装及其在生物监测方面的应用研究；金属纳米材料的分子束外延生长及原位分析；SiC外延石墨烯的制备、改性及应用。
三、一作/通讯SCI论文
1.Tingwei Hu, Dayan Ma, Fei Ma* and Kewei Xu*, Preferred armchair edges of epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) by thermal decomposition. 2012, Appl. Phys. Lett. 101, 241903.
2.Tingwei Hu, Dayan Ma, Fei Ma*, Kewei Xu* and Paul K. Chu, Direct and diffuse reflection of electron waves at armchair edges of epitaxial graphene. 2013, RSC Advances, 3, 25735.
3.Tingwei Hu, Fei Ma*, Dayan Ma, Dong Yang, Xiangtai Liu, Kewei Xu* and Paul K. Chu*, Evidence of atomically resolved 6×6 buffer layer with long-range order and short-range disorder during formation of graphene on 6H-SiC by thermal decomposition. 2013, Appl. Phys. Lett. 102, 171910.
4.Tingwei Hu, Xiangtai Liu, Fei Ma, Dayan Ma, Kewei Xu* and Paul K. Chu*, High-quality, single-layered epitaxial graphene fabricated on 6H-SiC (0001) by flash annealing in Pb atmosphere and mechanism. 2015, Nanotechnology, 26, 105708.
5.Tingwei Hu, Hongwei Bao, Xiangtai Liu, Dayan Ma, Fei Ma* and Kewei Xu*, Near-free-standing epitaxial graphene on rough SiC substrate by flash annealing at high temperature. 2017, Carbon, 120, 219.
6.Tingwei Hu*, Xin Hui, Xiaohe Zhang, Xiangtai Liu, Dayan Ma, Ran Wei, Kewei Xu and Fei Ma, Nano-structured Bi grown on epitaxial graphene/SiC, The Journal of Physical Chemistry Letters, 2018,?9: 5679-5684.
7.Tingwei Hu, Xiangtai Liu, Dayan Ma, Ran Wei, Kewei Xu, Yi Pan and Fei Ma, Bismuth Mediated Defect Engineering of Epitaxial Graphene on SiC(0001), Carbon, 2019, 146: 313-319.
8.Hu, T., Q. Fang, X. Zhang, X. Liu, D. Ma, R. Wei, K. Xu, and F. Ma, Enhanced n-doping of epitaxial graphene on SiC by bismuth. Applied Physics Letters, 2018. 113(1): 011602.
9.Hu T.*; Liu X.; Ma D.; Wei R.; Xu K.; Ma F.; Formation of Micro- and Nano-Trenches on Epitaxial Graphene. Applied Sciences-Basel, 2018, 8, 2518.
10.T. Hu, D. Yang, W. Hu, Q. Xia, F. Ma, K. Xu, The structure and mechanism of large-scale indium-intercalated graphene transferred from SiC buffer layer, Carbon 171 (2021) 829-836.
11.T. Hu, D. Yang, H. Gao, Y. Li, X. Liu, K. Xu, Q. Xia, F. Ma, Atomic structure and electronic properties of the intercalated Pb atoms underneath a graphene layer, Carbon 179 (2021) 151-158.
四、学术成果奖
无
五、专利
胡廷伟，马飞，徐可为，马大衍，刘祥泰，张晓荷，一种金属原子掺杂的大面积规则外延石墨烯的制备方法，2019.05.20，专利号：201710552408.3。
六、主持及参与项目
1、海南省高层次人才基金，，二维受限金属单原子层的制备及插层机理分析，2021/6-2024/6，8万元，在研，主持。
2、国家自然科学基金青年项目，51601142，石墨烯大面积制备过程中的金属原子同步掺杂及其物理效应研究，2017/01-2019/12，20万元，结题，主持
3、中国博士后基金，2016M592785，石墨烯模板诱导金属二维结构超薄膜的制备及机理研究，2016.01--2018.12，5万元，结题，主持。
4、国家自然基金面上项目，TMDs二维原子晶体的2H－1T相变及界面特性增强机制研究（51771144），2018.01-2021.12,60，在研，参加。
5、国家自然科学基金面上项目，51471130、TMD/石墨烯的叠层结构稳定性及其光电特性的应变调控研究、2015/01-2018/12，85万元、已结题、参加。.
6、国家自然科学基金面上项目，51271139、应力致石墨烯类二维晶体奇异变形/相变特征及其机制研究、2013/01-2016/12，80万元、已结题、参加。
7、国家重点基础研究发展计划项目（973），2010CB631002、“介观尺度材料特性与服役行为表征的基础研究”子课题“介观异质单元的应力应变调控效应及界面特性表征”、2010/01-2014/12、630万元、已结题、参加。
七、学术荣誉
无
八、学术兼职
无