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谢泉：博士后、博士、教授、博士生导师、硕士生导师，贵州省首届百层次人才，贵州省省管专家、贵州省优秀青年科技人才，贵州大学大数据与信息工程学院电子科学与技术学科带头人,贵州省先进光电子材料与技术创新团队负责人，贵州省电子科学与通信工程人才基地负责人，贵州省教育厅电子科学与技术特色重点学科负责人，中国中小企业融资项目评审咨询专家，科技部863课题评审专家，科技部国际合作课题评审专家，国家自然科学基金同行评议专家，教育部电子信息类专业教学指导委员会委员，教育部电子信息类专业教学指导委员会教材编写委员会委员，中国仪器仪表学会高级会员，贵州省科技厅新材料专家组成员，贵州省科学决策学会常务理事，电子元件与材料期刊理事，国际期刊Phys. B 等多家期刊特约审稿人，民进贵州省委员会副主任委员，贵州省第十二届全国人大代表，贵州大学大数据与信息工程学院院长，贵州大学新型光电子材料与技术研究所所长，民进贵州大学基层委员会主任，贵州大学留学归国人员联谊会会长，贵州省留学归国人员联谊会常务理事，贵州省第八届青年联合会副主席，民进贵州省委第五、六届副主委，贵州省第九、十届政协委员。

研究方向:环境友好先进光电子材料与器件、传感器与传感系统、材料模拟与
技术
办公地点:贵州大学博学楼613s
联系方法: ， @qq.com

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本科： 中南大学材料科学与工程系金属物理专业
硕士:湖南大学物理科学与微电子学院理论物理专业
博士： 湖南大学化学化工学院无机非金属材料专业
博士后： 中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博士后流动站
1990,7—1993,2湖南邵阳玻璃厂技术科工作
1993,3—1998,6 湖南大学物理科学与微电子学院工作
1998,6—2004,2长沙理工大学物理与微电子学院工作
其中：
1998，6—2000,6 中国科学院上海光学精密机械研究所材料科学与工程博
士后流动站工,
2001，10—2002,10 日本saitama 大学大学院机能材料工学科访问****
2004,2— 现在 贵州大学大数据与信息工程学院电子科学与技术系工作
其中： 2015,1，8—2016,1，7， 北京市顺义区政府副区长（挂职1年）

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1.2015年获贵州省首届研究生教学成果二等奖
2. 2014年获贵州省首批优秀博士生导师
3.2012年获贵州省科技进步三等奖
4.2009年贵州省首届青年科技创新人才奖
5．2009年获贵州大学优秀科研特等奖
6．2007年获贵州省五一劳动奖章
7. 2007年获第2届中国归国侨眷“科技人才创新”奖
8. 2006年获全国各民主党派、工商联、无党派人士为全面建设小康社会作贡
献全国先进个人
9. 2006年获为全面建设小康社会作贡献民进中央全国先进个人
10. 2006年获贵州省第2批优秀科技工作者
11. 2005年获民进中央全国优秀会员
12. 2007年获贵州大学逾十年教龄“教书育人风范奖”
13. 参加完成的科研课题获2001年国家自然科学二等奖 等

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研究项目 ：
主持的科研项目：
[1] 贵州省高层次创新型人才-百层次培养项目，贵州省科技厅，2015.01-2017.12，60万，主持。
[2] 贵州省特色重点学科建设-电子科学与技术，贵州省教育厅，2014.10-2017.10，20万，主持。
[3] 电子科学与技术品牌特色专业建设，贵州大学品牌特色专业建设项目，合同号: PTJS201302，2014.1-2016.12，60万，主持，教学科研项目；
[4] 贵州省电子科学与通信工程技术人才基地，贵州省委组织部贵州省第四批人才基地项目，2013.12-2016.12，100万，主持；
[5] 基于环境友好半导体材料β-FeSi₂、Mg₂Si的光电子器件设计与研究，国家自然科学基金，合同号: **，2013.1-2016.12, 50万，主持；
[6] 环境友好半导体光电子材料Mg₂Si红外传感器的开发研究，贵州省教育厅125重大专项，合同号：黔教合重大专项字[2012]003，2012.10-2015.12，80万，主持;
[7] 贵州省先进光电子材料与技术创新人才团队，贵州省科技创新人才团队建设专项资金,合同号：黔科合人才团队[2011]4002, 2011.10-2014.10，31.5万，主持；
[8] 硅化物LED光电子器件开发，贵州省科技攻关项目，合同号：黔科合GY字[2011]3015，2011.6-2014.5，35万，主持；
[9] 半导体材料Si、Ge及SiGe合金液态凝固过程中的遗传特性研究，贵州省国际科技合作计划项目，合同号：黔科合外G字[2012]7004，2012.6-2014.5，10万，主持；
[10] 新型环境友好半导体材料β-FeSi₂及其光电子器件的研究，科技部国际合作专项项目，合同号：2008DFA52210, 2008.1-2010.12，80万，主持；
[11] 新型环境友好半导体材料β－FeSi₂薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用研究，贵州省信息产业厅项目，合同号：0831，2008.6-2010.6，10万，主持；
[12] 环境半导体材料Ca₂Si的制备与应用研究，国家自然科学基金项目，合同号：**， 2008.1-2010.12, 20万，主持；
[13] 环境半导体材料β-FeSi₂的物理基础与关键技术，国家自然科学基金项目，合同号：**，2006.1-2008.12，20万，主持；
[14] 新型环境半导体材料β-FeSi₂的物理基础与关键技术研究，贵州省优秀科技教育人才省长专项基金，合同号：黔省专合字（2005）365号，2006.1-2008.12，6万，主持；
[15] 大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi₂的制备、光电子特性与应用研究，国家人事部留学人员科技活动择优资助项目，2005.1-2006.12，4万，主持；
[16] 新型环境半导体材料β-FeSi₂的物理基础与应用研究，贵州省科技厅国际科技合作项目，合同号: 黔科合G（2005）400102，2005.1-2007.12，4万，主持；
[17] 薄膜环境半导体材料β-FeSi₂的制备，光电子特性与应用研究，教育部留学回国科研基金，合同号：教外司（2005）383，2005.1-2006.12，3万，主持；
[18] 掺杂（Mn、Cr）环境半导体材料β-FeSi₂的研究，贵州省优秀青年科技人才培养计划，合同号: 黔科合人**，2005.1-2008.12，21万，主持；
[19] [15]新型环境半导体材料β-FeSi₂的物理基础与应用研究，贵州大学引进人才科研项目，2004.6-2006.12，8万，主持；
[20] 大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi₂的制备、光电子特性与应用研究，贵州省留学人员科技项目，合同号：黔人项目（2004）03；2005.1-2006.12，3万，主持；
[21] 纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi₂的制备、光电子特性与应用研究，省委组织部高层人才科研特助项目；2006.1-2008.12，5万，主持；
[22] 环境半导体材料β-FeSi₂的物理基础与关键技术，教育部博士点专项科研基金，合同号：, 2005.1-2006.12，6万，主持；
[23] 大尺寸纳米薄膜环境半导体材料β-FeSi₂的开发与应用研究，贵州省教育厅重点项目，合同号：黔教科**,2004.9-2006.12，3万，主持；
[24] 掺杂（Mn、Cr）环境半导体材料β-FeSi₂的研究，教育部科学技术重点项目，合同号：206133，2005.1-2007.12，2万，主持；
附指导的博士、硕士申请的项目：
[1]磁控溅射制备环境半导体b-FeSi₂及其物性研究，贵阳市科技局大学生创业科技项目，合同号：2007筑科计合同字第6-3号，2007.12-2008.12，1.2万，04级博士生张晋敏主持；
[2]环境友好半导体材料Ca₂Si的物理基础及关键技术的研究。贵州省教育厅重点项目，合同号：No.**，2006-2009，05级博士生杨吟野主持，
[3]磁控溅射制备环境半导体Ca₂Si及其性质研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合No.(2007)2177，2007-2010，05级博士生杨吟野主持
[4]新型环境半导体材料Ca₂Si的物理基础与关键技术研究。贵阳市科技计划项目，合同号：No. (2006)21-4，2006-2009，1.5万，05级博士生杨吟野主持
[5]Mg₂Si电子结构及光学性质的研究及其应用，贵阳市科技计划项目，合同号：筑科计（2007）6号），2008.01-2009.12，2万，06级博士生陈茜主持；
[6]Mg₂Si电子结构及光学性质的研究，贵州大学研究生创新基金，合同号：省研究理工**，2007.9-2009.4，06级博士生陈茜主持；
[7]磁控溅射制备BaSi₂薄膜材料及其光电特性研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合J字[2010]2002号，2010.6-2012.12，06级博士生杨子义主持，
[8]环境半导体材料BaSi₂的制备工艺及其光电特性研究，贵阳市科技计划项目，合同号：[2009]筑科大合同字第6号，2009.10-2011.09，06级博士生杨子义主持，
[9]环境半导体材料Mg₂Si的磁控溅射制备及其性质研究，贵州省科技厅自然科学基金项目，合同号：黔科合J字[2009]2059号，2009.6-2012.5，4万，07级博士生肖清泉主持；
[10]环境半导体材料Mg₂Si的制备及其光电性质研究，贵阳市科技计划项目，合同号：[2008]筑科计合同字第15-3号，2008.10-2010.9，1.2万，07级博士生肖清泉主持；
[11]液态Si凝固过程中团簇结构形成和演变特性的研究，贵州省研究生创新基金，合同号：省研理工**，2009.10月-2011.4，09级博士生高廷红主持;
[12]掺杂（Mr、Cr）及不同取向Ca₂Si晶体电子结构及光学性质的研究，贵州大学研究生创新基金，合同号：校研理工**，2007.3-2009.2，06级硕士生赵凤娟主持;
[13]新型环境友好半导体材料Ru₂Si₃的电子结构及光学性质的研究，贵州大学研究生创新基金，合同号：校研理工**，2008.11-2010.2，07级硕士生崔冬萌主持;
[14]掺杂（Cr、Mn）环境半导体材料β-FeSi₂的研究，贵阳市科学计划项目，合同号：2007筑科计合同字第6-1号，1.3万，2007.12-2009.12，05级硕士生梁艳主持;等。
发表论文：
[1]Ma R, Wan M, Huang J, 等. Calculation of electronic structure and mechanical properties of DO3–Fe75-xSi25Nix intermetallic compounds by first principles[J]. International Journal Of Modern Physics B, 2015: **
[2]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Molecular dynamics simulation of nanocrystal formation and deformation behavior of Ti₃Al alloy[J]. Computational Materials Science, 2015,98: 245-251 （SCI、EI）
[3]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Xie Quan. Influence of the isothermal process at glass transition temperature on growths of Frank–Kasper polyhedral clusters in TiAl₃ alloy[J]. Journal Of Non-crystalline Solids, 2014,406: 95-101 （SCI、EI）
[4]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Network connectivity in icosahedral medium-range order of metallic glass: A molecular dynamics simulation[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,406: 31-36 （SCI、EI）
[5]Xie Zhuo-Cheng, Gao Ting-Hong, Guo Xiao-Tian, Qin Xin-Mao, Xie Quan. Growth of icosahedral medium-range order in liquid TiAl alloy during rapid solidification[J]. Journal of Non-crystalline Solids, 2014,394-395: 16-21 （SCI、EI）
[6]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, et al. Glass formation and icosahedral medium-range order in liquid Ti-Al alloys[J]. Computational Materials Science, 2014: 502–508 SCI（SCI、EI）
[7]Qin Xinmao, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Xie Quan. Molecular Dynamics Simulation of Graphene Bombardment with Si Ion[J]. Journal of Molecular Structure，2014，1061:19-25. (SCI)
[8]Xie Zuocheng, Gao Tinghong, Guo Xiaotian, Qin Xinmao, Xie Quan. Evolution of icosahedral clusters during the rapid solidification of liquid TiAl alloy[J]. Physica B: Condensed Matter, 2014，440 :130–137. (SCI)
[9]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin. Electronic structure and ferromagnetism of Fe₁₁NiSi₄, Fe₁₁CoSi₄, Fe₁₁CrSi₄ and Fe₃Si from first principles[J]. Intermetallics. 2014, 46:12-17. (SCI)
[10]YU Hong, XIE Quan, CHEN Qian. Effect of Mg-Film Thickness on the Formation of Semiconductor Mg₂Si Films Prepared by Resistive Thermal Evaporation Method[J]. Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science Edition), 2014, 29(3): 612-616. (SCI)
[11]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qin Yunxiang，Xie Quan. Structural evolutions and properities of germanium clusters during rapid cooling processes[J]. Modern Physics Letters B，2013，27 (32)：**-1-9.(SCI)
[12]Chen Qian, Xie Quan, Xiao Qingquan, Zhang Jinmin. The influence of lattice deformation on the elastic properties of Mg₂Si[J]. Science China-Physics, Mechanics and Astronomy, 2013,56(4): 701-705. (SCI)
[13]Ma Rui, Xie Quan, Huang Jin, Yan Wanjun, Guo Xiaotian. Theoretical study on the electronic structures and magnetism of Fe₃Si intermetallic compound[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2013,552(3): 324-328.（SCI、EI）
[14]MA Rui, XIE Quan, HUANG Jin, GUO Xiaotian, YAN Wanjun. First Principles Study on Elastic Constants, Ferromagnetism and Electronic Structures of Alloyed Fe₃Si Doped with Mo, Ti or Nb [J]. Chin.Phys. Lett. 2013, 30(12): 127104. (SCI)
[15]Ma Rui, Huang Jin, Xiong Xicheng, Fan Menghui, Yan Wanjun, Xie Quan. Structure stability and ferromagnetism of carbon alloying Fe₃Si compound from first principles calculations[J]. physica status solidi (c), 2013, 10(12): 1750-1752. (EI)
[16]Yu Hong, Xie Quan, Chen Qian. Effects of annealing on the formation of Mg₂Si film prepared by resistive thermal evaporation method[J]. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2013, 24(10):3768-3775. (SCI/ EI).
[17]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Melting kinetics of bulk SiC using molecular dynamics simulation[J]. SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2013, 56(9): 1699-1704. (SCI /EI)
[18]YAN WanJun, GAO TingHong, GUO XiaoTian, QIN YunXiang, XIE Quan. Structural Properties of Liquid SiC during Rapid Solidification[J]. The Scientific World Journal. 2013, 2013: 7pages. (SCI)
[19]Yan Wanjun, Xie Quan, Gao Tinghong, Guo Xiaotian. Microstructural evolution of SiC during melting process[J]. Modern Physics Letters B, 2013, 27(31): **(11pages) . (SCI)
[20]Yan Wanjun, Gao Tinghong, Guo, Xiaotian, Xie, Quan. Structural characteristics of liquid SiC during quenching process[J]. Physica Status Solidi (C), 2013, 10(12):1777-1780. (EI)
[21]Gao Tinghong, Yan Wanjun, Guo Xiaotian, Qing Yunxiang, Xie Quan. Structural properties in liquid Si during rapid cooling processes[J]. Physica B: Condensed Matter, 2013, 419: 28-31. (SCI/EI)
[22]Xiong Xicheng, Xie Quan, Yan Wanjun. Relationship between the thickness of β-FeSi₂ thin film and the solar photo wavelength[J]. Chinese Journal of Mechanical Engineering, 2012, 25(2): 315-319. (SCI)
[23]Zhu Changyin, Xie Quan. Simulation study of microstructure transition of liquid Ge during rapid cooling solidification[A]. Materials Science Forum, 2011:1306-1309.（EI）
[24]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125. （EI）
[25]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan, et al. Atomic diffusion in the interface of Fe/Si prepared by magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 126-129. （EI）
[26]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of Heat Treatment on Growth of BaSi₂ Film On Si (111) Substrates[A]. Materials Science Forum, 2011:1273-1276. （EI）
[27]Yang Ziyi, Hao Zhengtong, Xie Quan. Effects of annealing temperature on the structure and surface feature of BaSi₂ films grown on Si (111) substrates[J]. Physics Procedia, 2011,11: 118-121. （EI）
[28]Xiao Qingquan, Xie Quan, Zhao Kejie, et al. Effect of Sputtering Pressure on the Formation of Semiconducting Mg₂Si Films[J]. Materials Science Forum, 2011,663-665: 166-169. （EI）
[29]Xiao Qingquan, Xie Quan, Yu Zhiqiang, et al. Influence of sputtering power on the structural and morphological properties of semiconducting Mg₂Si films[J]. Physics Procedia, 2011,11: 130-133. (EI)
[30]Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg₂Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804. （SCI、EI）
[31]Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on the formation of semiconducting Mg₂Si film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002(five pages). （EI）
[32]Gao Ran, Xie Quan. Study on the electronic structure and optical properties of the environmentally friendly semiconductor Ca₃Si₄[J]. Physics Procedia, 2011,11: 99-102. （EI）
[33]Chen Qian, Xie Quan. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of Mg₂Si epitaxial on Si (111)[J]. Physics Procedia, 2011,11: 134-137. （EI）
[34]Zhang Jinmin, Xie Quan, Borjanovi? V, et al. Preparation of the Kondo Insulators FeSi by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 1129-1132. （EI）
[35]Yang Yinye, Xie Quan. Ca₂Si crystal grown selectively by R.F.MS[J]. Journal of Natural Science of Helongjiang University, 2010,27(4): 542-545. （EI）
[36]Chen Qian, Xie Quan, Zhao Fengjuan, et al. First-principles calculations of electronic structure and optical properties of strained Mg₂Si[J]. Chinese Science Bulletin, 2010,55(21): 2236-2242. （SCI）
[37]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principles study on the electronic structure and optical properties of CrSi₂[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 46-51. （SCI）
[38]Zhou Shiyun, Xie Quan, Yan Wanjun, et al. First-principle study on the electronic structure of stressed CrSi₂[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(1): 76-81. （SCI）
[39]Zhao Fenjuan, Xie Quan, Chen Qian, et al. First-principles calculations on the electronic structure and optical properties of BaSi₂[J]. Science in China Series G-Physics Mechanics and Astronomy, 2009,52(4): 580-586. （SCI）
[40]Yang Yinye, Xie Quan, Wang Yi, et al. Directly Grown Ca₂Si Films on Si(100) Substrate at Various Radio-Frequency Sputtering Power[J]. Journal Of Test And Measurement Technology, 2009,23(5): 402-406. （EI）
[41]Yang Yinye, Xie Quan. Selective Growth of Ca₂Si Film by Annealing the Sputtered Ca Films with Different Thickness[J]. Journal of Material s Science & Engineering, 2009,27(5): 675-678.
[42]Yang Yinye, Xie Quan. A single phase semiconducting Ca-silicide film growth by sputtering conditions, annealing temperature and annealing time[J]. Journal of Materials Science, 2009,44(14): 3877-3882. （SCI、EI）
[43]Zhang Jinmin, Xie Quan, Yu Ping, et al. Preparation of α-FeSi₂ by laser annealing[J]. Thin Solid Films, 2008,516(23): 8625-8628. （SCI、EI）
[44]Zhang Jinmin, Xie Quan, Zeng Wuxian, et al. Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems[J]. Journal of Semiconductors, 2007,28(12): 1888-1894. （EI）
[45]牟雪婷, 谢泉, 肖清泉, 等. 石墨和石墨烯填充导电硅橡胶的拉敏特性研究[J]. 电子元件与材料, 2015, 34(7): 24-27
[46]张宝晖, 谢泉, 肖清泉, 等. 溅射时间对于Mg₂Si/Si 异质结的影响[J]. 电子元件与材料, 2015,34(7): 46-49
[47] 杨云良, 廖杨芳, 姚震震, 等. Mg 膜厚度对Mg₂Si 半导体薄膜结构及方块电阻的影响[J]. 半导体技术, 402015,40(7): 525-530
[48]唐华杰, 张晋敏, 金浩, 等. 椭圆偏振研究溅射气压对锰膜光学性质的影响[J]. 红外与毫米波学报, 2015,34(3): 347-351
[49]范梦慧, 谢泉, 岑伟富, 等. Tc-P 共掺杂单层 MoS2 光电特性的第一性原理计算[J]. 半导体光电, 2015,4: 013
[50]范梦慧, 谢泉, 蔡勋明, 等. 点缺陷对单层 MoS2 电子结构及光学性质的影响研究[J]. 原子与分子物理学报, 2015,32(003): 456-462
[51]范梦慧, 蔡勋明, 岑伟富, 等. 外压调制对 Cr-Se 共掺杂单层 MoS2 光电特性的影响[J]. 固体电子学研究与进展, 2015,2: 013
[52]范梦慧, 蔡勋明, 岑伟富, 等. 单层 MoS1. 89X0. 11 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 激光与光电子学进展, 2015,52(5): 163-170
[53]张学明, 马瑞, 谢泉. Ni掺杂量对Fe₃Si合金微波吸收性能的影响[J]. 电子元件与材料, 2014,33(5): 38-42 （中文核心）
[54]闫万珺, 张忠政, 郭笑天, 等. 第一性原理计算V-Al共掺杂CrSi₂的光电特性[J]. 光学学报, 2014,34(4): 416002-416007 （EI）
[55]马瑞, 谢泉, 黄晋. 合金化效应对Fe₃Si结构稳定性和力学性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2014,43(3): 665-770 （SCI、EI）
[56]刘怿辉, 谢泉, 陈茜. 硅基外延Mn₄Si₇薄膜电子结构与光学性质研究[J]. 材料导报, 2014,28(8): 9-12（中文核心）
[57]覃信茂, 谢卓成, 谢泉. 石墨烯改性研究进展[J]. 电子元件与材料, 2014,33(3): 1-4 （中文核心）
[58]邵飞, 张晋敏, 唐华杰, 等. 溅射Ar流量对Mn膜光学常数的影响[J]. 材料导报, 2014,28(3): 101-103（中文核心）
[59]闫万珺, 张春红, 周士芸, 等. 第一性原理计算Ti掺杂CrSi₂的光电特性[J]. 原子与分子物理学报, 2014,31(1): 167-172（中文核心）
[60]李强, 谢泉, 马瑞, 等. 厚膜电阻的研究现状及发展趋势[J]. 材料导报, 2014,28(7): 31-37 （中文核心）
[61]唐华杰,张晋敏,金浩,邵飞,胡维前,谢泉. 溅射功率对金属锰膜光学性质的影响[J].物理学报,2013,62(24):**-6(SCI、EI)
[62]肖清泉,谢泉,沈向前,张晋敏,陈茜.Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg₂Si半导体薄膜[J].功能材料,2013, 44(4): 585-589. (EI)
[63]余宏，谢泉，肖清泉，陈茜. Mg₂Si半导体薄膜的热蒸发制备[J]. 功能材料，2013,44(8):1204-1207.（EI）
[64]余志强, 谢泉. 功率参数对光电薄膜Mg₂Si择优取向的影响[J]. 压电与声光, 2013,35(3): 438--440
[65]丰云, 谢泉, 高冉, 等. K掺杂正交相Ca₂Si电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 材料热处理学报, 2012,33(9): 155-160. ( EI)
[66]崔冬萌, 贾锐, 谢泉, 等. Ru_0.9375Mn_0.0625Si₃的电子结构及光学性质研究[J]. 稀有金属材料与工程, 2012,41(10): 1775-1779. （SCI、EI）
[67]闫万珺, 周士芸, 谢泉, 等. Al 掺杂浓度对 CrSi₂电子结构及光学性质的影响[J]. 光学学报, 2012,32(5): 516003. （EI）
[68]郑旭, 张晋敏，熊锡成，张立敏，赵清壮，谢泉. β-FeSi₂异质结的制备及性质研究[J]. 功能材料，2012, 43(11): 1069-1071.（EI）
[69]马瑞, 谢泉, 赵清壮. 真空热压烧结制备 Fe₃Si 基金属间化合物[J]. 材料导报, 2012,26(12): 6-8
[70]沈向前, 谢泉, 肖清泉, 等. 磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究[J]. 真空, 2012,49(1): 65-69
[71]沈向前, 谢泉, 肖清泉, 等. 磁控溅射辉光放电特性的模拟研究[J]. 物理学报, 2012,61(16): 165101（6pages）. （SCI、EI）
[72]王霞, 李宗宝, 谢泉, 等. (Fe, N) 双掺杂 MgF₂电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 东北师大学报, 2012,44(3): 101-106. （中文核心）
[73]朱长银, 谢泉, 高廷红. 液态锗快速凝固过程中的分子动力学模拟[J]. 贵州大学学报: 自然科学版, 2011,28(1): 19-22
[74]闫万珺, 周士芸, 谢泉, 等. Co掺杂β-FeSi₂电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2011,31(6): **(seven pages) . （EI）
[75]熊锡成, 谢泉, 闫万珺. β-FeSi₂薄膜的厚度与光子波长的关系研究[J]. 光学学报, 2011,31(5): **(five-pages). （EI）
[76]王朋乔, 谢泉, 罗倩. 掺杂 β-FeSi₂的研究进展[J]. 材料导报, 2011,25(1): 26-30.
[77]沈向前, 谢泉, 肖清泉, 等. 磁控过程的计算机模拟[J]. 真空, 2011,48(3): 49-54.
[78]高冉, 谢泉. 金属问化合物 Ca₃Si₄ 光学性质的第一性原理计算[J]. 激光与光电子学进展, 2011,48(7): 142-148.
[79]崔冬萌, 贾锐, 谢泉, 等. Ru₂Si₃在应力作用下的第一性原理研究[J]. 发光学报, 2011,32(9): 907-912. （EI）
[80]朱长银, 谢泉, 高廷红. 冷速对液态 Ge 凝固过程中微观结构的影响[A]. 2010:389-392.
[81]赵珂杰, 谢泉, 肖清泉, 等. 环境友好半导体Mg₂Si薄膜的研究进展[J]. 中国光学与应用光学, 2010,3(5): 446-451.
[82]余志强, 谢泉, 肖清泉. 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析[J]. 光谱学与光谱分析, 2010,30(4): 1136-1140. （SCI、EI）
[83]余志强, 谢泉, 肖清泉. 狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响[J]. 物理学报, 2010,59(2): 925-931. （SCI、EI）
[84]杨子义, 谢泉. 粒子数表象中谐振子微扰问题的研究[J]. 信阳师范学院学报: 自然科学版, 2010,23(2): 195-198.
[85]杨子义, 郝正同, 谢泉. Ba₃Si₄的制备及电子结构的研究[J]. 材料导报, 2010,20(10):1-4.
[86]杨子义, 郝正同, 谢泉. 正交相BaSi₂粉晶X射线衍射谱的计算[J]. 材料导报, 2010,24(2): 72-74.
[87]熊锡成, 谢泉, 张晋敏, 等. 基于FeSi₂薄膜的太阳能电池研究[J]. 信阳师范学院学报:自然科学版, 2010,23(4): 632-635.
[88]熊锡成, 谢泉, 张晋敏, 等. 基于 β-FeSi₂ 薄膜的异质结研究现状[J]. 材料导报, 2010,24(17): 15-20.
[89]肖清泉, 谢泉, 余志强, 等. Mg₂Si半导体薄膜的磁控溅射制备[J]. 材料导报, 2010,24(9): 5-7.
[90]罗倩, 谢泉, 王朋乔, 等. 固液反应球磨技术的研究进展[J]. 纳米科技, 2010,(5): 29-33.
[91]李旭珍, 谢泉, 陈茜, 等. OsSi₂ 电子结构和光学性质的研究[J]. 物理学报, 2010,59(3): 2016-2021. （SCI、EI）
[92]李旭珍, 谢泉, 陈茜, 等. 应力下OsSi₂ 电子结构和光学特性研究[J]. 科学通报, 2010,55(9): 746-751. （SCI、EI）
[93]郝正同, 谢泉, 杨子义. Ba₃Si₄ 的制备及电子结构的研究[J]. 材料导报, 2010,24(20): 1-4.
[94]郝正同, 谢泉, 杨子义. BaSi₂ 晶体结构及 X 射线衍射谱的研究[J]. 功能材料, 2010,41(10): 1816-1819. （EI）
[95]郝正同, 谢泉, 杨子义. 磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究[J]. 贵州大学学报: 自然科学版, 2010,27(1): 62-66
[96]高廷红, 谢泉, 朱长银, 等. 冷速对液态Ca₇Mg₃合金快速凝固过程中团簇结构的影响[J]. 功能材料, 2010,41: 393-396. （EI）
[97]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 等. Si 基外延 Ru₂Si₃ 电子结构及光学性质研究[J]. 物理学报, 2010,59(3): 2021-2026. （SCI、EI）
[98]陈站, 张晋敏, 朱培强, 等. 金属间化合物Fe₃Si的性质研究[J]. 功能材料, 2010: 1-4.
[99]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. V掺杂 CrSi₂ 能带结构的第一性原理计算[J]. 云南大学学报: 自然科学版, 2009,31(5): 484-488
[100]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. 锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(10): 2848-2853. （EI）
[101]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. 应力作用下 CrSi₂ 电子结构的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(4): 587-591.
[102]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. CrSi₂ 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(2): 175-180.
[103]赵凤娟, 谢泉, 陈茜, 等. BaSi₂ 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(2): 260-266.
[104]余志强, 谢泉, 肖清泉, 等. 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析[J]. 物理学报, 2009,58(8): 5318-5322. (SCI、EI）
[105]余志强, 谢泉, 肖清泉, 等. Mg₂Si 晶体结构及消光特性的研究[J]. 物理学报, 2009,58(10): 6889-6893. （SCI、EI）
[106]谢泉, 陈茜, 肖清泉, 等. 开设物理及材料科学类课程情况调查[J]. 电气电子教学学报, 2009,31: 24-26.
[107]郝正同, 杨子义, 谢泉. 新型半导体材料 BaSi₂ 的研究进展[J]. 材料导报, 2009,23(19): 28-31.
[108]高廷红, 刘让苏, 周丽丽, 等. 液态 Ca₇Mg₃ 合金快速凝固过程中团簇结构的形成特性[J]. 物理化学学报, 2009,25(10): 2093-2100. （SCI、EI）
[109]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 等. Si (001) 面上外延生长的 Ru₂Si₃ 电子结构及光学性质研究[J]. 光学学报, 2009,29(11): 3152-3156. （EI）
[110]崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 等. Ru₂Si₃ 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学: G 辑, 2009,39(10): 1431-1438.
[111]陈茜, 谢泉, 杨创华, 等. 掺杂 Mg₂Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 光学学报, 2009,29(1): 229-235. （EI）
[112]张晋敏, 谢泉, 余平, 等. 激光扫描磁控溅射Fe/Si膜直接形成α-FeSi₂[J]. 功能材料, 2008,39(7): 1087-1090. （EI）
[113]张晋敏, 谢泉, 梁艳, 等. 溅射参数对Fe-Si化合物的相形成及结构的影响[J]. 四川师范大学学报:自然科学版, 2008,31(5): 593-596.
[114]张晋敏, 谢泉, 梁艳, 等. Fe/Si 薄膜中硅化物的形成和氧化[J]. 材料研究学报, 2008,22(3): 297-302. （EI）
[115]闫万珺, 谢泉. 掺杂 β-FeSi₂ 的电子结构及光学性质的第一性原理研究[J]. 半导体学报, 2008,29(6): 1141-1146. （EI）
[116]肖清泉, 谢泉, 杨吟野, 等. 环境半导体材料Ca₂Si的电子结构研究[J]. 海南师范大学学报, 2008,21(2): 148-152.
[117]肖清泉, 谢泉, 杨吟野, 等. 环境半导体Ca₂Si薄膜制备及椭偏光谱研究[J]. 湖南工程学院学报：自然科学版, 2008,18(4): 37-39.
[118]崔冬萌, 任雪勇, 谢泉, 等. 环境友好半导体 Ca₂Si 晶体生长及其性能研究[J]. 吉林大学学报: 信息科学版, 2008,26(5): 459-464.
[119]陈茜, 谢泉, 闫万珺, 等. Mg₂Si 电子结构及光学性质的第一性原理计算[J]. 中国科学 G 辑, 2008,38(7): 825-833.
[120]朱林山, 金石声, 苟富均, 等. 低能入射Si与Si(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟[J]. 半导体学报, 2007,28(11): 1748-1755. （EI）
[121]周士芸, 谢泉, 闫万珺, 等. CrSi₂ 能带结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 功能材料, 2007,38(A1): 379-383
[122]杨创华, 谢泉, 赵凤娟, 等. Ca₂Si电子结构和光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4124-4128
[123]闫万珺, 谢泉, 张晋敏, 等. 铁硅化合物β-FeSi₂带间光学跃迁的理论研究[J]. 半导体学报, 2007,28(9): 1381-1387. （EI）
[124]闫万珺, 谢泉, 杨创华, 等. Fe_{0. 875}Mn_{0. 125}Si₂ 的几何结构与电子结构的第一性原理研究[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 376-378.
[125]谢泉. 纳米硅化物环境友好半导体材料的研究进展[J]. 功能材料信息, 2007,5(5): 11.
[126]任雪勇, 谢泉, 杨吟野, 等. 溅射功率对Ca₂Si薄膜性质的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A04): 1519-1521.
[127]梁艳, 谢泉, 曾武贤, 等. 退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi₂薄膜的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 373-375.
[128]金石声, 朱林山, 苟富均, 等. 低能 He⁺, Ar⁺, Xe⁺ 轰击 SiC 的蒙特卡诺模拟[J]. 功能材料, 2007,38(10): 1590-1593. （EI）
[129]陈茜, 谢泉, 闫万珺, 等. Mg₂Si 电子结构及光学性质的研究[J]. 功能材料, 2007,38(A10): 4119-4123.
[130]曾武贤, 谢泉, 梁艳, 等. 不同溅射气压对β-FeSi₂形成的影响[J]. 功能材料, 2007,38(A01): 367-369.
[131]闫万珺, 谢泉, 朱林山, 等. 固体能带计算方法[J]. 贵州大学学报: 自然科学版, 2006,23(1): 68-72.
[132]罗胜耘, 谢泉, 张晋敏, 等. 热处理对环境半导体材料β-FeSi₂形成的影响[J]. 贵州大学学报：自然科学版, 2006,23(1): 81-85.
[133]谢泉, 罗姣莲, K. Yamada, K. Miyake. Ni_1-xMn_x（0.2＜x＜0.3）在强磁场中的GNR特性研究. 第十二届全国凝聚态物质光学性质学术会议论文（摘要）集, 2004, P245.
[134]K.Yamada, K. Miyake, Z. Honda, Q. Xie. Magneto-transport study of beta-Fe-Si alloy system in pulsed high fields up to 30T，The 8th IUMRS Int. Conf. on Advanced Materials ，Oct. 8-13, 2003, Yokohama, Japan.(SCI).
[135]K. Yamada, T. Okazaki, Y. Sakisaka, Z. Honda,K. Miyake,Q. Xie, Designed iant magnetoresistances of Ni-Mn and Fe-Si alloy syetem in high fields up to 30T. ISEF 2003 –11th International Symposium on Electromagnetic Fields in Electrical Engineering Maribor,Slovenia, September 18-20,2003，(SCI).
[136]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆, 罗姣莲. 炭黑/硅橡胶复合型导电橡胶的导电特性[J]. 湖南大学学报, 2002, 29(2):68-73.
[137]谢泉, 侯立松, 干福熹, 阮昊, 李晶, 李进延. 溅射气压对Ge₂Sb₂Te₅薄膜光学常数的影响[J]. 光学学报, 2001, 21(3):313-316.(EI)
[138]Zheng Caixing, Liu Rangsu, Dong Kejun, Peng Ping, Liu Hairong, Xu Zhongyu, Xie Quan. Simulation study on transition mechanisms of microstructures during forming processses of amorphous metals , Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 11(1): (SCI).
[139]谢泉, 罗姣莲, 干福熹. 复合型导电硅橡胶的电阻温度特性研究[J].物理学报, 2000, 49(6):1191-1195. SCI.
[140]谢泉, 侯立松, 阮昊, 干福熹, 李晶. 溅射参数对Ge₂Sb₂Te₅薄膜光学常数的影响[J]. 半导体学报,2001, 22(2):187-192. (EI)
[141]Li Jing, Gan Fuxi, Gu Zhengtian, Xie Quan, Ruan Hao, Liang Peihui. Determination of optical parameters of GeTe semiconductor films after thermal treatment. Optical Materials, 2000, 14: 337-343, (SCI).
[142]Xie Quan, Hou Lisong, Ruan Hao, Li Jing, Li Jinyan, Gan Fuxi. Effect of thermaltreatment on the optical constants of Ge:Sb:Te system, Proc. OfSPIE, 2000, 4085:117 . (SCI)
[143]Xie Quan, Hou Lisong, Ruan Hao, Li Jinyan, Li Jing, Gan Fuxi, Effect of preparation parameters on the optical constants of Ge₂Sb₂Te₅ thinfilm， Proc.OfSPIE, 2000, 4085:112. (SCI)
[144]谢泉, 罗姣莲, 干福熹, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 炭黑填充复合型导电硅橡胶的导电机理研究及电阻率计算[J]，长沙交通学院学报，2000, 16(3):4-7.
[145]谢泉, 侯立松, 干福熹, 阮昊, 李晶, 李进延. 溅射功率对Ge₂Sb₂Te₅薄膜光学常数的影响[J]. 材料研究学报, 2000,10:501-504.
[146]李晶, 顾铮先, 干福熹, 谢泉, 阮昊, 梁培辉. 不同热处理的GeTe薄膜的光学参数测量[J]. 光学学报, 2000,8:1128-1133.
[147]谢泉, 罗姣莲, 刘让苏, 彭平, 王理. 磁敏导电硅橡胶的特性及机理[J]. 材料研究学报, 1999, 13(6):670-672.
[148]谢泉, 罗姣莲, 黄宏伟, 干福熹. 填充粒子对复合型导电硅橡胶电阻温度特性的影响[J]. 功能高分子学报, 1999, 12(4):414-418.
[149]Li Jinyan, Hou Lisong, Ruan Hao, Xie Quan, Gan Fuxi. Effects of sputtering parameters on the optical properties of AgInSbTe phase-change films. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):125. (SCI)
[150]Li Jiyong, Zhou Zheng, Liu Rangsu, Xie Quan, Peng Ping. Microstructural Transitions During the Rapid Cooling Process of Liquid Metal Al, J. Mater. Sci. Technol. 1998, 14(5):461. (SCI)
[151]Liu Rangsu, Li Jiyong, Zhou Zheng, Dong Kejun, Peng Ping, Xie Quan, Zheng Caixing, Stability of Microstructures During Cooling Processes of Al Liquid Metal. Trans. Nonferrous. Met.Soc. China, 1998, 8(4): (SCI)
[152]Liu Rangsu, Li Jiyong, Zhou Zheng, Dong Kejun, Peng Ping, Xie Quan. The High-temperature Properties of Microstructure Transitions in Liquid Metal Al, Mater. Sci. Eng. 1999, B57: 214. (SCI)
[153]Li Qinghui, Hou Lisong, Li Jinyan, Xie Quan, Gan Fuxi, Optical properties and static optical recording performance of (AgInSbTe)_1-xO_x films using short-wavelength laser. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):133. (SCI)
[154]Li Jinyan, Hou Lisong, Ruan Hao, Xie Quan, Gan Fuxi, Effects of film thickness on the optical properties of AgInSbTe phase change films. Proc. Of SPIE, 2000, 4085(5):129. (SCI)
[155]彭平, 刘让苏, 谢泉, 徐仲榆. 退火处理对快凝Ni-Si-B 非晶合金电阻温度特性的影响[J]. 材料科学与工艺, 1999, 4: 36.
[156]谢泉, 罗姣莲, 干福熹. 自然老化对导电硅橡胶电阻特性的影响[J]. 合成橡胶工业, 1999, 22(5):291-293.
[157]谢泉, 罗姣莲, 干福熹. 温度对导电硅橡胶电阻特性的影响[J]. 特种橡胶制品,1999, 20(6):13-16.
[158]谢泉, 罗姣莲, 干福熹. 自然老化对导电硅橡胶线性特性的影响[J].合成橡胶工业, 2000, 21(1):41-43.
[159]谢泉, 侯立松, 干福熹. 信息技术的支柱-光存储[J]. 衡阳师范学院学报, 1999, 20(6):1-8.
[160]彭平, 刘让苏, 徐仲榆, 苏玉长, 谢泉. 热处理对快凝Ni₇₄Si₁₀B₁₆ 非晶合金热稳定性的影响[J]. 功能材料,1999, 30(3):281-282. (EI)
[161]李基永, 刘让苏, 周征, 谢泉, 彭平. 液态金属的初始状态对凝固微结构影响的模拟研究[J]. 原子与分子物理学报, 1998, 15(2):193-197.
[162]彭平, 刘让苏, 徐仲榆, 易双萍, 周征,谢泉,李基永. 快速凝固Cu_70.5Al_26.8Ni_2.7带壮合金及其形状记忆特性[J]. 1999, 7(3):80-82.
[163]李基永, 刘让苏, 周征, 谢泉, 彭平. 液态金属及其凝固过程的微观结构转变特性研究. 96年中国材料研讨会材料设计与加工, Proceedings of C-MRS.
[164]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平, 张友玉. 石墨、炭黑及白炭黑在橡胶中的微结构分析[J]. 电子显微学报, 1998, 17(2):172-175.
[165]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平. 白炭黑对导电硅橡胶的线性及电阻特性的影响[J]. 材料研究学报, 1997, 11,(5):559-560.
[166]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平. 白炭黑和炭黑含量对导电硅橡胶拉敏特性影响的研究[J]. 高分子材料科学与工程, 1998, 14(1):94-97.
[167]谢泉, 刘让苏, 彭平. Ni-Si-B系非晶合金的结晶度与退火温度关系的研究[J].湖南大学学报, 1995, 22(3):42-46. 俄文文摘、化学文摘收录.
[168]Peng Ping, Liu Rang-su, Xie Quan. The effect of high content of metalloid on resistivity and temperature coefficient of resistivity of amorphous TM-Malloys,MaterialsScience＆ Engineering B, 1996, B38:62-64，(SCI)
[169]Peng Ping, Liu Rang-su, Xie Quan. A Method for estimating total effective conducting electron numbers ofamorphous TM-M alloys with high metalloid content, MaterialsScience＆ Engineering B, 1996, B41:258. (SCI)
[170]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金总有效传导电子数的估算[J]. 中国有色金属学报,1997, 7(1):80-83,化学文摘收录.
[171]李基永, 刘让苏, 周征, 谢泉, 彭平. 液态金属铝及其凝固过程的微观结构转变特性[J]. 中国有色金属学报,1997, 7(3):81. (SCI)
[172]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金的电阻温度特性[J]. 材料研究学报, 1995, 9(5):395-398.
[173]谢泉, 刘让苏, 徐仲榆, 彭平, 陈林. 导电硅橡胶的拉敏特性及导电机理研究[J]. 特种橡胶制品,1996, 17(5):1-5.
[174]谢泉, 刘让苏, 彭平. Ni-Si-B系非晶合金的结晶度与退火时间的关系[J].湖南大学学报,1997, 24(2):14-16. 化学文摘收录.
[175]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 导电硅橡胶的线性电阻特性研究[J]. 湖南大学学报, 1996, 23(4): 22-24.
[176]谢泉, 刘让苏, 彭平, 赵玉华, 徐仲榆. 白炭黑对导电硅橡胶拉敏特性的影响[J]. 合成橡胶工业, 1996, 19(4):229-231.化学文摘收录.
[177]谢泉. 改进专业限选课教学方法[J].高等教育研究,1996,(1): 43.
[178]刘让苏, 彭平, 谢泉, 赵钦球. 高类金属含量非晶态合金的晶化温度研究[J]. 材料科学与工艺, 1994, 2(2):10-13.
[179]彭平, 刘让苏, 谢泉, 朱正华. 非晶态Ni₇₂Si₁₅B₁₃合金电阻随拉应变可逆变化的区域[J]. 功能材料,1995, 26(5):459-461.(EI)
[180]彭平, 刘让苏, 谢泉, 薛开武. B原子浓度对非晶态Ni-Si-B 系合金电阻应变系数的影响.[J] 湖南大学学报, 1996, 23(4):25-28.
[181]彭平, 刘让苏, 谢泉. B含量对非晶态Ni_72-XSi₁₅B_13+x（x=0, 2, 4, 6, 8）合金脆化温度的影响[J]. 材料科学与工艺, 1996, 4(3):20-24.
[182]彭平, 刘让苏, 谢泉. 高类金属含量Ni基非晶态合金总有效传导电子数的估算及应用[J]. 材料科学与工艺, 1996, 4(4):112-115. (EI)
[183]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 自然老化对导电硅橡胶电特性的影响. 96年中国材料研讨会, Proceedings of C-MRS.
[184]谢泉, 刘让苏, 彭平, 徐仲榆. 自然老化对导电硅橡胶的线性特性的影响.96年中国材料研讨会, Proceedings of C-MRS.等。
授权专利：
1、谢泉，张晋敏，肖清泉，梁艳，曾武贤，王衍，马道京. 制备Cr掺杂b-FeSi₂薄膜的工艺方法. 发明授权专利号：ZL 2010 1 **.3. 授权时间：2012年4月25日，IPC分类号：C23C14/35，C23C14/02，C23C14/16；
2、谢泉，肖清泉，张晋敏，陈茜，余志强，赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg₂Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 发明授权专利号：ZL 2010 1 **.2. 授权时间：2012年7月4日，IPC分类号：C23C14/35，C23C14/58，C23C14/06
3、谢泉，肖清泉，余宏，陈茜，张晋敏. 一种单一相Mg₂Si半导体薄膜的制备工艺. 国家发明授权专利号：ZL 2012 1 **.7. 授权时间：2015年3月11日.
4、谢泉，廖杨芳，张宝晖，杨云良，肖清泉，梁枫，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予. 一种红外探测器，实用新型专利号：ZL 2015 2 **.3. 授权时间：2015年5月13日.
5、谢泉，廖杨芳，杨云良，肖清泉，张宝晖，梁枫，王善兰，吴宏仙，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予，一种发光二极管，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 **.7,授权日：2015年11月4日
6、谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红，杀虫灯，外观设计专利，证书号：ZL 2015 3 **.1，授权日：2015年9月30日
7、 谢泉;陈侃;肖淸泉;徐志勇;张忠民;郭笑天;庞雪;邵鹏;陈茜;高廷红；一种杀虫灯，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 **.2，授权日：2015年10月7日
8、谢泉，廖杨芳，吴宏仙，房迪，王善兰，刘小军，梁枫，肖清泉，张晋敏，陈茜，马瑞，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予，一种智能车位锁，实用新型专利，证书号：ZL 2015 2 **.8，授权日：2016年5月25日