个人简介


姓名：刘雪飞
职称职务：副教授
人才称号：
学院部门：物理与电子科学学院 电信系
办公电话：**
邮 箱：@gznu.edu.cn
学习经历
博 士：2016年-2020年，贵州大学，微电子学与固体电子学专业
硕 士：2010年-2013年，贵州大学，微电子学与固体电子学专业
本 科：2006年-2010年，贵州大学，电子科学与技术专业
工作经历
2013年至今，物理与电子科学学院，贵州师范大学
研究方向
1、低维半导体材料第一性原理计算
2、电路与系统
教学成果
主教课程：《EDA 技术》，《电子系统设计》，《固体物理》
教改论文
[1] 刘雪飞,刘万松.提高电子类专业学生动手能力浅析[J].才智,2018(06):95.
教改项目
[1] 电子系统设计与创新能力培养课程教学体系的研究与实践
[2] 以电子设计大赛为依托的创新创业教育模式探索
指导学生情况
从2013年至今，持续指导学生参加电子设计竞赛，获得省级一等奖、二等奖、三等奖 20余人次以上，指导本科生发表省级以上学术论文5篇，指导本科生完成大学生创新基金项目1项。
科研成果
1、学术论文
[1] Xuefei, L. X.; Gao, Z.; Wang, V.; Luo, Z.; Lv, B.; Ding, Z.; Zhang, Z. Extrapolated Defect Transition Level in Two-Dimensional Materials: The Case of Charged Native Point Defects in Monolayer Hexagonal Boron Nitride. ACS Appl Mater Interfaces. 2020.
[2] Xuefei, L.; Zhang, Z.; Luo, Z.; Lv, B.; Ding, Z. Tunable Electronic Properties of Graphene/g-AlN Heterostructure: The Effect of Vacancy and Strain Engineering. Nanomaterials 2019, 9 (12), 1674.
[3] Xuefei, L.; Luo, Z.-J.; Zhou, X.; Wei, J.-M.; Wang, Y.; Guo, X.; Lv, B.; Ding, Z. Structural, mechanical, and electronic properties of 25 kinds of III–V binary monolayers: A computational study with first-principles calculation. Chin. Phys. B 2019, 28 (8), 08610.
[4] Xuefei, L.; ZiJiang, L.; Xun, Z.; JieMin, W.; Yi, W.; Xiang, G.; QiZhi, L.; Zhao, D. Calculation of electronic and optical properties of surface In_xGa_1?xP and indium-gradient structure on GaP (0?0?1). Computational Materials Science 2018, 153, 356-362.
[5] Xuefei, L; Luo, Z.; Zhou, X.; Wei, J.; Wang, Y.; Guo, X.; Lang, Q.; Ding, Z. Theoretical study of stress and strain distribution in coupled pyramidal InAs quantum dots embedded in GaAs by finite element method. The European Physical Journal B 2019, 92 (7), 138.
[6] Xuefei, L.; Zhao, D.; ZiJiang, L.; Xun, Z.; JieMin, W.; Yi, W.; Xiang, G.; QiZhi, L. Theoretical study on the electronic and optical properties of bulk and surface (001) In_xGa_1-xAs. Physica B: Condensed Matter 2018, 537, 68-76.
[7] Xuefei, L, ZiJiang, L. Exploration of n- and p-type doping for two-dimensional gallium nitride: Charged defect calculation with first principles [J]. The European Physical Journal B, 2020.
[8] Zijiang L., Xing Y. Xuefei, L. The mechanical properties and strain effect on the electronic properties of III-nitride monolayers: ab-initio study [J]. Materials Research Express, 2019, 6(11): 115915. (通讯).
[9] 刘雪飞; 罗子江; 周勋 等. 不同In组分对In_xGa_1-xAs物理性质影响的研究. 功能材料[J] 2018, 49, 05145.
[10] 刘雪飞; 罗子江; 周勋. 16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究. 功能材料 2018, 49, 08178.
[11] 刘雪飞, 丁召, 郝红蕾, 程刚, 刘娇, 杨发顺.一种降压型DC-DC变换器动态斜坡补偿电路的设计.微电子学.[J] 2013, 43, 206.
[12] 王一, 杨晨, 郭祥,刘雪飞. Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析 [J]. 物理学报, 2018, 67(08).
2、专利及著作权
3、教材、专著
科研项目
1.多层InGaAs 量子点均匀有序化生长及其光学性质研究 省级 (Grant No. 7341)。
获奖情况
2017 年度获得本科教学质量奖，2018,2019年度获电子设计大赛优秀指导教师奖。