杨吟野，1969年9月生，九三学社社员、博士、教授、硕士生导师、贵州民族大学研究生院副院长。

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学历：
1987年9月-1991年7月：哈尔滨工业大学应用物理系应用物理专业，获学士学位；
2005年9月-2009年7月：贵州大学微电子学与固体电子学专业，获博士学位。
工作经历：
1991年7月-1994年12月：新天精密光学仪器厂，施工员；
1994年12月至今：贵州民族大学，教师。
期间：
2000年3月-2001年1月：清华大学膜生物物理国家重点实验室，访问****；
2012年3月-2013年7月：华南理工大学研究生院，院长助理（挂职）；
2013年9月-2014年10月：六盘水市教育局，副局长（挂职）。

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贵州民族大学物理学一级学科带头人。

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近五年主持的科研项目：
1.贵阳市科学技术基金《Ca-Si化合物中直接迁移型环境半导体材料的制备（筑科合同[**]5-12号》；
2.贵州省科学技术联合基金《Si基上直接制备直接迁移型Ca₂Si或Ca₅Si₃膜的工艺研究（黔科合J字LKM[2011]30号）》；
3.贵州省优秀科技教育人才省长专项资金《环境半导体材料Ca₅Si₃膜的制备及长时间退火对高挥性元素Ca形成Ca₅Si₃的影响（黔省专合字[2011]74号）》；
4.教育部科学技术研究重点项目《Si基上直接制备直接迁移型Ca₂Si或Ca₅Si₃膜的工艺研究（210200）》。
近五年以通讯作者发表的文章：
1. The effect of (110) strain on the Energy band structure and Optical properties of the simple orthorhombic Ca₂P_0.25Si_0.75bulk [J]. Journal of Alloys and Compounds, 2014, 629: 284-289.（SCI收录）
2. P掺杂正交相Ca₂Si能带结构及光学性质的第一性原理计算[J].光子学报, 2014, 43(8): **(1-5).（EI收录）
3. Ca₂P_xSi_1-x能带结构及光学性质的第一性原理计算[J].固体电子学研究与进展, 2014, 34(03): 249-255.（中文核心期刊）
4. (100)应变对立方相Ca₂P_0.25Si_0.75能带结构及光学性质的影响[J].激光与光电子学进展, 2014, 51(09): 091603(1-7).（中文核心期刊）
5. (100)应变对立方相Ca₂P_0.25Si_0.75能带结构及光学性质的影响[J].半导体技术, 2014, 39(09): 707-713.（中文核心期刊）
6. (100)应变对正交相Ca₂P_0.25Si_0.75能带结构及光学性质的影响[J].信息记录材料, 2014, 15(03): 30-36.（中文核心期刊）
7. Selective Growth of Ca₂Si Film in Ca-Si System by R.F MS by Annealing. IEEE-3M-NANO, 2012（9）：75-79(SCI收录)
8. Ca₂Si Crystal Grown Selectively by the Low Temperature Annealing, Applied Mechanics and Materials, 2011（27）：2583(EI收录)
9. (111)应变对正交相Ca₂P_0.25Si_0.75能带结构及光学性质影响的理论研究[J]，分子科学学报，2015，Vol.31N：101-107
近五年申报的专利有：
1.一种硅化钙制备加热系统的数字开环式温度补偿装置（实用新型专利号：ZL2.7），第一申请人；
2.一种硅化钙制备加热系统的模拟闭环式温度补偿装置（实用新型专利号：ZL0.9），第一申请人；
3.一种对称单变换型射频功率放大器（实用新型专利号：ZL 7.8），第二申请人；
4.一种集成对称型射频功率放大器（实用新型专利号：ZL 0.X），第二申请人。