余志强
姓名： 余志强
性别： 男
出生日期： 1982-07
政治面貌： 中共党员
民族： 汉族
籍贯： 湖北省/黄冈市
导师类别： 学术学位（硕）;专业学位（硕）
职称： 副教授
电子邮箱： zhiqiangyu@gxust.edu.cn
邮政编码： 545006
通讯地址： 广西柳州市城中区东环大道268号广西科技大学
招生类型： 两种类型均可
所在学院： 电气与信息工程学院
最高学历： 博士毕业
研究方向： 信息存储材料与器件、人工智能与混沌控制技术

招生专业
院系名称： 电气与信息工程学院
招生级别： 硕士
学位类型： 专业学位
学科门类： 工学
一级学科： 机械
专业名称： 机械

院系名称： 电气与信息工程学院
招生级别： 硕士
学位类型： 学术学位
学科门类： 工学
一级学科： 控制科学与工程
专业名称： 控制科学与工程
招生人数： 2



个人简介
个人简介： 余志强，男，中共党员，工学博士，1982年7月生，湖北黄冈人。柳州市高层次专业人才，广西科技大学控制科学与工程学科硕士研究生导师。 华中科技大学微电子学与固体电子学(国家重点学科)专业工学博士，研究方向为信息存储材料与器件、人工智能与混沌控制。 近年来，本人主持的基金和研究课题共5项(其中省部级项目1项、地厅级项目3项)，申请国家发明专利2项，发表研究论文30余篇，其中SCI收录论文19篇(第一作者SCI收录论文11篇，国际Top期刊论文4篇)，EI收录论文24篇。


教育背景
毕业院校： 华中科技大学
毕业时间： 2017-09
毕业专业： 微电子学与固体电子学
获得学位： 工学博士


代表著作
题目： 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析
刊物或出版社： 物理学报
本人排名： 第一名
发表时间： 2009-06
影响因子： 1.2
发表期刊号： 2009, 58(8): 5318~5322.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCIE

题目： Mg2Si晶体结构及消光特性的研究
刊物或出版社： 物理学报
本人排名： 第一名
发表时间： 2009-02
影响因子： 1.2
发表期刊号： 2009, 58(10): 6889~6893.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCIE

题目： 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析
刊物或出版社： 光谱学与光谱分析
本人排名： 第一名
发表时间： 2010-07
影响因子： 1.0
发表期刊号： 2010, 30(4): 1136~1140.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCIE

题目： 狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响
刊物或出版社： 物理学报
本人排名： 第一名
发表时间： 2010-02
影响因子： 1.2
发表期刊号： 2010, 59(2): 925~931.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCIE

题目： 硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究
刊物或出版社： 物理学报
本人排名： 第一名
发表时间： 2012-03
影响因子： 1.2
发表期刊号： 2012, 61(21): 217102.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCIE

题目： Te掺杂单层MoS2的电子结构与光电性质
刊物或出版社： 发光学报
本人排名： 第二名
发表时间： 2014-06
发表期刊号： 2014, 35(7): 785~790.
是否通讯作者： 是
是否第一作者： 否
收录情况： EI

题目： P掺杂硅纳米管电子结构与光学性质的研究
刊物或出版社： 物理学报
本人排名： 第一名
发表时间： 2014-06
影响因子： 1.2
发表期刊号： 2014, 63(6): 067102.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCIE

题目： Electronic structure and optical properties of MgxZn1-xS bulk crystal using first-principles calculations
刊物或出版社： Chinese Physics B
本人排名： 第一名
发表时间： 2014-07
影响因子： 1.5
发表期刊号： 2014, 23(10): 107102.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCI三区

题目： 碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响
刊物或出版社： 无机材料学报
本人排名： 第一名
发表时间： 2015-06
影响因子： 1.1
发表期刊号： 2015, 30(3): 233~239.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCIE

题目： A facile hydrothermal synthesis and memristive switching performance of rutile TiO2 nanowire arrays
刊物或出版社： Journal of Alloys and Compounds
本人排名： 第一名
发表时间： 2016-12
影响因子： 4.2
发表期刊号： 2016, 688: 37~43
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCI一区

题目： Hydrothermal synthesis and memristive switching behaviors of single-crystalline anatase TiO2 nanowire arrays
刊物或出版社： Journal of Alloys and Compounds
本人排名： 第一名
发表时间： 2016-12
影响因子： 4.2
发表期刊号： 2016, 688: 294~300.
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCI一区

题目： 基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究
刊物或出版社： 物理学报
本人排名： 第一名
发表时间： 2018-08
影响因子： 1.2
发表期刊号： 2018, 67(15): 157302
是否通讯作者： 否
是否第一作者： 是
收录情况： SCIE


目前承担科研课题情况
项目名称： 高密度、低功耗TiO2忆阻器的制备及其关键技术研究
项目来源： 省（自治区、直辖市）级科技项目
项目级别： 省部级项目
本人排名： 课题负责人
本人可支配经费（万）： 24
项目起止时间： 2019-06;2022-05
项目状态： 在研

项目名称： TiO2忆阻器的制备及阻变存储机制研究
项目来源： 省教育厅项目
项目级别： 厅级项目
本人排名： 课题负责人
本人可支配经费（万）： 3
项目起止时间： 2019-04;2021-03
项目状态： 在研

项目名称： TiO2纳米线忆阻器的制备及其阻变开关特性研究
项目来源： 省教育厅项目
项目级别： 厅级项目
本人排名： 课题负责人
本人可支配经费（万）： 2
项目起止时间： 2018-01;2020-01
项目状态： 在研

项目名称： 氧化物忆阻器的制备及其性能研究
项目来源： 校级重大项目
项目级别： 学校级项目
本人排名： 课题负责人
本人可支配经费（万）： 100
项目起止时间： 2019-02;2014-02
项目状态： 在研

项目名称： 环境友好半导体薄膜Mg2Si的制备及其热电器件研究
项目来源： 省教育厅项目
项目级别： 厅级项目
本人排名： 课题负责人
本人可支配经费（万）： 2
项目起止时间： 2012-01;2014-12
项目状态： 结题