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理学
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林涛
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副教授
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taolin@gxu.edu.cn
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广西南宁市大学东路100号
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硕士研究生导师
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物理科学与工程技术学院
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2003年9月——2007年6月，本科毕业于南京大学物理学院；2007年9月——2011年9月，南京大学物理学院，固体微结构国家重点实验室，硕士直接攻读博士研究生；2011年10月——2013年10月，美国纽约州立大学布法罗分校（University at Buffalo (SUNY)）化学与生物工程系，国家公派联合培养博士； 2013年11月——2014年3月，南京大学物理学院，固体微结构国家重点实验室，获工学博士学位。 2014年5月——2019年5月，广西大学物理科学与工程技术学院，讲师。2019年6月——目前，广西大学物理科学与工程技术学院，副教授。
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本科：《电磁场与电磁波》、《光电检测技术》研究生：《电磁场理论》、《微波技术与天线》、《光电传感与检测技术》
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1. 胶态纳米半导体材料的制备、微结构表征、光电性能分析与原理性器件构造。包括i) Si、ii) ZnO或SnO2半导体氧化物、iii) CuS/Se、iv)铅卤钙钛矿胶态量子点的制备、掺杂调控、表征及其在发光二极管、薄膜光伏/光探测器件上的应用；超重掺杂Si量子点、自掺杂Cu2-xS/Se量子点的SPPs效应。2. III-V族GaN基荧光材料、蓝光/紫外光发光二极管原理性器件的微结构表征、光电性能分析。包括i) 可见光InGaN/GaN多层量子阱LED的构造与效率分析、2) 深紫外AlGaN/GaN多层量子阱LED的构造与效率分析。3. 稀土掺杂玻璃荧光材料的制备、微结构表征、光电性能分析与原理性器件构造。包括稀土离子与半导体氧化物共掺杂SiO2/TiO2光致荧光材料及电致荧光器件制备与性能分析。
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主持：自掺杂硫化亚铜纳米晶体等离激元效应及其在CIGS薄膜太阳能电池中的应用研究国家自然科学基金 ** 2016.01-2018.12 21.5万元胶态化合物纳米晶体CZTSSe 薄膜太阳能电池研究广西自然科学基金 2015GXNSFCA139007 2015.09-2018.08 10万元
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[1]H. Liu, T. Lin*, L. Wan, G. Xu, H.-C. Kuo, and Z. C. Feng*, \"Modelling of microcavity effect in InGaN/GaN heterostructures for interfacial study\", Materials Research Express, 5(8), 086201 (2018).[2]T. Lin, Z. Y. Zhou, Y. M. Huang, K. Yang, B. J. Zhang, and Z. C. Feng*, \"Strain-Controlled Recombination in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on Silicon Substrates\", Nanoscale Research Letters, 13(1), 243 (2018).[3]T. Lin, F. Wang, C.-H. Cheng, S. Chen, Z. C. Feng*, and G.-R. Lin*, \"Strain-related recombination mechanisms in polar InGaN/GaN MQWs on amorphous SixC1-x buffers\", Optical Materials Express, 8(5), 1100-1106 (2018).[4]X. W. Zhang, T. Lin, P. Zhang, H. C. Song, H. Jin, J. Xu*, J. Xu, P. J. Wang*, K. Y. Niu, and K. J. Chen, \"Tunable quantum dot arrays as efficient sensitizers for enhanced near-infrared electroluminescence of erbium ions\", Nanoscale, 10(8), 4138-4146 (2018).[5]T. Lin, H. C. Kuo, X. D. Jiang, and Z. C. Feng*, \"Recombination Pathways in Green InGaN/GaN Multiple Quantum Wells\", Nanoscale Research Letters, 12(1), 137 (2017).[6]T. Lin, Z. R. Qiu, J.-R. Yang, L. W. Ding, Y. h. Gao, and Z. C. Feng*, \"Investigation of photoluminescence dynamics in InGaN/GaN multiple quantum wells\", Materials Letters, 173, 170-173 (2016).[7]T. Lin#, X. Liu#, B. Zhou, Z. Zhan, A. N. Cartwright, and M. T. Swihart*, \"A Solution-Processed UV-Sensitive Photodiode Produced Using a New Silicon Nanocrystal Ink\", Advanced Functional Materials, 24(38), 6016-6022 (2014).[8]T. Lin, X. Zhang, J. Xu*, X. Liu, M. T. Swihart, L. Xu, and K. Chen, \"Strong energy-transfer-induced enhancement of Er3+ luminescence in In2O3 nanocrystal codoped silica films\", Applied Physics Letters, 103(18), - (2013).[9]F. Erogbogbo, T. Lin, P. M. Tucciarone, K. M. LaJoie, L. Lai, G. D. Patki, P. N. Prasad*, and M. T. Swihart*, \"On-Demand Hydrogen Generation using Nanosilicon: Splitting Water without Light, Heat, or Electricity\", Nano Letters, 13(2), 451-456 (2013).[10]T. Lin, X. Zhang, Y. Wang, J. Xu*, N. Wan, J. Liu, L. Xu, and K. Chen, \"Luminescence enhancement due to energy transfer in ZnO nanoparticles and Eu3+ ions co-doped silica\", Thin Solid Films, 520(17), 5815-5819 (2012).[11]T. Lin, X. Ding, J. Xu*, N. Wan, L. Xu, and K. Chen, \"Influences of doping and annealing conditions on the photoluminescence from In2O3 nanocrystals and Eu3+ ions co-doped sol-gel SiO2 films\", Journal of Applied Physics, 109(8), 083512 (2011).[12]T. Lin, N. Wan, J. Xu*, L. Xu, and K. Chen, \"Size-dependent optical properties of SnO2 nanoparticles prepared by soft chemical technique\", Journal of nanoscience and nanotechnology, 10(7), 4357-4362 (2010).
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