姓名： 李海鸥
教授 男 桂林电子科技大学 信息与通信学院 邮箱:lihaiou@guet.edu.cn





研究领域微波集成电路设计、新型微波器件、功率器件、微波光子、薄膜器件
个人简介

湖南娄底人，工学博士，教授，博士生导师，教育部 “新世纪优秀人才支持计划”人选、广西“新世纪十百千人才工程第二层次”人选、广西“****基金”获得者、入选桂林电子科技大学首届“英才计划”。1997年7月毕业于湖南大学电气系，专业电子工程。2003年4月毕业于湖南大学信息与工程学院，专业电工理论与新技术，获工学硕士学位。2006年5月毕业于中国科学院微电子研究所，专业微电子学与固体电子学，获工学博士学位。2006.6~2010.12期间在香港科技大学首席教授KeiMay Luo实验室（PTC）做博士后（第一站）；2011.12-2015.5期间中国电子科技集团58所于宗光首席专家团队做博士后（第二站）；2014.9-2015.9美国普渡大学Prof.Ye 团队做访问****。2010年12月至今，任教桂林电子科技大学信息与通信学院。近五年主持国家/省部级等项目19项，其中包括国家自然科学基金面上项目两项、广西****自然科学基金1项、教育部新世纪优秀人才项目1项、广西自然基金（重点）1项等，科研总经费约600多万。在国内外学术刊物上发表研究论文50多篇，以第一作者或通讯作者发表SCI检索论文16篇，包括微电子学顶级刊物IEEE Electron Device Letters发表论文3篇。授权国家发明专利8项。出版专著《射频/微波功率新型器件导论》1部（第二），获得广西自然科学二等奖1项（排名第一），中国电子科技集团技术发明二等奖1项（排名第三）。
教育背景

1997.7 毕业于湖南大学，电子工程专业，大学；
2003.4 毕业于湖南大学，电工理论与新技术，硕士；
2006.6 毕业于中科院微电子研究所，微电子学与固体电子学，博士；
2006-6-2010.12 香港科技大学，电子与计算机工程系，博士后（第一站）；
2011.12-2014.12 中国电子科技集团58所，博士后（第二站）；
2014.9-2015.9 美国普渡大学，访问****
工作经历

1、1997.09–2000.07 深圳华为技术有限公司 技术员；
2、 2006.06–2010.12 香港科技大学电子与计算机工程系 博士后（第一站）
3、 2010.12–至今 桂林电子科技大学信息与通信学院 教授
4、 2011.12–2015.01 中国电子科技集团58所 博士后（第二站）
主要荣誉

1、2006年入选“香港内地人才输入计划”；
2、2013年教育部“新世纪优秀人才支持计划”入选者；
3、2013年广西“****基金”获得者；
4、2014年为桂林电子科技大学学术带头人；
5、2015年广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选；
6、2017年桂林电子科技大学首届“英才计划”人选；
7、2018年广西区优秀专家人选。
学术活动

教学信息

部分论文(*通讯作者)

（1）Haiou Li（李海鸥）, Yue Li, Gongli Xiao, Xi Gao, Qi Li, Yonghe Chen, Tao Fu, Tangyou Sun, Fabi Zhang*, and Naisen Yu*, Simple Fabrication ZnO/β-Ga2O3 Core/Shell Nanorod Arrays and Their Photoresponse Properties, Optical Materials Express, 2018, 8(4):794-803
（2）Xi Gao, Leena Singh, Wanli Yang, Jingjing Zheng, Haiou Li*（李海鸥） & Weili Zhang, Bandwidth broadening of a linear polarization converter by near-field metasurface coupling, Scientific Reports, 2017, 7(1): 1-8
（3）XI GAO, WANLI YANG, WEIPING CAO, MING CHEN, YANNAN JIANG, XINHUA YU, AND HAIOU LI*（李海鸥）, Bandwidth broadening of a graphene-based circular polarization converter by phase compensation, OPTICS EXPRESS, 2017, 25(20): 23945-23954
（4）Weihua Kang, Xiaodong Zhang, Xian Ji, Yong Cai, Jiahui Zhou, Wenjun Xu, Qi Li, Gongli Xiao, Baoshun Zhang and Haiou Li*（李海鸥）, Fabrication of 45-nm high In component metamorphic In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As composite channel HEMTs on GaAs substrates, Electronics Letters, 2016, 52(4): 318-319
（5）Xiao-fengWu，Shi-gang Hu，H.O. Li*（李海鸥）, Jin Li，Zai-fang Xi，Ying-lu Hu, A Kind of Coating Method of GaN-MOCVD Graphite Susceptor，Journal of nanomaterials, 2015, 24(3): 037203-037206
（6）WU XiaoFeng，LIU HongXia， H.O. Li*（李海鸥），LI Qi，HU ShiGang，XI ZaiFang， ZHAO Jin, Fabrication of 150-nm Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As HEMTs on GaAs substrates，SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(12): 2389-2391
（7）Ming Li, H.O. Li（李海鸥）, Chak Wah Tang, and Kei May Lau*, S. Lawrence Zipursky*, Fabrication of 100-nm Metermorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Si Substrate by MOCVD,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 33(4): 498-500
（8）HaiOu LI（李海鸥）, HUANG Wei*, LI QiLI SiMin, JIANG Xi, TANG ChakWah, LAU KeiMay, Fabrication of 0.3-μm T-gate Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Silicon Substrates Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(4): 644-648
（9）H.O. Li（李海鸥）, Zhihong Feng，C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Fabrication of 150-nm T-Gate Metamorphic AlInAs/ GaInAs HEMTs on GaAs Substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 32(9):1224-1226
（10）H.O. Li（李海鸥）, C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2008, 29(6):561-564
学术著作

（1）黄伟，李海鸥，于宗光，吴笑峰，首照宇，射频/微波功率新型器件导论， 复旦大学，200千字，2013
【1】李海鸥(1/15), 化合物半导体微纳器件与集成电路研究, 广西区人民政府, 广西自然科学奖, 二等奖, 2017 (李海鸥, 蔡勇, 高喜, 李琦, 陈永和)
【2】李海鸥(3/6), 可融合GaN/Si功率集成与高频数字化节能关键技术, 中国电子科技集团, 中国电子科技集团技术发明奖, 二等奖, 2015 (黄伟, 于宗光, 李海鸥, 王胜，万清，胡南中)
科研项目

1. 广西自然科学基金项目（重点）,常关型GaN功率器件制备和模型研究(2016GXNSFDA380021,2016.09- 2020.08
2.国家自然科学基金面上项目，**，硅衬底上III-V族异质结材料生长机制和HEMT器件制备，2015/01-2018/12，89万元，在研，主持
3.广西第十八批“新世纪十百千人才工程”第二层次人选，2015年，电子科学与技术
4.国家自然科学基金面上项目，**，硅基GaN HEMTs 超级结器件及其模型研究，2013/01-2016/12，86万元，已结题，主持
5.中国博士后科学基金委（特别资助）,硅基高迁移率III-V族半导体材料和器件研究（2013T60566）,2013.06-2014.05 6.教育部“新世纪优秀人才支持计划”获得者，2013年，电子科学与技术
专利及知识产权

【1】李海鸥，吉宪，李琦，李跃，黄伟，马磊，首照宇，吴笑峰，李思敏, 一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法, 2017.6.11, 中国, ZL2.5，中国国家知识产权局
【2】李海鸥，吉宪，李琦，黄伟，马磊，首照宇，吴笑峰，李思敏， 一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法, 2017.5.10, 中国, ZL5.4，中国国家知识产权局
【3】李海鸥，周佳辉，闭斌双，林子曾, 金属氧化物半导体场效应晶体管射频开关器件及制备方法, 2017.2.15, 中国, ZL9.0，中国国家知识产权局
【4】李海鸥, 李琦，翟江辉，唐宁，蒋行国，李跃，线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件, 2017.8.22, 中国, ZL2.6，中国国家知识产权局
【5】李琦，李海鸥，翟江辉，唐宁，蒋行国，李跃，等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件，2014.10.22，中国，ZL2.6，中国国家知识产权局
【6】李海鸥，黄伟，吴笑峰，李思敏，首照宇，于宗光，李琦，胡仕刚，邓洪高, 基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法, 2015.7.1, 中国, ZL6.4
联系信息

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