姓名： 王华
正高级 男 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 邮箱:wh65@guet.edu.cn





研究领域压电、铁电材料;光电功能材料;电致阻变材料;
个人简介

1965年生，博士，教授，博士生导师，贵州天柱人，侗族。 现任桂林电子科技大学材料学院教授。2002年起担任研究生导师，已培养毕业研究生33名，其中4篇所指导研究生的学位论文被评为桂林电子科技大学优秀硕士学位论文。
研究方向：
1、压电、铁电材料与器件： 以压电、铁电器件应用为目标，研究铁电陶瓷和薄膜材料的制备、结构、性能，重点研究Bi层状钙钛矿结构铁电陶瓷及薄膜、KNN-LS系无铅压电陶瓷等。？
2、光电功能材料及应用： 以平面显示器件、太阳能电池等应用为背景研究开发新型透明导电氧化物薄膜，重点研究ZnO基导电靶材及其透明导电薄膜，全透明异质结、p-n结，太阳能光伏电池相关薄膜材料等。
3、电致阻变材料与器件： 以阻变存储器应用为目标，研究阻变陶瓷和薄膜材料制备工艺及材料成分、结构、性能关系，重点研究氧化物和钙钛矿结构电致阻变陶瓷及薄膜，目前该方向有1项国家自然科学基金项目在研。
招生专业：
学术型专业——材料科学与工程
专业学位专业——材料
教育背景

1.1982.9-1986.6: 贵州大学物理专业学习，获理学学士学位。 2.1993.9-1996.6: 中国科学院金属研究所冶金物理与化学专业学习，获工学硕士学位。 3.1998.9-2001.11: 华中科技大学微电子学与固体电子学专业学习，获工学博士学位。
工作经历

1996.7-现在: 桂林电子科技大学信息与通信学院、材料科学与工程学院。期间于2005年在日本大阪大学基础工学部奥山雅则教授研究所作访问研究。
主要荣誉

2006年入选广西高校百名中青年学科带头人资助计划。 2010年入选广西“新世纪十百千人才工程”第二层次人选。
获省部级科技奖2项，优秀论文奖1项，教学成果奖2项，广西高校优秀教材奖1项，其他奖1项。
科技奖：
1、Si基铁电薄膜及MFS结构铁电存储器件制备关键工艺研究，广西科技进步奖，三等，2007年，排名第一；
2、新型特种导电陶瓷及薄膜的掺杂机理与性能研究，，广西自然科学奖，三等，2012年，排名第二；
论文奖：
1、Low temperature synthesis of sol–gel derived Al-doped ZnO thin films with rapid thermal annealing process，广西自然科学优秀论文奖，二等，2012年，排名第一.
教学成果奖：
1、工科大学物理实验课程体系的改革与研究，桂林电子科技大学教学成果奖，二等，2013年，排名第一；
2、新增本科专业“微电子学”的建设，桂林电子科技大学教学成果奖，三等，2005年，排名第二.
教材奖：
1、大学物理实验，广西高等学校优秀教材奖，三等，2011年，排名第一.
其他奖;
1、现代半导体器件物理与工艺，第六届全国多媒体课件大赛奖，三等，2006年，排名第一.
学术活动

教学信息

主要论文

已发表学术论文140余篇，其中SCI、EI收录100余篇。
第一作者代表性论文：
1、Hua Wang, Jun Yu, Xiaomin Dong, Wenli Zhou, Yunbo Wang, Yuankai Zheng and Jianhong Zhao. Characteristics of Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃ Thin Films on p-Si with a Buffer Layer of Bi₄Ti₃O₁₂ Prepared by Pulsed Laser Deposition. Japanese Journal of Applied Physics, 2001, 40(3A): 1388-1390. (SCI、？EI收录)；
2、Wang Hua, Yu Jun, Dong Xiaomin, Zhou Wenli, Wang Yunbo, Zhen Yankai, Zhao Jianhong.？Memory characteristics of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode.？Science in China ( Series E), 2001, 44(3): 274-279.？(SCI、？EI收录)；
3、H. Wang, M. F. Ren.？Low temperature synthesis and ferroelectric properties of La substituted Bi₄Ti₃O₁₂？thin films by Sol-Gel.？Materials Science and Engineering B, 2005,？122(3): 201-205.？(SCI‘ EI收录)；
4、Hua Wang, Min-Fang Ren. Electrical properties of Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Bi₄Ti₃O₁₂/p-Si heterostructure prepared by sol-gel processing. Journal of Materials Research, 2006, 21(7): 1782-1786. (SCI、EI收录）；
5、Hua Wang, Minfang Ren, Masanori Okuyama. Synthesis and characteristics of nature-superlattice-structured Bi₃TiNbO₉–Bi₄Ti₃O₁₂ ferroelectric thin films by MOD. Materials Science and Engineering B, 2007, 136(1): 1-4. (SCI、？EI收录)；
6、H. Wang, M. F. Ren. Characteristics of Ag/Bi_3.25La_0.75Ti₃O₁₂/p-Si heterostructure prepared by sol-gel processing. Journal of Sol-Gel Science and Technology, 2007, 42(3): 247-250(SCI、？EI收录)；
7、Hua Wang，Jiwen Xu，Mingfang Ren，Ling Yang.？Room temperature deposition and properties of ZnOAl thin films by nonreactive DC magnetron sputtering.？Journal of Materials Science-Materials in Electronics，2008，19(11)：1135-1139.？(SCI、EI收录)；
8、Hua？Wang, Zhu？Huang, Ji-wen？Xu, Ling？Yang and Ming-fang？Ren.？Effect of Mg content on structure and properties of Mg_xZn_1?xO:Al UV transparent conducting films.？Journal of Materials Science-Materials in Electronics，2010, 21(11): 1115-1118？(SCI、EI收录)；
9、Hua Wang，Xiaodan Huang，Jiwen Xu，Ling Yang，Shangju Zhou. Effects of Nb doping on microstructure and properties of Bi₄Ti_3-xNb_xO₁₂ thin films prepared by magnetron sputtering. Journal of Materials Science-Materials in Electronics，2012, 23(1): 234-237 (SCI、EI收录)；
？10、Hua Wang，Zhu Huang，Ji-wen Xu，Ling Yang，Shang-ju Zhou. Preparation and properties of Mg_0.2Zn_0.8O:Al UV transparent conducting thin films deposited by RF magnetron sputtering at room temperature with rapid annealing.？Journal of Materials Science-Materials in Electronics，2012, 23(2): 403-407？(SCI、EI收录)；
11、Hua Wang，Xia Zhai，Jiwen Xu，Changlai Yuan，Xiaowen Zhang，Changrong Zhou，Xinyu Liu. Effects of Sintering Temperature on Structure and Properties of 0.997(KNN-LS-BF)-0.003V₂O₅？Lead-Free Piezoelectric Ceramics.？Journal of Electronic Materials, 2013, 42(3): 458-462 ((SCI、EI收录)；
12、Hua Wang，Xia Zhai，Jiwen Xu，Changlai Yuan，Ling Yang. Effects of sintering temperature on dielectric and piezoelectric properties of KNN-LS-BF-0.4mol%CuO lead-free piezoelectric ceramics. Journal of Materials Science-Materials in Electronics，2013, 24(5): 1519-1522. （SCI、EI收录）；
13、？Hua Wang, Xiayan Zhao, Jiwen Xu, Ling Yang. Effects of sintering temperature on structure and properties of 0.998[0.95(K_0.5Na_0.5) NbO₃–0.05LiSbO₃]– 0.002BiFe_0.8Co_0.2O₃ piezoelectric ceramics, Journal of Materials Science- Materials in Electronics，2015, 26(8): 6129-6133. (SCI、EI收录).
所培养研究生发表的代表性论文：
1、Xiayan Zhao,？Hua Wang, Jiwen Xu, Changlai Yuan, Xia Zhai, Yerang Cui. Microstructure and Electrical Properties of K_0.5Na_0.5NbO₃-LiSbO₃- BiFeO₃-x%mol ZnO Lead-Free Piezoelectric Ceramics.？Journal of Electronic Materials, 2014, 43(2): 506-511. ？(SCI、EI收录)；
2、Bing-Cheng Sun,？Hua Wang,？Ji-Wen Xu, Ling Yang, Shang-Ju Zhou, Yu-Pei Zhang, Zhi-Da Li. Effect of annealing temperature on resistance switching and dielectric characteristics of Bi₄Ti₃O₁₂？thin films.？Microelectronic Engineering, 2014, 113：1-4？(SCI、EI收录)；
3、Xiayan Zhao,？Hua Wang, Changlai Yuan, Jiwen Xu, Yerang Cui, Jiafeng Ma. Effects of Co doping on microstructure and properties of (K_0.5Na_0.5)NbO₃–LiSbO₃–BiFe_(1-x)Co_xO₃？lead-free piezoelectric ceramics.？Journal of Materials Science-Materials in Electronics，2013, 24(5): 1480-1484.？（SCI、EI收录）；
4、Xia Zhai，Hua Wang，Jiwen Xu，Changlai Yuan，Xiaowen Zhang，Changrong Zhou，Xinyu Liu. Effects of V₂O₅？doping on the structure and properties lead-free KNN–LS–BF piezoelectric ceramics.？Journal of Materials Science-Materials in Electronics，2013, 24(2): 687-691 (SCI、EI收录)；
5、Shu-ming Gao,？Hua Wang, Ji-wen Xu, Chang-lai Yuan, Xiao-wen Zhang. Effect of annealing temperature on resistance switching behavior of Mg_0.2Zn_0.8O thin films deposited on ITO glass.？Solid-State Electronics, 2012, 76: 40-43？(SCI、EI收录)；
6、Sijia Liu，Hua Wang，Jiwen Xu, Mingfang Ren, Ling Yang, Jinghua Ju. Structure and electrical properties of CuAlO₂？thin films derived by sol–gel processing.？Journal of Materials Science-Materials in Electronics，2011, 22(6): 666-671？(SCI、EI收录).
学术著作

主编教材2部：
1、《信号与系统》，重庆大学出版社，2004.5
2、《大学物理实验》，华南理工大学出版社，2008.2
科研项目

共承担各类项目34项，其中：主持国家自然科学基金项目4项，省部级基金项目7项，其他项目11项；作为主要成员参与国家自然科学基金项目2项，省部级基金项目4项，其他项目6项。
目前在研项目：
1、国家自然科学基金项目：铌酸钾钠基荧光透明铁电陶瓷结构调控与电、光功能共存特性研究（**），2020.1-2023.12
2、国家自然科学基金项目：钛酸铋钠基陶瓷的多功能特性调控、弛豫行为演变及构效关系研究（**），2017.1-2020.12
3、广西自然科学基金重点项目：KNN-SIN及其掺杂透明铁电陶瓷的合成、结构与性能调控研究（2018GXNSFDA281042），2019.1.1-2022.12.31
4、广西自然科学基金项目：(钛酸铋钠基储能与应变功能共存的复合离子调控、弛豫行为演变及构效关系研究(2016GXNSFAA380069)，2016.9-2019.8
5、广西信息材料重点实验室基金项目：(Bi0.5Na0.5)TiO3-BaTiO3及其稀土掺杂陶瓷的储能行为及调控机理研究(161001-Z)，2016. 5-2020.4
已完成主要项目：
1、国家自然科学基金项目：Si基Bi₄Ti₃O₁₂铁电薄膜的制备方法（**），1998.1-2000.12，参与；
2、国家自然科学基金项目：Si基集成铁电薄膜界面特性的实验与模拟研究（**），2003.1-2005.12，主持；
3、国家自然科学基金项目：自整流电致阻变异质结的制备与性能研究（**），2011.1-2013.12，主持；
4、国家自然科学基金项目：稀土掺杂锰、锌化合物电致阻变多层异质薄膜的制备、性能、掺杂机理和阻变机制研究（**），2013. 1-2016.12
5、教育部科学技术研究重点项目：Bi层状钙钛矿自然超晶格铁电薄膜制备工艺与形成机制研究（208109），2008.1-2010.12，主持；
6、湖北省自然科学基金项目：铁电存储二极管薄膜材料特性与机理研究（98J036），1997.8-2000.8，参与；
7、广西自然科学基金重点项目：环保型高宽温区高性能无铅压电陶瓷材料研究(2010GXNSFD 013007)，2010.4-2013.3，主持；
8、广西自然科学基金项目：Si集成铁电薄膜与铁电场效应晶体管特性研究(桂科基**），2002.8-2005.7，主持；
9、广西自然科学基金项目：Si基Bi层状钙钛矿自然超晶格铁电薄膜制备与性能研究（桂科自**），2008.5-2011.4，主持；
10、广西自然科学基金项目：施、受主掺杂SrTiO3薄膜及其阻变p-n异质结的制备与性能研究(2015GXNSFAA139253)，2015. 9-2018.8
11、广西信息科学实验中心项目：BLFO/BLTO多铁性复合薄膜制备与性能研究(YB1416)，2015. 1-2016.12，主持
12、广西“新世纪十百千人才工程”专项项目：锌锰化合物阻变薄膜制备及施、受主掺杂研究，2012.7-2015.6，主持；
13、广西高校百名中青年学科带头人资助计划项目：氧化锌铝透明导电薄膜的制备与性能研究(RC)，2006.9-2008.8，主持。
专利及知识产权

获授权发明专利12项，实用新型专利5项：
1、？Si基Bi4Ti₃O₁₂铁电薄膜的制备方法，发明专利，专利号：ZL**.X，2004.84授权；
2、一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，发明专利，专利号：ZL3.2，2013.7.10授权；
3、一种玻璃衬底p-CuAlO₂/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，发明专利，专利号：？ZL0.1，2013.8.21授权；
4、一种光谱随视角变化甚微的微腔结构倒置型顶发射有机电致发光器件，实用新型专利，专利号：ZL2.X，2013.102授权；
5、一种肖特基特性自整流阻变存储器，实用新型专利，专利号：ZL4.8，2014.1.29授权；
6、一种基于梯度结构空穴注入传输的紫外有机电致发光器件，实用新型专利，专利号：ZL 5.0，2015.7.8授权；
7、一种有机阻变存储器及其制备方法，发明专利，专利号：ZL4.9，2015.7.15授权；
8、一种Ce掺杂Bi_4-xCe_xTi₃O₁₂电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，发明专利，专利号：ZL1.6，2015.8.12授权；
9、一种非极性阻变存储器及其制备方法，发明专利，专利号：ZL8.2，2015.10.28授权；
10、一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法，发明专利，专利号：ZL7.7，2015.10.28授权；
11、一种铟镓锌氧化物粉体及其陶瓷靶材的制备方法，发明专利，专利号：ZL9.8，2015.11.4授权。
12、一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器，发明专利，专利号：ZL6.X，2015.11.18授权。
13、一种低漏电流铁酸铋铁电薄膜，实用新型专利，专利号：ZL5.6，2016.08.03授权。
14、一种紫外有机发光器件，实用新型专利，专利号：ZL6.2，2016.08.31授权。
15、一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，发明专利，专利号：ZL8.0，2016.09.14授权。
16、具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法，发明专利，专利号：ZL9.5，2017.06.23授权。
17、应用不同浓度的前驱液制备多层BiFeO3薄膜的方法，发明专利，专利号：ZL9.3，2017.08.11授权。
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