姚会军  男   1980年7月8日生  河北省石家庄人，副研究员，硕士研究生导师。

2003年毕业于河北大学物理学院(获理学学士学位), 2008年毕业于中国科学院研究生院(获理学博士学位)。2008年至今在中国科学院近代物理研究所工作，其间2010年-2011年在德国Juelich研究中心Peter Gruenberg 研究所工作，从事单根金属与半导体纳米线电学性质及应用研究。目前与德国Juelich研究中心，德国重离子研究中心和美国南加州大学等有密切交流与合作。

 

招生专业：凝聚态物理, 材料学和材料工程

研究方向：一维功能纳米材料研制，重离子与一维纳米材料相互作用研究

 

主要工作与获得的成果：

1、利用电化学沉积方法在重离子径迹模板中成功制备出金、银和InSb半导体等多种材料纳米线，并对纳米线阵列的光学性质进行了研究。分析了金纳米线阵列表面等离子体吸收峰与纳米线直径、入射光角度的关系，明确了纳米线的尺寸效应与线间耦合效应对纳米线阵列光学性质的影响。

2、在单根纳米线两端制备纳米电极，系统研究了单根金纳米线和InSb纳米线的电学性质，给出了不同直径金纳米线的最大失效电流和电阻随温度变化曲线并精确计算了不同直径金纳米线的电阻率。明确了电子在InSb半导体纳米线中的传输模式，计算了不同直径下InSb纳米线的电子迁移率，通过分析InSb纳米线电阻随温度和外加磁场的变化关系，确定了电子在InSb纳米线中的弱局域化效应并给出了不同温度条件下电子的相关联长度，同时在低温条件下观察到了InSb线的电导涨落现象。此工作为一维纳米材料在纳米探测器件和纳米半导体器件应用提供了实验数据。

3、负责国家青年基金和中科院“西部之光”项目《一维巨磁阻纳米材料制备与性能研究》，研制一维多层纳米线，把巨磁阻效应研究从二维薄膜材料扩展到一维纳米材料，探索一维纳米材料在磁探测器和传感器方面的应用。

4、负责国家基金面上项目《一维纳米材料辐照损伤效应研究》，研究重离子在一维金属和半导体纳米材料中强电子激发引起的辐照损伤效应，从低维纳米材料入手，揭示重离子在低维材料中的强电子激发效应，为纳米器件的抗辐照研究提供基本的实验数据和理论依据。

5、目前已在国内外SCI期刊，如Nanotechnology, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters, 物理学报，物理化学学报等发表论文三十余篇。

 

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