刘俊杰，1954年3月出生，博士，****，博士生导师，IEEE fellow，IET Fellow，中国教育部****讲座教授，教育部海外名师，教育部春辉****。毕业于美国佛罗里达大学电子工程专业。原工作单位为美国中佛罗里达大学电子工程专业，终身讲席教授，副院长。目前工作单位为中国深圳大学电子信息工程学院。集成电路可靠性中心主任。研究方向为集成电路和电子器件可靠性设计，仿真，与建模。
国家/省级人才计划荣誉：
a中国教育部****讲座教授（2005，浙江大学）、教育部海外名师（2016，北京交通大学），教育部春辉****（2001，北京大学)
a中国四川省****专家（2011，电子科技大学）
国际荣誉奖励：
a美国政府****科学家奖
aIEEE Electron Devices Society教育奖，IEEE Joseph M. Biedenbach杰出工程教育家奖，IEEE Section杰出工程师奖，IEEE Electron Devices Society杰出讲座奖
a美国中佛罗里达大学Pegasus杰出教授奖，杰出科研奖，杰出教学奖，杰出服务奖
aIEEE Fellow，IET Fellow，美国国家创新学院院士，新加坡制造技术研究院院士，美国洛克希德马丁公司****，美国国家半导体公司****
a中国浙江大学，桂林理工大学，西安理工大学，北方民族大学，电子科技大学讲座教授
a台湾科技大学，台北科技大学，台湾逢甲大学，台湾长庚大学荣誉讲座教授
a台湾学术创新学会杰出****奖，台湾圣约翰科技大学杰出校友奖
aIEEE EDSSC，IPFA，ISNE，IEDMS等国际会议的荣誉大会主席
a四项IEEE国际会议杰出贡献奖，四项IEEE国际会议最佳论文奖
a一个电子器件模型被引用在世界先进的软件公司Synopsis开发的器件仿真软件Sentaurus (J. J. Liou, “Modeling the tunneling current in reverse-biased p/n junction diode”, Solid-State Electronics, vol. 33, July 1990)
招生兴趣：
电子器件和集成电路方向
学术/社会活动兼职：
aIEEE电子器件学会副主席、首席财务长
aMicroelectronics Reliability、IEEE Simulation Journal等期刊编辑
a担任七个特别期刊的编辑
a担任超过50个国际会议的大会主席
a美国Emoat公司技术总监
a参与中国****，国家自然科学基金，国家重点研发项目评审
a参与工信部名师讲堂的规划筹备，为讲堂做主题报告
出版论文/著作：
a专著13部，其中独立作者3部，合作作者10部
a期刊论文> 320篇，会议论文> 250篇（包括120篇主题/邀请报告），SCI他引> 8700次，h-index: 37
a美国专利13项，中国专利5项
代表性成果：
a在中国三个高校成立了第一批芯片静电保护（ESD）实验室，为中国在ESD的学科教育，科研成果，与技术开发做出重大和突破性的贡献；
a为美国Intersil公司设计出了世界上ESD防护级别最高的芯片，超过HBM 17000 V；
a为美国Intel公司设计了CPU内低压CMOS制程的高鲁棒性与低电容ESD保护电路；
a为美国Analog Devices公司设计了在汽车电子内高压BCD制程的先进ESD保护电路；
a第一个探讨与设计在纳米线，GaN，和organic制程的ESD保护方案；
a建立和开发了世界领先的ESD器件仿真宏模型和仿真技术；
a13项美国/5项中国静电防护设计的专利，突破了许多ESD技术瓶颈
代表性论文：
1. F. Schwierz andJ. J. Liou,Modern Microwave Transistors: Theory, Design, and Applications, 8 chapters, 400 pages, Wiley, New York, Nov. 2002.
2. Y. Xi, J. Salcedo,J. J. Liou, and J. J. Hajjar, “Robust protection device for electrostatic discharge/electromagnetic interference in industrial interface applications,” IEEE Trans. Devices and Materials Reliability, vol. 16, pp. 263-266, June 2016.
3. F. Yu, W. Deng, X. Ma, and J. J. Liou, “A physics-based compact model for symmetrical double-gate polysilicon thin-film transistors,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, pp. 2221-2227, May 2017.
4. T. Hu, S. Dong, H. Wong, X. Li, and J. J. Liou, “A double snapback SCR ESD protection scheme for 28 nm CMOS process,” Microelectronics Reliability, vol. 84, pp. 20-25, May 2018.
5. F. Hou, J. Liu, Z. Liu, and J. J. Liou, “New diode-triggered silicon-controlled rectifier for robust ESD protection at high temperatures,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 66, pp. 2044-2048, Apr. 2019.
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