名字： 郑瑞生
学历： 博士
职称： 教授
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E-mail:rszheng@szu.edu.cn
郑瑞生博士，男，出生于内蒙古集宁市，教授，硕士生导师,博士生导师。1982年1月毕业于内蒙古大学物理系半导体专业，获学士学位。1985年1月获得内蒙古大学理学硕士学位，1999年3月获日本国立山口大学工学博士学位。1999年3月～2003年3月在山口大学工学部做博士后研究。1985年1月～1996年10月在内蒙古大学物理系任教，1992年12月晋升副教授。主要从事凝聚态物理理论研究、物理教学和工业自动化控制技术的开发和应用。主持了1996年国家教委“资助优秀年轻教师基金”《晶格振动对半导体量子阱中双极化子和激子性质的影响》项目的研究。1988年11月～1989年11月公派到日本国大阪大学理学部作访问学者，从事极细微半金属和半导体细线物理性质的研究。1996年10月～1997年4月再次被公派到日本国山口大学工学部作高级访问学者，从事半导体量子阱的光学和电学性质的研究。1999年3月～2003年3月在日本山口大学作博士后研究，作为日本国家计划“高效率电光变换化合物半导体的开发”（简称：21世纪的光源）项目的专职研究员，从事高效率固体照明光源的实验和理论研究。2003年3月回国，到深圳大学工作，2004年12月晋升教授。目前主要从事高效率电光变换化合物半导体的实验和理论研究，以及半导体量子结构中的元激发和多元混晶化合物物理性质的研究。到2006年底，在国内外学术刊物发表论文64篇（其中：SCI收录37篇，以第一作者身份在PhysicalReviewB发表论文9篇），合著英文专著一本。
主要研究方向
- 氮化铝晶体生长技术
- 半导体量子结构中元激发
- 多元混晶化合物中晶格振动及相关问题
- 高效率电光变换化合物半导体材料及器件
- 半导体照明光源的理论计算及数值模拟
研究项目近三年来，作为课题负责人主持了下列科研项目的研究：
- 国家自然科学基金项目《多元氮化物外延薄膜材料中组分不均匀结构的研究和应用》（批准号：60376003，2004.1～2006.12）；
- 教育部科学研究重点项目《氮化铝晶体制备技术的研究》（教技司[2005]3号，2005.01～2006.12）；
- 国家自然科学基金研究项目《氮化铝单晶材料的生长及其光电特性的研究》（批准号：60576005，2006.1～2006.12）；
- 广东省自然科学基金研究项目《氮化物混晶薄膜中自组织量子结构的理论研究》（批准号：04011297，2005.1～2006.12）；
- 深圳市科技计划项目《氮化铝晶体材料制备技术的研究》（项目编号：200517，2006.1～2007.12）。
在国内外重要专业期刊发表的部分学术论文
- 武红磊、郑瑞生、孙秀明、罗飞、杨帆、刘文、敬守勇，气相生长氮化铝单晶的新方法，人工晶体学报，第36卷第1期，1-4（2007年）
- FanYang,RuishengZheng,PropertiesofopticalphononsinZn1?x?yMgyBexSequaternarymixedcrystal,SolidStateCommunications,141,555(2007)
- 郑瑞生,磷化物多元混晶中光学声子的性质，深圳大学学报，第32卷第1期，10（2006年）
- RuishengZheng,TsunemasaTaguchi,《Compositiondependenceofopticalphononpropertiesanddielectricfunctionsofgroup-IIIarsenideternaryandquaternarymixedcrystals》,JournalofAppliedPhysics,93,9048(2003).
- RuishengZheng,TsunemasaTaguchiandMitsuruMatsuura,《Theoryoflong-wavelengthopticallatticevibrationsinmultinarymixedcrystals:Applicationtogroup-IIInitridealloys》,PhysicalReviewB66.75327(2002).
- RuishengZhengandTsunemasaTaguchi,《OpticalpropertiesofInGaNepitaxiallayersstudiedusingadisorderedquantum-wiremodel》,PhysicaStatusSolidi(b)229,1313(2002).
- RuishengZhengandTsunemasaTaguchi,《SimulationofphotoluminescenceexcitationspectraofInGaNepitaxiallayers》,JournalofAppliedPhysics,90，5183(2001).
- RuishengZhengandTsunemasaTaguchi,《RadiativerecombinationprocessinInGaNactivelayersofGaN-basedlightemittingdiodes》,JournalofAppliedPhysics,89,6260(2001).
- RuishengZhengandMitsuruMatsuura,《Well-widthdependenceofelectron-phononinteractionenergiesinquantumwellsduetoconfinedLOphononmodes》,PhysicalReviewB61,12624(2000).
- RuishengZheng,MitsuruMatsuura,andTsunemasaTaguchi,《Exciton-LO-phononInteractioninZinc-CompoundQuantumWells》,PhysicalReviewB61,9960(2000).
- RuishengZhengandTsunemasaTaguchi,《StokesShiftinInGaNEpitaxialLayers》,AppliedPhysicsLetters,77,3024(2000).
- RuishengZheng,TsunemasaTaguchiandMitsuruMatsuura,《PropertiesofGa1-xInxNMixedCrystalsandGa1-xInxN/GaNQuantumWells》,JournalofAppliedPhysics,87,2526(2000).
- RuishengZhengandMitsuruMatsuura,《Electron–optical-phononinteractioninquantumwellsconsistingofmixedcrystals》,PhysicalReviewB60,4937（1999）.
- RuishengZhengandMitsuruMatsuura,《Electron-phononinteractioninmixedcrystals》,PhysicalReviewB59,15422(1999).
- RuishengZhengandMitsuruMatsuura,《Excitonbindingenergiesinpolarquantumwellswithfinitepotentialbarriers》,PhysicalReviewB58,10769(1998).
- RuishengZhengandMitsuruMatsuura,《Polaroniceffectsonexcitonsinquantumwells》,PhysicalReviewB57,1749(1998).
- RuishengZhengandMitsuruMatsuura,《Exciton-phononinteractioneffectsinquantumwells》,PhysicalReviewB56,2058(1997).
- RuishengZheng,ShiliangBanandLiangX.X.,《Effectsofinterfaceandbulkopticalphononsonpolaronsinaquantumwell》,PhysicalReviewB49,1796(1994).
