更新日期：2019年3月14日
姓 名 宁洪龙 性 别 男
出生年月 1971年3月 籍贯 湖南株洲市
民 族 汉族 政治面貌
最后学历 博士研究生 最后学位 工学博士
技术职称 研究员 导师类别 博、硕导
行政职务Email ninghl@scut.edu.cn
工作单位 材料科学与工程学院 邮政编码 510640
通讯地址 光电楼305室
单位电话 **
个人主页 http://202.38.194.251/materialnew/xygk/szdw/szdw/jsxq/index.html?teacherId=**


个人简介
博士毕业于清华大学，从事信息显示用电子材料相关的薄膜晶体管阵列结构设计和工艺研究。2013年回国加入发光材料与器件国家重点实验室的显示与驱动研究团队，广东省第三批创新科研团队（有机/高分子光电功能材料及应用）核心成员，华南理工大学第四批“杰出人才与团队引进计划”成员；科技部重点领域创新团队“有机高分子显示和照明材料与器件创新团队”的核心成员，广州市科创委专家，广东省科技专家，广东省突发事件应急管理专家，广东省材料研究学会理事，国际信息显示协会北京分会专业技术委员会委员，江苏省科技咨询专家，江西省科技奖励评审专家，四川省科技奖励评审专家，教育部学位中心论文评阅专家; 2017年获广东省技术发明一等奖。

1) 2006年与C.O. Jeong合作开发三星显示的纯铝电极量产液晶显示器
2) 2007年主持开发世界第一台化学镀Cu栅极15英寸液晶显示器
3) 2008年与J. H. Song合作开发了世界第一台2微米Cu电极液晶显示器
4) 2008年与J. H. Lee合作开发了世界第一台a-IGZO氧化物半导体15英寸液晶显示器
5) 2009年与S. H. Cho合作开发了DPSS激光区域晶化LTPS行驱动集成窄边框14.1英寸量产液晶显示器
6) 2009年主持开发世界第一台负感光有机物平坦化厚Cu电极的15英寸液晶显示器
7) 2010年主持开发了世界第一台碳纳米管印刷柔性像素电极17英寸液晶显示器
8) 2013年参与开发了中国第一款全彩色金属氧化物半导体柔性有源矩阵有机发光二极管显示屏
9) 2016年参与开发了中国首款基于稀土掺杂氧化物TFT技术的全彩色量子点电致发光显示屏AM-QLED
工作经历
2013年-现在，华南理工大学，材料科学与工程学院，发光材料与器件国家重点实验室，研究员，博士生导师
2011-2013年，韩国三星显示，次世代显示研究所，首席研究员
2004-2011年，韩国三星电子，显示技术研发中心，高级研究员
2001-2004年，清华大学，材料科学与工程学院，助教
1993-1996年，天津铝合金厂，助理工程师
教育经历
1999-2004年，博士，清华大学；专业：材料学，研究电子材料与封装
1996-1999年，硕士，中南工业大学；专业：粉末冶金，研究喷射沉积
1989-1993年，学士，中南工业大学；专业：金属材料及加工
获奖、荣誉称号
2017年获广东省技术发明一等奖（排名第十）
社会、学会及学术兼职
长期致力于有源信息新型显示薄膜晶体管阵列材料和结构研究。原为韩国三星显示公司首席工程师，并担任韩国三星显示知识产权专利审查专家组委员，获得韩国三星6σ体系绿带认证。曾作为项目负责人多次主持韩国三星公司的尖端研发项目，制备出多种基于新材料和新结构的高性能信息显示器件，并在实际生产中得到广泛应用。主要研究领域集中于新显示材料开发、TFT单元和阵列结构设计、柔性显示显示器件制备、印刷显示器件制备和信息显示器件性能优化，在显示器件材料开发和系统集成等方面取得了一系列研究成果。在Light Sci. Appl.、Adv. Funct. Mater.、Nano Energy、Mater. Horiz.、Sci Rep.、ACS Appl. Mat. Interfaces和Appl. Phys. Lett.等已发表研究论文150多篇，被SCI、EI和ISTP检索100余篇，其中第一/通讯作者发表80余篇；已申请或授权专利190多件；担任ACS Appl. Mat. Interfaces、J. Mater. Chem. C、ADV OPT MATER、 IEEE ELECTR DEV 、IEEE T ELECTRON DEV、Ceram.Int、Soc. Inf. Display、EJAM、发光学报和液晶与显示等学术期刊审稿人；目前为科技部重点领域创新团队“有机高分子显示和照明材料与器件创新团队”的核心成员、广州市科技专家、广东省科技专家、广东省突发事件应急管理专家、广东材料研究学会理事和国际信息显示协会北京分会专业技术委员会委员。
研究领域
薄膜晶体管材料与结构
(TFT Materials & Structure)
氧化物半导体和低温多晶硅
(Oxide Semiconductor & Low Temperature Poly Silicon Backplane)
高导互连有源平板显示
(High-conductivity Interconnection AMFPDs)
新型触摸屏结构和工艺
(New Touch Screen Panel Structure & Process)
印刷显示用纳米材料
(Nanometer Materials Application in Printable Display)
薄膜器件成形和失效机理
(Thin Film Devices Forming & Failure Mechanism)
显示用玻璃和柔性基板
(Glass & Flexible Substrate in Display)
电子材料与封装技术
(Electronic Materials & Packaging Technology)
印刷显示材料和制备
(Printable Display Materials & Fabrication)
科研项目
1) 柔性显示用金属氧化物薄膜晶体管电极材料的设计与研制-国家自然科学基金委面上项目，2018（主持）
2) 有源矩阵TFT柔性背板设计与制备，国家重点研发计划重点专项-电子纸显示关键材料与器件，2016（主持）
3) 可印刷高介电常数绝缘显示材料关键技术研究, 广东省科学技术厅- 2016年省科技发展专项资金（前沿与关键技术创新方向）,2016（主持）
4) 可印刷高导互联显示用材料制备与关键技术研究, 广东省科学技术厅-2014年省科技发展专项资金（前沿与关键技术创新方向）,2014（主持）
5) 印刷显示用电极材料关键技术研究, 华南理工大学-中央高校培育项目,2015（主持）
6) 面向超高分辨率显示背板关键技术研究,广东省教育厅-省级重大项目（自然科学类）,2015（主持）
7) 高性能半导体材料的激光处理应用研究, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所-发光学及应用国家重点实验室,2016（主持）
8) 高性能金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列研究,中国科学院-红外物理国家重点实验室,2014（主持）
9) 高导互连-氧化物半导体薄膜晶体管阵列研究,华南理工大学-发光材料与器件国家重点实验室,2014（主持）
10) 杰出人才与团队引进计划,华南理工大学,2014（主持）
11) 高导材料印刷技术及TFT器件系统集成研究, 南京皮埃路电子技术有限公司, 2016（主持）
12) 抗酸氧化物半导体材料技术开发,深圳华星光电技术有限公司,2013（主持）
13) 基于PI基材的柔性TFT功能化关键技术开发, 国家重点研发计划重点专项, 2017 （参与）
14) 用于柔性显示屏的铜纳米柱阵列互联技术研究, 华南理工大学-金属材料高效近净成形技术与装备教育部重点实验室, 2016 （参与）
15) 高效率、长寿命杂化白光OLED器件的研究, 上海大学-新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 2016（参与）
16) 用于超高分辨显示器件的高迁移率氧化物薄膜晶体管研究, 广东省科学技术厅-2016年省科技发展专项资金（基础与应用基础研究方向）, 2016（参与）
17) 柔性AMOLED显示触控屏检测技术与设备研究, 广东省科学技术厅-2016年省科技发展专项资金（协同创新与平台环境建设方向）, 2016（参与）
18) 铜纳米结构在柔性AMOLED器件互联技术中的应用研究, 广东省教育厅-特色创新类项目, 2016（参与）
19) 溶液加工及印刷显示器件制备工艺研究,中国科技部-国家重点基础研究发展计划（973计划）,2015（参与）
20) 基于叠层复合有源层的高迁移率氧化物薄膜晶体管,清华大学-新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室, 2015（参与）
21) 可印刷型高性能有机高分子发光材料研究, 广东省科学技术厅-国家级重大培育项目（自然科学类）,2015（参与）
22) 聚集诱导发光新材料及应用,广东省科技厅-第三批创新科研团队,2012（参与）
23) 光化学蚀刻成型技术,中国教育部-自然科学基金, 2002（参与）
发表论文
1) 基于多成核机制的银纳米线制备研究, 材料导报, 2019, 已接受
2) 喷墨打印中的界面润湿问题, 材料导报, 2019, 已接受 (EI)
3) 铜金属化在显示薄膜晶体管中的应用, 材料导报, 2019, 已接受 (EI)
4) Investigation of direct inkjet-printed versus spin-coated ZrO2 for sputter IGZO thin film transistor, Nanoscale Res Lett, 2019, Accepted (SCI, IF: 3.125)
5) 旋涂法制备WO3薄膜电致变色性能研究, 发光学报, 2019, 40(2), 183-188 (EI)
6) 退火温度对旋涂SnO2薄膜性能的影响, 发光学报, 2019, 40(2), 164-170 (EI)
7) Trap-assisted enhanced bias illumination stability of oxide thin film transistor by praseodymium doping, ACS Appl Mater Inter, 2019, 11(5), 5232–5239 (SCI, IF:8.097)
8) A simple, low cost ink system for Drop-On-Demand printing high performance metal oxide dielectric film at low temperature, ACS Appl Mater Inter, 2019, 11(5), 5193–5199 (SCI, IF:8.097)
9) All-sputtering, High-transparency, Good-stability coplanar top gate thin film transistors, Applied Sciences, 2018, 9(1), 83 (SCI, IF: 1.679)
10)Highly conductive and transparent AZO films fabricated by PLD as source/drain electrodes for TFTs, Materials, 2018, 11(12), 2480 (SCI, IF:2.728)
11)Capillary force Induced Air Film for Self-aligned Short Channel Pushing the Limits of Inkjet Printing, Soft Matter, 2018, 14, 9402-9410 (SCI, IF: 3.709)
12)A study of contact properties between Molybdenum and amorphous silicon tin oxide (a-STO) thin film transistors, J SOC INF DISPLAY, 2018, 26 (9), 735 (SCI, IF:1.102)
13)Zig-zag Hollow Cracks of Silver Nanoparticles Film Regulated by its Drying Micro-environment, Nanoscale Res Lett, 2018, 13, 354 (SCI, IF: 3.125)
14)Gel-switchable Droplets Front for Large-scale Uniformity of Inkjet Printed Silver Patterns, ADV MATER TECHNOL, 2018, ** (SCI, IF:4.622)
15)Characterization studies of the structure and properties of Zr-doped SnO2 thin films by spin-coating technique, SUPERLATTICE MICROST, 2018, 123, 330-337 (SCI, IF:2.099)
16)High-performance Thin Film Transistor with Nd: IZO/Al2O3 Nanolaminate Structure Processed at Room Temperature, Materials, 2018, 11(10), 1871 (SCI, IF:2.728)
17)A Protonation Process to Enhance the Water Resistance of Transparent and Hazy Paper, ACS SUSTAIN CHEM ENG, 2018, 6(9), 12385-12392 (SCI, IF:6.140)
18)溶液法制备氧化锡薄膜及光学特性研究, 光学学报, 2018, 38(10) ** (EI)
19)绿色柔性喷墨打印银纳米墨水研究, 材料导报, 2018, 32(17), 2959-2968 (EI)
20)Enhancement of Electrical Characteristics and Stability of amorphous Si-Sn-O Thin Film Transistors with SiOx Passivation Layer, Materials, 2018, 11(8), 1440 (SCI, IF:2.728)
21)Efficient Bipolar Blue AIEgens for High‐Performance Nondoped Blue OLEDs and Hybrid White OLEDs, ADV FUNCT MATER, 2018, ** (SCI, IF:13.325)
22)High-performance spin-coated aluminum oxide dielectric fabricated by a simple oxygen plasma-treatment process, J Phys D Appl Phys, 2018, 51(36), 365101 (SCI, IF:2.588)
23)The Critical Impact of Solvent Evaporation on the Resolution of Inkjet Printed Nanoparticles Film, ACS Appl Mater Inter, 2018, 10(27), 22883-22888 (SCI, IF:7.501)
24)硅掺杂氧化锡柔性薄膜晶体管的制备与特性, 发光学报, 39(7), 968-973 (EI)
25)Effects of Annealing Temperature on Optical Band Gap of Sol–gel Tungsten Trioxide Films, Micromachines, 2018, 9(8), 377 (SCI, IF:2.222)
26)Inkjet Printed Electrodes in Thin Film Transistors, IEEE J ELECTRON DEVI, 2018, 6(1), 477-490 (SCI, IF:2.696)
27)Enhanced transmittance modulation of SiO2 doped crystalline WO3 film prepared from PEO template, Coatings, 2018, 8(7), 228 (SCI, IF:2.175)
28)Effect of Aluminum Oxide Passivation Layer and Copper Electrode on High Mobility of Amorphous Indium-Zinc-Oxide Thin Film Transistor, IEEE J ELECTRON DEVI, 2018, 6(1), 733-737 (SCI, IF:3.141)
29)Morphology modulation of direct inkjet printing by enhancing sol-gel ink system with polymer and surfactant, Langmuir, 2018, 34(22), 6413-6419 (SCI, IF:3.833)
30)纳米纸衬底的制备、性能及其在柔性电子器件中的应用, 材料工程, 2018, 46(6), 1-10 (EI)
31)全固态WO3薄膜电致变色器件研究进展, 光电子技术, 2018, 38(1), 49-54
32)Solution-processed high-k metal oxide dielectrics for thin film transistors with excellent bias stability, Applied Sciences, 2018, , 8(5), 806 (SCI, IF:1.679)
33)High-performance and Flexible Neodymium-doped Oxide Semiconductor Thin-film Transistors with Copper Alloy Bottom-gate Electrode, IEEE ELECTR DEVICE L, 2018, 39(6), 839-842 (SCI, IF:3.048)
34)Influence of Source/Drain electrodes on the Characteristics of amorphous Tin-Oxide-Based Thin-Film Transistors, Nanomaterials, 2018, 8(5), 293 (SCI, IF:3.553)
35)喷墨打印电极在薄膜晶体管中的应用, 材料导报, 2018, 32(3), 742-748 (EI)
36)Reduced contact resistance of a-IGZO thin film transistors with inkjet-printed silver electrodes, J Phys D Appl Phys, 2018, 51, 165103 (SCI, IF:2.588)
37)Mobility Enhancement in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor by using Metallic In Nanoparticles and Cu Electrodes, Nanomaterials, 2018, 8(4), 197 (SCI, IF:3.553)
38)Effect of ITO serving as a barrier layer for Cu electrodes on Performance of a-IGZO TFT, IEEE ELECTR DEVICE L, 2018, 39(4), 504-507 (SCI, IF:3.048)
39)A Simple Extraction Method for Interface and Bulk Density of States in Metal Oxide Thin-Film Transistors, Materials, 2018, 11, 416 (SCI, IF:2.728)
40)Solution Processable High Quality ZrO2 Dielectric Films for Low Operation Voltage and Flexible Organic Thin Film Transistor Applications, J Phys D Appl Phys, 2018, 51(11), 115105 (SCI, IF:2.588)
41)Low-temperature fabrication of sputtered high-k HfO2 gate dielectric for flexible a-IGZO thin film transistors, Appl Phys Lett, 2018, 112, 103503 (SCI, IF:3.411)
42)Induced nano-scale self-formed metal-oxide interlayer in amorphous silicon tin oxide thin film transistors, SCI REP, 2018, 8, 4160 (SCI, IF:4.259)
43)High-Performance Flexible Oxide TFTs: Optimization of a-IGZO Film by Modulating Voltage Waveform of Pulse DC Magnetron Sputtering without Post Treatments, J Mater Chem C, 2018, 6, 2522-2532 (SCI, IF:5.256)
44)Lattice defects of ZnO and hybrids with GO: synthesis, characterization, EPR and optoelectronic properties, AIP ADV, 2018, 8(2), 025218 (SCI, IF:1.568)
45)涂法制备氧化锆介质层及其在TFT中的应用, 发光学报, 2018, 39(2), 214-218 (EI)
46)Room-Temperature Fabrication of High-Quality High-k ZrO2 Dielectric films and their applications in High Performance Flexible Organic Transistors, IEEE ELECTR DEVICE L, 2018, 39(2), 280-283 (SCI, IF:3.048)
47)Facile room temperature routes to improve performance of IGZO thin film transistors by an ultrathin Al2O3 passivation layer, IEEE T ELECTRON DEV, 2018, 65(2), 537-541 (SCI, IF:2.605)
48)High conductivity & transparent aluminum-based multi-layer source/drain electrodes for thin film transistors, J Phys D Appl Phys, 2018, 51(6), 065103 (SCI, IF:2.588)
49)Properties-adjustable Alumina-Zirconia nanolaminate dielectric fabricated by spin-coating, Nanomaterials, 2017, 7(12), 419 (SCI, IF:3.553)
50)High Mobility Solution-Processed C8-BTBT Organic Thin-Film Transistors via UV-Ozone Interface Modification, J Mater Chem C, 2017, 5, 10652-10659 (SCI, IF:5.256)
51)High-Performance Doping-Free Hybrid White OLEDs Based on Blue Aggregation-Induced Emission Luminogens, ACS Appl Mater Inter, 2017, 9(39), 34162-34171 (SCI, IF:7.145)
52)UV-Cured Inkjet-Printed Silver Gate Electrode with Low Electrical Resistivity, Nanoscale Res Lett, 2017, 12, 546 (SCI, IF: 2.833)
53)Doping-free tandem white organic light-emitting diodes, SCI BULL, 2017, 62(17), 1193-1200 (SCI, IF:4.0)
54)Highly transparent and self-extinguishing nanofibrillated cellulose-monolayer clay nanoplatelet hybrid films, Langmuir, 2017, 33(34), 8455-8462 (SCI, IF:3.833)
55)Room-temperature fabrication of high-performance amorphous In-Ga-Zn-O/Al2O3 thin-film transistors on ultrasmooth and clear nanopaper, ACS Appl Mater Inter, 2017, 9(33), 27792-27800 (SCI, IF:7.145)
56)A simple method for high-performance solution-processed amorphous ZrO2 gate insulator TFT with high concentration precursor, Materials, 2017, 10(8), 972 (SCI, IF:2.728)
57)Amorphous InGaZnO thin film transistor fabricated with printed silver salt ink Source/Drain electrodes, Appl Sci, 2017, 7(8), 844 (SCI, IF:1.679)
58)High conductivity and adhesion of Cu-Cr-Zr alloy for TFT gate electrode, Appl Sci, 2017, 7(8), 820 (SCI, IF:1.679)
59)All-sputtered, flexible, bottom-gate IGZO/Al2O3 bi-layer thin film transistors on PEN fabricated by fully room temperature process, J Mater Chem C, 2017, 5, 7043-7050 (SCI, IF:5.256)
60)High Mobility Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor by Aluminum Oxide Passivation Layer, IEEE ELECTR DEVICE L., 2017, 38(7), 879-882 (SCI, IF: 3.048)
61)溶液法氧化物薄膜晶体管的印刷制备, 液晶与显示, 2017, 32(6), 443-454
62)Island-like AZO/Al2O3 bilayer channel structure for thin film transistors, Adv Mater Interfaces, 4(10), ** (SCI, IF:3.365)
63)Homogeneous Surface Profiles of Inkjet Printed Silver Nanoparticle Films by Regulating Their Drying Micro-Environment, J Phys Chem C, 2017, 121(16), 8992-8998 (SCI, IF:4.509)
64)压电波形对喷墨打印电极的调控规律, 发光学报, 2017, 38 (5), 617-622 (EI)
65)Highly conductive AZO thin films obtained by rationally optimizing substrate temperature and oxygen partial pressure, Mol Cryst Liq Cryst, 2017, 644(1), 190-196 (SCI, IF:0.532)
66)A room temperature strategy towards enhanced performance and bias stability of oxide thin film transistor with a sandwich structure channel layer, Appl Phys Lett, 2017, 110(15), 028715 (SCI, IF:3.3)
67)All-aluminum Thin Film Transistor Fabrication at Room Temperature, Materials, 2017, 10(3), 222 (SCI, IF:2.728)
68)Programmable shape recovery process of water-responsive shape-memory polyvinyl alcohol by wettability contrast strategy, Acs Appl Mater Inter, 2017, 9, 5492-5502 (SCI, IF:7.145)
69)基于柔性显示器件应用的氧化铝介电层室温制备研究, 光学学报, 2017, 37(3), ** (EI)
70)Stable ambipolar organic–inorganic heterojunction field-effect transistors and inverters with Cytop interlayer, Rsc Adv, 2017, 7(10), 5966-5969 (SCI, IF:3.289)
71)Direct inkjet printing of silver source/drain electrodes on Amorphous InGaZnO layer for thin-film transistors, Materials, 2017, 10(1), 51 (SCI, IF:2.728)
72)Effect of Intrinsic Stress on Structural and Optical Properties of Amorphous Si-Doped SnO2 Thin-Film, Materials, 2017, 10(1), 24 (SCI, IF:2.728)
73)Direct patterning of silver electrodes with 2.4μm channel length by piezoelectric inkjet printing, J Colloid Interf Sci，2017, 487, 68-72 (SCI, IF:3.783)
74)A Novel Nondestructive Testing Method for Amorphous Si-Sn-O Films, J Phys D Appl Phys, 2016, 49, 505102 (SCI, IF:2.772)
75)室温生长AZO/Al2O3叠层薄膜晶体管性能研究, 发光学报，2016, 37(11), 77-82 (EI)
76)Extremely high-efficiency and ultrasimplified hybrid white organic light-emitting diodes exploiting double multifunctional blue emitting layers, Light-Sci Appl, 2016, 5, e16137 (SCI, IF:14.603)
77)Enhanced adhesion and field emission of CuO nanowires synthesized by simply modified thermal oxidation technique, Nanotechnology, 2016, 27, 395605 (SCI, IF:3.573)
78)Effects of Rare-Earth Element Dopants in High-Mobility InOx-Based Thin Film Transistors, IEEE Electr Device L., 2016, 37(9), 1139-1142 (SCI, IF:2.75)
79)Effect of Post Treatment for Cu-Cr Source/ Drain Electrodes on a-IGZO TFTs, Materials, 2016, 9, 623 (SCI, IF:2.728)
80)High-Performance Doping-Free Hybrid White Organic Light-Emitting Diodes: the Exploitation of Ultrathin Emitting Nanolayers (< 1 nm), Nano Energy, 2016, 26, 26-36 (SCI, IF:10.325)
81)A low-power high-stability flexible scan driver integrated by IZO TFTs, IEEE T Electron Dev, 2016, 63(4), 1779-1782 (SCI, IF:2.47)
82)High-performance back-channel-etched thin-film transistors with amorphous Si-incorporated SnO2 active layer, Appl Phys Lett, 2016, 108, 112106 (SCI, IF:3.3)
83)Manipulation of Charge and Exciton Distribution Based on Blue Aggregation-Induced Emission Fluorophores: A Novel Concept to Achieve High-Performance Hybrid White Organic Light-Emitting Diodes, Adv Funct Mater, 2016, 26(5), 776-783 (SCI, IF:11.805)
84)A new compensation pixel circuit with metal oxide thin-film transistors for active-matrix organic light-emitting diode displays, J Soc Inf Display, 2015, 23(6), 233-239 (SCI, IF:0.791)
85)Harnessing charge and exciton distribution towards extremely high performance: the critical role of guests in single-emitting-layer white OLEDs, Mater Horiz, 2015, 2(5), 536-544 (SCI, IF:9.095)
86)白光有机发光二极管的研究进展, 物理化学报, 2015, 31(10), 1823-1852 (SCI, IF:0.852)
87)High-mobility thin film transistors with neodymium-substituted indium oxide active layer, Appl Phys Lett, 2015, 107, 112108 (SCI, IF:3.302)
88)An ideal host-guest system to accomplish high-performance greenish yellow and hybrid white organic light-emitting diodes, Org Electron, 2015, 27, 29-34 (SCI, IF:3.827)
89)Efficient single-emitting layer hybrid white organic light-emitting diodes with low efficiency roll-off, stable color and extremely high luminance, J Ind Eng Chem, 2015, 30(10), 85-91 (SCI, IF:3.512)
90)使用铜源漏电极的非晶氧化铟锌薄膜晶体管的研究, 发光学报, 2015, 36(8), 935-40 (EI)
91)Performance analysis of pre-oxidation process direct bonding copper substrate, ICEPT 2015, 2015, 1377-1381 (EI, ISTP)
92)铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善, 物理学报, 2015, 64(12), 126103 (SCI, IF:0.813)
93)A host-guest system comprising high guest concentration to achieve simplified and high-performance hybrid white organic light-emitting diodes, J Mater Chem C, 2015, 3, 6359-6366 (SCI, IF:4.696)
94)Effects of Nd in NdxIn1-xO3 Semiconductors for Thin-Film transistors, IEEE T Electron Dev, 2015, 62(7), 2226-2230 (SCI, IF:2.472)
95)Solution-processed indium-zinc-oxide thin-film transistors based on anodized aluminum oxide gate insulator modified with zirconium oxide, Rsc Adv, 2015, 5, 51440-51445 (SCI, IF:3.84)
96)Method for Fabricating Amorphous Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors With Copper Source and Drain Electrodes, IEEE Electr Device L., 2015, 36(4), 342-344 (SCI, IF:2.754)
97)High-performance hybrid white organic light-emitting diodes employing p-type interlayers, J Ind Eng Chem, 2015, 1-5, 2375 (SCI, IF:3.512)
98)Efficient hybrid white organic light-emitting diodes with extremely long lifetime: the effect of n-type interlayer, Sci Rep-UK, 2014, 4, 7198 (SCI, IF:5.578)
99)Extremely stable-color flexible white organic light-emitting diodes with efficiency exceeding 100 lm W?1, J Mater Chem C, 2014, 2(46), 9836-9841(SCI, IF:4.696)
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103)源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响,物理学报, 2014, 63(3), 038501 (SCI, IF:0.813)
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105)Views on the low-resistant bus materials and their process architecture for the large-sized & post-ultra definition TFT-LCD, IMID 2008, October 13-17, 2008, 9-12 (EI)
106)Learning, innovation and dynamic capability: an empirical research about south China enterprises, 2008 International Seminar on Business and Information Management, December 28-31, 2008, 140-143 (EI, ISTP)
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108)电子封装中的局部镀银研究,稀有金属材料与工程, 2004, 33(2), 176-178 (SCI, IF: 0.4)
109)La, Fe (或Co)/Ti 对Cu-Cr-Zr合金时效特性的影响, 稀有金属材料与工程, 2004, 33(3), 267-270 (SCI, IF:0.4)
110)多层喷射沉积制备双金属板材的机理初探, 粉末冶金技术, 22(1), 2004, 12-5(EI)
111)Investigation to the interface of DCB substrate, Surf Rev Lett, 2003, 10(1), 95-100 (SCI, IF:0.94)
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113)Preoxidation of the Cu layer in direct bonding technology, Appl Surf Sci, 2003, 211(1-4), 250-258 (SCI, IF:1.295)
114)Joining of sapphire and hot pressed Al2O3 using Ag70.5Cu27.5Ti2 brazing filler metal, Ceram Int, 2003, 29(6), 689-694 (SCI, IF:0.731)
115)多层喷射沉积铝/钢双金属板的轧制, 粉末冶金技术, 2003, 21(4), 228-231 (EI)
116)Research of LTCC thermal conductivity, Mater Sci Forum, 2003, 423-425, 311-314 (SCI, IF:0.613)
117)Analysis of phases in a Cu-Cr-Zr alloy, Scripta Mater, 2003, 48(1), 97-102 (SCI, IF=1.168)
118)Precipitation in Cu-Ni-Si-Zn alloy for lead frame, Mater Lett, 2003, 57, 2135-2139 (SCI, IF:0.892)
119)混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析，稀有金属材料与工程, 2003, 32(8), 650-653 (SCI, IF:0.4)
120)引线框架材料对铜合金与锡铅焊料界面组织的影响, 电子元件与材料, 2003, 22(4), 33-35, 45
121)封装中陶瓷外壳的滚镀工艺研究,湘潭矿业学院学报, 2002, 17(4), 39-41 (EI)
122)多层喷射沉积铝/钢双金属板材的研究,功能材料, 2002, 33(2), 166-168 (EI)
123)引线框架铜合金氧化特性的研究现状，功能材料, 2002, 33(1), 29-32 (EI)
124)铜基引线框架材料的研究与发展,功能材料, 2002, 33(1), 1-4 (EI)
125)喷射沉积技术与双金属材料的制备,兵器材料科学与工程, 2001, 24(1), 65-67 (EI)
126)A study on the novel lead-free solder alloy, Pricm 4: Fourth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing, I -II, 2001, 1095-1097(ISTP)
127)铝合金型材的宽展挤压,轻合金加工技术, 1998, 26(9), 25-28
出版专著和教材
无
科研创新
1) 一种双层硅掺杂氧化锡基薄膜晶体管及其制备方法和应用, 2018-12-14, 中国, CN**5.2
2) 一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法，2018-12-14, 中国, CN**2.X
3) 一种电致变色汽车挡风玻璃及其制备方法, 2018-12-14, 中国, CN**6.3
4) 一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法, 2018-12-12, 中国, CN**8.7
5) 一种溶液法制备锆铝氧化物绝缘层薄膜及叠层结构的方法, 2018-11-28, 中国, CN**0.4
6) 一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法, 2018-10-19, 中国, CN**8.2
7) 一种银纳米球及其制备方法与应用, 2018-09-29, 中国, CN**4.X
8) 一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法, 2018-09-29, 中国, CN**7.3
9) 一种叠层有源层薄膜晶体管及其制备方法, 2018-09-29, 中国, CN**9.5
10)一种全铝透明栅极薄膜晶体管及其制备方法, 2018-09-27, 中国, CN**1.X
11)一种透明薄膜晶体管及其制备方法, 2018-09-20, 中国, CN**7.2
12)一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用, 2018-09-12, 中国, CN**9.4
13)一种背沟道刻蚀型非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法, 2018-09-10, 中国, CN**4.9
14)一种显示用电子器件铜互连布线电极及其制备方法, 2018-09-03, 中国, CN**5.3
15)一种溶液法低温制备WO3电致变色薄膜的方法, 2018-08-27, 中国, CN**4.2
16)一种氧化锆喷墨打印墨水及制备氧化锆纳米晶薄膜的方法, 2018-08-22, 中国, CN**4.5
17)一种基于多成核控制剂的银纳米线及其制备方法和应用, 2018-08-22, 中国, CN**2.6
18)一种凝胶模板法制备喷墨打印氧化物薄膜的方法, 2018-08-17, 中国, CN**3.5
19)一种改善喷墨打印墨水沉积均匀性的方法, 2018-08-17, 中国, CN**9.9
20)一种全面屏手机, 2018-08-13, 中国, CN**0.X
21)一种全面屏手机及实现全面屏显示的方法, 2018-08-13, 中国, CN**2.0
22)一种检测溶液法绝缘层TFT质量的方法, 2018-07-26, 中国, CN**0.6
23)一种多层印刷改善溶液法氧化锆绝缘层性能的方法, 2018-07-26, 中国, CN**4.9
24)一种低温制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构的方法, 2018-07-05, 中国, CN**5.7
25)一种制备ZrO2绝缘层薄膜及叠层结构的方法, 2018-07-05, 中国, CN**8.X
26)一种高调制能力结晶三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法, 2018-06-20, 中国, CN**7.9
27)一种改善金属有机物分解型银墨水结合强度的方法, 2018-05-31,中国, CN**6.3
28)一种大尺寸单晶氧化亚锡及其制备方法, 2018-05-29,中国, CN**3.6
29)一种镨铟锌金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法, 2018-05-29,中国, CN**2.1
30)一种溶液法制备氧化物薄膜晶体管的方法, 2018-05-28,中国, CN**7.1
31)一种溶液法制备高密度氧化锆绝缘层薄膜的方法, 2018-05-28,中国, CN**0.6
32)一种改善金属有机物分解型银墨水结合强度的方法, 2018-04-24,中国, CN**7.0
33)一种PEN柔性衬底透明薄膜晶体管及其制备方法, 2018-04-19, 中国, CN**4.2
34)一种AZO透明栅极薄膜晶体管及其制备方法, 2018-04-19, 中国, CN**6.6
35)一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法, 2018-04-19, 中国, CN**8.3
36)一种基于低温氧化锆绝缘层的薄膜晶体管及其制备方法, 2018-04-10, 中国, CN**6.5
37)一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法, 2018-03-15,中国, CN**0.5
38)一种减少喷墨打印薄膜表面裂纹的热处理方法, 2018-01-26, 中国, CN**9.7
39)一种提高溶液法氧化物绝缘层TFT偏压稳定性的方法, 2018-01-26, 中国, CN**3.1
40)一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管, 2018-01-26, 中国, CN**2.4
41)一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管, 2018-01-25, 中国, ZL**5.8
42)一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管及其制备方法, 2018-01-25, 中国, CN**7.4
43)一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法, 2018-01-23, 中国, CN**1.X
44)一种溶液法制备氧化锆绝缘层薄膜及叠层结构的方法, 2018-01-22, 中国, CN**2.1
45)一种激光处理非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法, 2017-12-13, 中国, CN**6.X
46)一种通过调节墨滴间距减少MOD型银墨水薄膜缺陷的方法, 2017-12-13, 中国, CN**7.3
47)一种点状图形喷墨打印系统及喷墨打印方法, 2017-12-05, 中国, CN**9.6
48)一种点状图形喷墨打印系统, 2017-12-05, 中国, ZL**8.3
49)一种修复大面积高均匀性喷墨打印薄膜表面起伏过大的方法, 2017-12-05, 中国, CN**2.6
50)一种直接喷墨打印短沟道的方法, 2017-12-05, 中国, CN**9.9
51)一种连接不同线宽喷墨打印线的多段拼接技术, 2017-12-05, 中国, CN**2.X
52)一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法, 2017-12-01, 中国, CN**2.9
53)一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法, 2017-11-22, 中国, CN**7.0
54)一种喷墨打印墨水及由其制备金属氧化物薄膜的方法, 2017-11-22, 中国, CN**2.0
55)一种薄膜晶体管, 2017-11-13, 中国, ZL**8.0
56)一种基于小尺寸薄膜材料红外光谱测试的夹具, 2017-11-13, 中国, ZL**2.3
57)一种UV预处理衬底改善打印氧化物薄膜形貌的方法, 2017-11-13, 中国, CN**6.4
58)一种基于小尺寸薄膜材料红外光谱测试的夹具及测试方法, 2017-11-13, 中国, CN**9.0
59)一种薄膜晶体管及其制备方法和应用, 2017-11-13, 中国, CN**2.9
60)一种氧化物薄膜晶体管栅电极及其制备方法, 2017-11-01, 中国, CN**9.5
61)一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法, 2017-10-12, 中国, CN**7.6
62)一种氧化锡基半导体薄膜晶体管及其制备方法, 2017-10-12, 中国, CN**8.0
63)一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管, 2017-10-12, 中国, ZL**0.6
64)一种适用于堆栈式结构的打印基板的电流体打印方法及系统, 2017-09-29,中国, CN**5.2
65)一种UV预处理改善溶液型银墨水喷墨打印成膜质量的方法, 2017-09-29, 中国, CN**1.0
66)一种旋涂法制备氧化铝-氧化锆叠层电介质的方法, 2017-09-28, 中国, CN**1.5
67)一种快速凝胶化氧化锆喷墨打印墨水及其制备方法和应用, 2017-09-04, 中国, CN**5.2
68)一种氧化锆喷墨打印墨水及其制备方法和应用, 2017-09-04, 中国, CN**0.2
69)一种基于银纳米线的透明导电纸及其制备方法, 2017-09-04, 中国, CN**3.2
70)一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法, 2017-09-04, 中国, CN**2.8
71)一种室温脉冲直流溅射波形优化的薄膜晶体管及其制备方法, 2017-09-04, 中国, CN**0.3
72)一种通过电容反馈调节和控制电流体打印的方法及装置, 2017-08-31, 中国, CN**5.0
73)一种堆栈式薄膜晶体管电极的喷墨打印制备方法, 2017-08-30, 中国, CN**9.X
74)一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极, 2017-08-25, 中国, ZL**7.1
75)一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法, 2017-08-25, 中国, CN**4.0
76)一种均匀墨水打印线喷墨打印装置, 2017-07-31, 中国, ZL**0.7
77)一种均匀墨水打印线喷墨打印方法及装置, 2017-07-31, 中国, CN**6.X
78)一种调控喷墨打印相邻液滴干燥形貌的方法, 2017-07-31, 中国, CN**7.4
79)一种大面积高均匀性薄膜喷墨打印方法及打印系统, 2017-07-31, 中国, CN**6.3
80)一种大面积高均匀性薄膜喷墨打印系统, 2017-07-31, 中国, CN**7.5
81)一种高性能薄膜晶体管及其用途, 2017-07-26, 中国, CN**4.8
82)一种高性能薄膜晶体管, 2017-07-26, 中国, ZL**1.1
83)一种显示用电子器件铜合金电极, 2017-07-17, 中国, ZL**5.7
84)一种显示用电子器件铜合金电极及其制备方法, 2017-07-17, 中国, CN**7.4
85)一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管, 2017-07-17, 中国, ZL**8.5
86)一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法, 2017-07-17, 中国, CN**8.9
87)一种基于锶铟氧化物的薄膜晶体管及其制备方法, 2017-07-17, 中国, CN**4.6
88)一种高性能源漏电极印刷型薄膜晶体管及其制备方法, 2017-07-17, 中国, CN**8.2
89)一种UV固化预处理银导电薄膜的制备方法, 2017-07-06, 中国, CN**8.9
90)一种采用溶液加工的高介电氧化物绝缘层薄膜晶体管的制备方法, 2017-07-04, 中国, CN**7.5
91)一种双层有源层结构的薄膜晶体管及其制备方法, 2017-07-04, 中国, CN**7.7
92)薄膜晶体管阵列面板, 2016-06-30, 中国, ZL**4.3
93)一种紫外光调控喷墨打印金属线边缘杂散颗粒的方法, 2017-06-29, 中国, CN**7.5
94)一种喷墨打印薄膜与界面观测与调控的方法, 2017-06-29, 中国, CN**8.2
95)一种用于喷墨打印针形载墨喷嘴的保护装置, 2017-06-27, 中国, ZL**3.0
96)一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法, 2017-06-14, 中国, CN**0.6
97)一种非晶氧化物薄膜晶体管, 2017-06-14, 中国, ZL**8.0
98)一种纳米纸衬底薄膜晶体管及其制备方法, 2017-06-14, 中国, CN**9.2
99)一种纳米纸衬底薄膜晶体管, 2017-06-14, 中国, ZL**2.5
100)一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法, 2017-06-14, 中国, CN**2.2
101)一种氧化物薄膜晶体管, 2017-06-14, 中国, ZL**5.X
102)一种喷墨打印氧化锆绝缘层用墨水及其制备方法，2017-05-31, 中国, CN**2.5
103)一种喷墨打印用墨水及制备方法以及由其打印的氧化锆薄膜, 2017-05-31, 中国, CN**3.5
104)一种类岛状电子传输的薄膜晶体管，2017-05-23, 中国, ZL**7.8
105)一种类岛状电子传输的薄膜晶体管及制备方法，2017-05-23, 中国, CN**2.4
106)一种栅极驱动单元及行栅极扫描驱动器及其驱动方法, 2017-05-18, 中国, CN**7.3
107)一种栅极驱动单元及行栅极扫描驱动器, 2017-05-18, 中国, ZL**7.5
108)一种运算放大器, 2017-05-18, 中国, CN**1.2
109)一种运算放大器, 2017-05-18, 中国, ZL**2.9
110)一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法, 2017-04-10, 中国, CN**7.7
111)一种显示用电子器件高导电联耦合电极，2017-04-10, 中国, ZL**4.9
112)Display apparatus, 2017-03-21, 美国, US**B2
113)Thin film transistor array panel and display device including the same, 2017-03-21, 美国, US**B2
114)一种电控光阀被动式发光器件及其制备工艺, 2017-02-15, 中国, ZL**7.8
115)一种印刷电极的紫外光固化后处理方法，2016-11-16, 中国, CN**7.X
116)一种显示用电子器件高导互联新型电极的制备方法及结构, 2016-09-27, 中国, CN**6.2
117)一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法, 2016-08-13, 中国, ZL**1.0
118)印刷透明碳纳米管光电薄膜及其在光电器件中的应用，2016-02-03, 中国, CN**8.6
119)具有叠层有源层的薄膜晶体管极其制备方法，2016-01-14, 中国, ZL**6.4
120)Display apparatus having low reflection polymer layer, 2016-01-12, 美国, US**B2
121)一种基于非晶氧化物半导体材料和薄膜晶体管的制备方法, 2015-12-14, 中国, CN**1.0
122)一种薄膜晶体管结构及其制备方法, 2015-12-14, 中国, CN**4.4
123)Thin film transistor comprising main active layer and sub active layer, and method of manufacturing the same, 2015-11-24, 美国, US**B2
124)Display apparatus and method of manufacturing the display apparatus, 2015-06-30, 美国, US**B2
125)Wire, method of manufacture, and related apparatus, 2015-06-16, 美国, US**B2
126)一种薄膜晶体管的源漏电极及制备方法、薄膜晶体管及制备方法, 2015-03-18, 中国, ZL**6.0
127)?? ?? ? ?? ?? ??,2015-01-19, 韩国, KR**85A
(Display apparatus and manufacturing method of the same)
128)Display apparatus and method of manufacturing the same, 2015-01-15, 美国,US**A1
129)Display apparatus and method of manufacturing the display apparatus, 2014-10-07, 美国, US**B2
130)Thin film transistor array panel,2014-09-30, 美国, US**B2
131)?? ??, 2014-08-04, 韩国, KR**44A
(Display apparatus)
132)?? ?? ?? ?? ? ?? ??? ???? ?? ????? ??, 2014-07-28, 韩国, KR**B1
(Metal wiring manufacturing methods, and equipped with metal wiring method of manufacturing a display panel)
133)?? ????? ??? ? ? ?? ??, 2014-07-01, 韩国, KR**12A
(Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same)
134)Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same,2014-06-26, 美国, US**A1
135)Display panel,2014-06-24, 美国, US**B2
136)一种有机电致发光器件及其制备方法, 2014-06-11, 中国, CN**7.2
137)制备自修复透明电极的组合物及制备自修复透明触摸电极的方法, 2014-05-29, 中国, ZL**9.8
138)?? ?? ? ?? ?? ??, 2014-02-20, 韩国, KR**18A
(Display device and method of manufacturing the same)
139)?? ????? ??, 2013-12-23, 韩国, KR**38A
(Thin film transistor array panel)
140)Thin film transistor array panel, 2013-12-05, 美国, US 2013/**A1
141)????? ?? ? ?? ???? ????? ?? ??, 2013-11-27, 韩国, KR**16A
(Target for sputtering and apparatus comprising thereof)
142)Target for sputtering and apparatus including the same, 2013-11-21, 美国, US 2013/**A1
143)Display panel, 2013-11-21, 美国, US2013/**A1
144)?? ????? ??? ? ?? ???? ?? ??, 2013-11-15, 韩国, KR**28A
(Thin film transistor array panel and display device including the same)
145)Thin film transistor array panel and display device including the same, 2013-11-07, 美国, US2013/**A1
146)Method for manufacturing display panel, 2013-07-23, 美国, US**B2
147)?? ????? ? ?? ?? ??, 2013-06-13, 韩国, KR**26A
(Thin film transistor and method of manufacturing the same)
148)Thin-film transistor substrate and method of fabricating the same, 2013-05-28, 美国, US**B2
149)薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法, 2013-04-05, 日本, JP**B2
(Thin-film transistor display panel and manufacturing method thereof)
150)?? ????? ???? ?? ??, 2013-03-12, 韩国, KR**B1
(Thin-film transistor manufacturing method of display panels)
151)Thin film transistor and method of manufacturing the same, 2012-11-15, 美国, US2012/**A1
152)Method for manufacturing display panel, 2012-09-13, 美国, US2012/**A1
153)Display panel and method for manufacturing the same, 2012-06-12, 美国, US**B2
154)?? ????? ?? ? ?? ?? ??, 2012-05-14, 韩国, KR**A
(Thin-film transistor substrate panel and method of manufacture thereof)
155)Thin-film transistor substrate and method of fabricating the same, 2012-05-10, 美国, US2012/**A1
156)??, ?? ?? ??, ?? ??? ??? ?? ??, ? ?? ?? ??? ?? ??, 2012-04-17, 韩国, KR**A
(Wiring and wiring formation method, display device using the wire, and method of manufacturing the display device)
157)Wire, method of manufacture, and related apparatus, 2012-04-12, 美国, US2012/**A1
158)CNT composition CNT layer structure, liquid crystal display device, method of preparing CNT layer structure, and method of preparing liquid crystal display device, 2011-11-24, 美国, US2011/**A1
159)ＣＮＴ ???, ＣＮＴ ????, ??????, ＣＮＴ ????? ???? ? ??????? ????, 2011-11-24, 韩国, KR**A
(Composition of CNT, CNT thin-film structure, liquid crystal display device, CNT thin-film structure manufacturing method and manufacturing method of a liquid crystal display device)
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162)CNT组合物、CNT层结构体及其执法、液晶显示装置及其制法, 2010-12-20, 中国, CN**91A
(CNT composition, CNT layer structure and its manufacturing method, liquid crystal display device and its manufacturing method)
163)Array substrate and method of manufacturing the same, 2010-10-14, 美国, US2010/**A1
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165)Method of forming metal wiring, 2009-09-24, 美国, US2009/**A1
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(A method of forming metal wiring)
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(Plate and its manufacturing method)
168)显示基板, 2009-07-22, 中国, CN**A
(Display substrates)
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(Metal wiring manufacturing methods, and equipped with metal wiring method of manufacturing a display panel)
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171)Method for manufacturing metal line embedded in substrate and method for manufacturing display panel having the embedded metal line, 2009-07-16, 美国, US2009/**A1
172)Method of forming metal pattern, patterned metal structure, and thin film transistor-liquid crystal displays using the same, 2009-07-01, 欧洲, EP**A2
173)ろレイ基板及びニれの製造, 2009-06-04, 日本, JP**A
(Display substrate and the production)
174)阵列基板及其制造方法, 2009-06-03, 中国, CN**A
(Array substrate and manufacturing method)
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(Display panel and manufacturing method thereof)
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179)金属配線形成方法, 2009-01-08, 日本, JP**A
(The method of forming metal wiring)
180)Method of forming metal pattern, patterned metal structure, and this film transistor-liquid crystal displays using the same, 2008-12-25, 美国, US2008/**A1
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(A method of forming metal wiring)
183)薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法, 2007-10-25, 日本, JP**A
(Thin-film transistor display panel and manufacturing method thereof）
184)Thin film transistor substrate and method of fabricating the same, 2007-10-11, 美国, US2007/**A1
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(Thin-film transistor manufacturing method of display panels)
187)薄膜晶体管基板及其制造方法, 2007-10-10, 中国, CN**A
(Thin-film transistor substrate and method of manufacturing)
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(A method of forming a wiring pattern of challenge and displayed using the same method of manufacture of the substrate)
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(Display substrate manufacturing method)
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(Display substrate manufacturing method)
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(Display panel and manufacturing method thereof)
192)???? ? ?? ?? ??, 2007-05-22,韩国, KR**A
(Display panel and manufacturing method thereof)
193)?? ??? ???, ?? ???? ?? ???????? ? ? ?? ??, 2007-02-14, 韩国, KR**A
(Signal display devices, display panels, thin-film transistor that contains it and its manufacturing method)
194)?? ??? ?? ????? ????? ?? ? ?? ?? ??? ?? ?? ??? ??, 2006-12-14, 韩国, KR**A
(A method of forming metal wiring, using the same method of manufacturing thin film transistor substrate and the thin film transistor substrate)
教学活动
本科课程：固体物理，薄膜晶体管技术与应用
硕士课程：薄膜晶体管技术与应用
博士课程：现代材料物理与化学