更新日期：2018年9月3日
姓 名 张曙光 性 别 男
出生年月 1984年10月 籍贯 山东昌邑市
民 族 汉族 政治面貌 党员
最后学历 博士研究生 最后学位 工学博士
技术职称 副教授 导师类别 硕导
行政职务Email mssgzhang@scut.edu.cn
工作单位 材料科学与工程学院 邮政编码 510641
通讯地址 广州市天河区五山路381号
单位电话 **


个人简介
张曙光，男，1984年生，华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室副教授、硕士生导师。2004-2008就读于北京科技大学材料学院，获学士学位；2008-2013就读于中国科学院大学半导体研究所，获博士学位；2013年作为优秀青年教师加入华南理工大学材料学院任教至今，其中2016-2017年在美国佐治亚理工学院任高级访问学者。
长期致力于III-V族化合物半导体材料与器件、钙钛矿基材料及光电器件、表面等离子体光学等方面的研究。主持/参与国家自然科学基金、国防973项目课题、广东省科技计划等科研项目10余项。已在Appl. Phys. Lett.、Small、Nanoscale等国际顶级期刊上发表SCI论文40余篇，论文被SCI引用700余次；获授权中国发明专利10余项、美国专利1项、新加坡专利1项；在国内外学术会议作邀请报告10余次。研究成果曾获广东省技术发明二等奖、中国科学院院长奖等奖励。
工作经历
2013.07-2017.09 华南理工大学 讲师
2016.12-2017.12 美国佐治亚理工 访问学者
2017.09-今 华南理工大学 副教授
教育经历
2004.09-2008.07 北京科技大学 学士
2008.09-2013.07 中国科学院大学 博士
获奖、荣誉称号
2013 中国科学院院长奖
2013 中国科学院优秀毕业生
2013 北京市优秀毕业生
2015 广东省科技进步二等奖
2018 材料学院毕业生“最喜爱的任课老师”
社会、学会及学术兼职
无
研究领域
长期致力于III-V族化合物半导体材料与器件、钙钛矿基材料及光电器件、表面等离子体光学等方面的研究。
科研项目
主持/参与国家自然科学基金、国防973项目课题、广东省科技计划、广州市科技计划、中央高效基本科研业务费等科研项目
发表论文
代表性论文
[1] L. Wen, F. L. Gao, Y. F. Yu, Z. Z. Xu, Z. K. Liu, P. Gao, S. G. Zhang*, and G. Q. Li*, Enhancing the Photovoltaic Performance of GaAs/graphene schottky junction solar cells by interfacial modification with self assembled Alkyl Thiol monolayer. J. Mater Chem. A, 58, 135-139 (2018).
[2] X. T. Meng, X. Cui, M. Rager, S. G. Zhang, Z. W. Wang, J. Yu, Y. Harn, Z. Kang, B. K. Wagner, Y. Liu, C. Yu, J. S. Qiu*, and Z. Q. Lin*, Cascade charge transfer enabled by incorporating edge-enriched graphene nanoribbons for mesostructured perovskite solar cells with enhanced performance. Nano energy, 52, 123-133 (2018).
[3] F. L. Gao, L.Wen, Z. Z. Xu, J. L. Han, Y. F. Yu, S. G. Zhang*, and G. Q. Li*，Growth of InN nanowires with uniform diameter on Si(111) substrates: competition between migration and desorption of In atoms. Small, 13, **-6 (2017).
[4] Y. Chen, D. Yang, Y. J. Yoon, X. C. Pang, Z. W. Wang, J. Jung, Y. He, Y. W. Harn, M. He, S. G. Zhang, G. Z. Zhang*, and Zhiqun Lin*, Hairy Uniform Permanently Ligated Hollow Nanoparticles with Precise Dimension Control and Tunable Optical Properties. J. Am. Chem. Soc., 139, 12956-12967 (2017).
[5] L. Wen, F. L. Gao, S. G. Zhang, and G. Q. Li*, Growth of InAs quantum dots on GaAs (511) A substrates: the competition between thermal dynamics and kinetics. Small, 12, 4277 (2016).
[6] J. L. Li, S. G. Zhang*, F. L. Gao, L. Wen, and G. Q. Li*, The temperature dependence of atomic incorporation characteristics in growing GaInNAs films. J. Appl. Phys., 117, 055304-6 (2015).
[7] S. G. Zhang*, et al., Plasmon-enhanced ultraviolet photoluminescence from highly ordered ZnO nanorods/graphene hybrid structure decorated with Au nanospheres. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 495103 (2014).
[8] S. G. Zhang, X. W. Zhang et al., Raman peak enhancement and shift of few-layer graphene induced by plasmonic coupling with silver nanoparticles. Appl. Phys. Lett., 104, 121109 (2014).
[9] S. G. Zhang, X. W. Zhang et al., Ordered ZnO nanorods-based heterojunction light-emitting diodes with graphene current spreading layer. Appl. Phys. Lett., 101, 121104 (2012).
[10] S. G. Zhang, X. W. Zhang et al., Localized surface plasmon-enhanced electroluminescence from ZnO-based heterojunction light-emitting diodes. Appl. Phys. Lett., 99, 181116-3(2011).
出版专著和教材
无
科研创新
1. 张曙光，尹志岗，张兴旺，游经碧，制作ZnO基异质结发光二极管的方法，中国发明专利，专利号：ZL **0.5，授权公告日：2012年9月5日。
2. 张曙光，张兴旺，尹志岗，董敬敬，游经碧，改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法，中国发明专利，专利号：ZL **3.8，授权公告日：2012年7月4日。
3. 张曙光，李国强，高芳亮，温雷，徐珍珠，一种等离激元增强GaAs基多结太阳电池及其制备方法，中国发明专利，申请日期：2017年01月23日，专利号：ZL**0.1，授权公告日：2018年04月13日。
4. 张曙光，李国强，温雷，高芳亮，李景灵，生长在GaAs衬底上的InAs量子点及其制备方法，中国发明专利，申请日期：2015年06月29日，专利号：ZL**2.X，授权公告号：CN**B，授权公告日：2018年06月22日。
5. 张曙光，李国强，温雷，高方亮，李景灵，生长在GaAs衬底上的InAs量子点，实用新型专利，申请日期：2015年06月29日，专利号：ZL **1.1，授权公告日：2016年01月20日。
6. 张曙光，李国强，高芳亮，温雷，徐珍珠，一种等离激元增强GaAs基多结太阳电池，实用新型专利，申请日期：2017年01月23日，专利号：ZL**2.7，授权公告日：2017年08月18日。
7. 李国强，张曙光，温雷，高方亮，徐珍珠，生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，实用新型专利，申请日：2017年01月23日，专利号：ZL **1.2，授权公告日：2017年10月17日。
8. 李国强，张曙光，王凯诚，生长在GaAs衬底上n-InGaAs薄膜，实用新型专利， 申请日：2016年10月28日，专利号：ZL**9.8，授权公告日：2017年04月19日。
9. 李国强，高芳亮，张曙光，生长在玻璃衬底上的GaN薄膜，实用新型专利，申请日期：2016年12月27日， 专利号：ZL**3.8，授权公告日：2017年08月18日。
10. 李国强，温雷，高芳亮，张曙光，李景灵，管云芳，生长在 Si 衬底上的 GaAs薄膜及其制备方法，中国发明专利，申请日期：2015年3月23日，专利号：ZL**9.7，授权公告日：2017年12月01日。
教学活动
本科生课程：<电磁场与电磁波><结晶化学><科技论文写作>
研究生课程：<半导体器件物理>
指导学生情况
1. 指导本科生毕业论文15人次，2人获得院优秀论文；
2. 指导本科生开展SRP研究；