名称：杨恢东
职称：教授
研究方向：主要从事纳米半导体材料、纳米磁性多层膜、薄膜半导体光电子材料与器件、有机发光显示驱动以及集成电路设计等领域研究工作。
电邮：
联系方式：


教育背景
本科：1985.9-1989.6，武汉大学物理系半导体专业，学士学位。
硕士：1989.9-1992.6，武汉大学物理系半导体专业，学士学位。
博士：2000.9-2003.6，南开大学光电子所微电子学与固体电子学专业，博士学位。


工作经历
社会职务：
教研室主任
广东省材料学会光伏专业委员会委员
广东省绿色能源技术重点实验室学术委员会委员
广东省企业发展战略研究会副秘书长
1992年7月至2004年2月，工作于五邑大学薄膜与纳米材料研究所，从事半导体纳米材料制备、光电特性及其应用等方面的研究工作，先后参与承担省基金项目2项、国家自然科学基金3项，江门市科技攻关项目1项。自2000年9月起，攻读南开大学光电所在职博士研究生，主要承担 “973”国家重点基础研究发展规划项目和教育部科学技术研究重大项目的研究工作，曾经获得2003年度南开大学科技论文《SCI》、《EI》、《ISTP》三大检索总排名第三。2004年3月调入暨南大学电子工程系工作，主要从事半导体光电子材料与器件、薄膜太阳电池及系统应用以及集成电路设计等领域研究工作，共参与承担广州市科技计划项目2项，主持暨南大学自然科学基金项目1项、广东省自然科学基金项目2项、广东省科技计划项目1项。目前，正在积极开展“暨南大学太阳能应用技术研究所”的建设工作，大力开展与省内薄膜太阳电池领域龙头企业的产学研合作并取得良好进展，2007年参与国家高技术研究发展计划863项目1项，2008年成功申请粤港关键领域重点突破项目和广东省省部产学研结合项目各1项，2009年成功申请粤港关键领域重点突破项目2项。近年来，在Int. Journal of Modern Physics、Thin Solid Films、Chinese physics、半导体学报、物理学报、光学学报、光电子激光、金属学报等国内国际学术刊物上发表论文40多篇，其中SCI收录11篇，EI收录16篇，ISTP收录6篇。此外，曾获市级自然科学优秀论文一等奖2项，二等奖1项，获省级成果登记2项。



讲授课程


招生意向


科研成果
1．国家自然科学基金：
1) 离子注入非连续多层膜巨磁电阻效应的研究(**)，1998-2000，12万元，参加。
2) GaAs纳米颗粒膜中混和激子超快光学非线性及其应用研究(**)，1999-2001，16万元，参加。
3) 倒置有机发光器件及其有源选址矩阵探索(**)，2001-2003，16万元，参加。
2．“973”国家重点基础研究发展规划项目：低温晶化硅薄膜材料及非晶硅/低温晶化硅叠层电池的研究(G)，2000-2005，427万元，参加。
3．教育部科学技术研究重大项目：低温晶化硅薄膜太阳电池的研究(02167).2003-2005，20万元，参加。
4．广东省自然科学基金：
1) 半导体/介质纳米颗粒镶嵌薄膜非线性光学性质的研究(970716).1998-1999，7.8万元，参加。
2) 面心四方磁性合金-碳纳米颗粒膜超高密硬盘介质的研究(010482).2002-2004，6万元，参加。
3) 微晶硅薄膜甚高频PECVD法高速沉积与生长机理研究（**）2006-2007，2万元，主持。
4) 甚高频PECVD法低温沉积微晶硅薄膜太阳能电池研究（**），2007-2008，5万元，主持。
5) 梯度光学带隙硅基薄膜的可控制生长研究（9**0063），2009-2011，5万元，主持。
5．国家重点实验室开放课题：GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜中光生载流子驰豫过程的研究，1999.1-2001.7，2万元，参加。
6．广东省科技计划项目：高比功率柔性硅薄膜叠层太阳能电池的研究（2006A**），2007-2008，20万元，主持。
7．江门市科技攻关项目：甚高频PECVD法沉积微晶硅薄膜及生长动力学研究（江财企61号），2003-2004，3万元，主持。
8．广州市科技攻关项目：超高频无源RFID电子标签芯片的研制（2006Z3-D3011），40万元，2005-2008，参加。
9．暨南大学自然科学基金：甚高频PECVD法沉积微晶硅薄膜及生长动力学研究（**），2004-2006，4万元，主持。
10．国家高技术研究发展计划（863）项目：单室低成本新型高效硅基薄膜叠层电池制造技术研究（2007AA05Z436），2007-2011，80万元，参加，排名第三。
11．省部产学研结合重点项目：高效低成本非晶硅/微晶硅异质结叠层太阳能电池（2008A），2009-2010，100万元，第一合作单位项目主持人。
12．粤港关键领域重点突破项目：高性价比非晶硅/微晶硅叠层太阳电池制造及光伏发电示范工程（2008A），2009-2011，250万元，第一合作单位项目主持人。
13.粤港关键领域重点突破项目（东莞专项）：薄膜太阳电池制备成套设备关键技术与产业化，（），2009-2012，200万元，第一合作单位项目主持人。
14. 粤港关键领域重点突破项目：薄膜太阳电池透明导电薄膜（TCO）设备研制及产业化（TC09B863-1），2009-2012，530万，第一合作单位项目主持人。
15. 国家重点实验室开放课题：梯度光学带隙硅锗薄膜的可控制生长研究（SKL2009-13），2009-2011，6万元，主持。
荣誉与奖励：
1．获奖情况：
2001.10 市级自然科学优秀论文一等奖
2002.10 南开大学优秀研究生奖
2003.11 市级自然科学优秀论文一等奖、二等奖各一项
2005.5 南开大学2003年度科技论文《SCIE》、《EI》、《ISTP》三大检索总排名第三
2．主要成果：
（1）a-Si PIN/PLED器件研究（成果登记号：津**）
（2）倒置有机发光器件研究及其有源选址矩阵探索（成果登记号：津**）




研究论文
（1） 非晶硅/微晶硅过渡区材料的PECVD法制备与特性研究，第十届中国太阳能光伏会议论文集，浙江大学出版社，2008，363-367。
（2） 柔性衬底上a-SiNx:H绝缘介质薄膜的制备与特性研究，第十届中国太阳能光伏会议论文集，浙江大学出版社，2008，396-399。
（3） 掺杂浓度对P型c-Si:H材料特性的影响，第十届中国太阳能光伏会议论文集，浙江大学出版社，2008，494-497。
（4） 微晶硅薄膜VHF-PECVD法制备中等离子体功率的调制作用，光电子激光，2007，18（5）：558-563(EI收录)。
（5）Substrate effect on hydrogenated microcrystalline silicon films deposited with VHF-PECVD technique，金属学报（英文版），2006，19(4):295-300 (EI收录)。
（6） Role of hydrogen in hydrogenated microcrystalline silicon film and in deposition process with VHF-PECVD technique，Chinese Physics，2006，15(6):1374-1378(SCI收录）。
（7） 衬底温度对微晶硅薄膜沉积与结构特性的影响，光电子激光，2005，15（6）：646-649（EI收录）。
（8） Influence of substrate temperature on the deposition and structural properties of mc-Si:H thin films fabricated with VHF-PECVD,Opto-Electronics Letters,2005，1(1):0021-0023。
（9） 弱硼掺杂补偿对对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响，半导体学报，2005，26（6）：1164-1168（EI收录）。
（10） Structural properties investigation on microcrystalline silicon films deposited with VHF-PECVD technique,金属学报（英文版），2005，18（3）：223-227（EI收录）。
（11） Optical emission spectroscopy (OES) investigation on VHF plasma and its glow discharge mechanism during the mc-Si:H film deposition, Thin Solid Films（SCI收录）. 2005,472(1-2):125-129。
（12） VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜,太阳能学报，2004，（2）： (EI收录)。
（13） Investigation on the oxygen contamination during the deposition of μC-Si:H thin film by VHF-PECVD, 太阳能学报(增刊),2003,: 5-8（EI收录）。
（14） 薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟，半导体学报，2002，23（8）：846-851（EI收录）。
（15） Fabrication of Hydrogenated Microcrystalline Silicon Thin Films at Low Temperature by VHF-PECVD，半导体学报,2002, 23(9):902-908(9)(EI收录)。
（16） High growth-rate deposition of c-Si:H thin film at low temperature with VHF-PECVD, International Journal of modern Physics B,2002,16(28 & 29):4259-4262(SCI收录，ISTP收录)。
（17） Investigation on Glow Discharge Dynamic Mechanism of VHF-PECVD To Prepare Microcrystalline Silicon Thin Film, International Journal of modern Physics B,2002， 16(28 & 29):4475-4478 (SCI收录，ISTP收录)。
（18） VHF等离子体光发射谱（OES）的在线监测，物理学报，2003, 52(9) :2324-2330(SCI收录，EI收录)。
（19） Investigation on the role of oxygen in μc-Si:H thin film and its deposition process with VHF-PECVD。Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2002, p 1262-1265（EI收录，ISTP收录）。
（20） Investigation on the role of oxygen in μc-Si: H thin film deposited with VHF-PECVD， Proceddings of the 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 2003, p 1647-1650（EI收录，ISTP收录）。
（21） 甚高频PECVD法沉积c-Si:H薄膜中氧污染的初步研究，物理学报，2003, 52(11): 2865-2869 (SCI收录，EI收录)。
（22） 氢化非晶/微晶硅制备中射频辉光放电等离子体的光发射谱研究,光电子激光，2003，14(4):375-379(EI收录)。
（23） 激光Ｚ扫描测量技术，激光技术，2000，24(4):195-202(EI收录)。
（24） 激光 Z扫描技术的理论与实验，光电子激光，1999,10(1):90-94(EI收录)。
（25） 纳米半导体薄膜制备技术，真空与低温，1999，5(2):81-87。
（26） 纳米材料制备技术研究进展，五邑大学学报，1999，13（4）:17-25。
（27） 掺氢GaAs薄膜的表面形貌及光学性质研究，云南大学学报，2005，27（5A）：609-612。
（28） a novel design of sub-frame and current driving method for PM-OLED, SID, 2002,42.1:1174- 1177。
（29） a simulation method for a-Si PIN/OLED coupling device, Proceedings of the 7th Asian Symposium on information Display(ASID’2002):217-220。
（30） Fabrication and characterization of InP nanocrystals embedded in SiO2matrix by RF magnetron co-sputtering. Materials Chemistry and Physics, 2002, 76:262-266（SCI收录, EI收录）。
（31） Numerical simulation of the influence of the gap state of a-Si : H on the characteristics of a-Si : H p-i-n/OLED coupling device, MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 762，223-228, 2003 (SCI收录、EI收录，ISTP收录)。
（32） a-Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化, 光电子激光，2001,12(12):1222-1225.(EI收录)。
（33） 聚合物发光器件中输运特性的模拟分析，半导体学报，2001,22(9):1176-1181. (EI收录)。
（34） Ga As/ Si O2 纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究，光学学报，光学学报, 2000,20(6):847-851（SCI收录, EI收录）。
（35） 半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展，半导体技术,2000,25(2):1-6。
（36） 半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料的超快激光光谱学，半导体技术，2000,25(3):38-42。
（37） ＣａⅠ 3ｄ6ｐ和 3ｄ4ｆ态的新ＶＵＶ光谱测量和研究, 原子与分子物理学报，1999，16(3):381-384。
（38） 巨磁电阻薄膜及巨磁电阻随机寄存器，微细加工技术，1998，(1):33-36(EI收录)。
（39） Influence of annealing conditions on the chemical states of InP/SiO2 nanocomposite films deposited by RF magnetron co-sputtering, SPIE,2000, 4086:213-216. FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS 4086: 213-216, 2000（ISTP收录）。
（40） 有机发光器件中缺陷态行为表现，光电子激光，2002,13(5):445-449. (EI收录)。
（41） 镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态，半导体技术，1998,23(2):6-10。
（42） 高密度磁记录读磁头用巨磁电阻薄膜研究进展，材料导报，1998，12（4）:20-23。