刘广庆

博士后
研究方向：钙钛矿铁电材料及应用
邮箱：guangqing_greg@163.com



刘广庆，男，1985年出生，天津市人，本科硕士就读于天津师范大学，物理学院，专业方向为硬度薄膜相关研究。随后获得澳洲新南威尔士大学TFS全额奖学金，于材料科学工程院攻读博士学位，于2017获得理学博士学位。主要研究方向：通过铁电薄膜的微观结构和界面控制实现对材料本身铁电性能的调控以及相关铁电器件性能的提升。

代表论文：
第一作者
·Positive Effect of an Internal Depolarization Field in Ultrathin Epitaxial Ferroelectric Films; Advanced Electronic Materials (2016);
·Reversible polarization rotation in epitaxial ferroelectric bilayers; Advanced Materials Interface (2016)

合作文章
·Mechanical stress-induced switching kinetics of ferroelectric thin films at the nanoscale; Nanotechnology,(2016)Alsubaie, Abdullah; Sharma, Pankaj; Liu, Guangqing; Valanoor, Nagarajan; Seidel, Jan;
·Nanoscale Bubble Domains and Topological Transitions in Ultrathin Ferroelectric Films;Zhang, Qi; Xie, Lin; Liu, Guangqing; Prokhorenko, Sergei; Nahas, Yousra; Pan, Xiaoqing; Bellaiche, Laurent; Gruverman, Alexei; Valanoor, Nagarajan; Advanced Material