电子照片：

基本信息：
1.博士，副教授，硕士生导师，电子与通信工程系副主任
2.联系方式：
3.Email:gzu_jian@gzhu.edu.cn
个人简介：
秦剑，男，1981年生，博士（后），副教授，IEEE会员，硕士生导师，主要从事机器学习、先进微纳半导体结构制备、表征及其在新型光电器件中的应用方面研究工作，以第一及通信作者在包括Solid-states Electronics、Nanoscale research letters、Electronics等著名国际期刊上发表论文20余篇，专利6项，研究成果获同行积极评价。近3年作为项目负责人及骨干成员主持并参与国家自然科学基金1项、广东省科技厅应用型科技研发专项1项、广州市科技计划基础与应用基础项目2项，广州市市属高校科技项目1项，产学研横向项目1项；指导学生参加教育部主办的“高教社杯”全国大学生数学建模竞赛、美国国际数学建模竞赛获国家级（省级）一等奖、二等奖10余项，获广东省大学生数学建模竞赛优秀指导教师，广州大学“优秀教师”称号。
研究兴趣（招生方向）：1.微纳电子器件建模与智能计算；2.神经网络及其优化算法；3.小型化无线通信射频系统（集成电路）设计及应用；
教育经历：
1. 2011.9 - 2015.12，华南理工大学微电子与固体电子学专业博士研究生，获工学博士学位
2. 2003.9–2005.6，瑞典林雪平大学（Linkoping university, Sweden）单芯片设计与通信系统集成专业硕士研究生,获工学硕士学位
3. 1999.9 - 2003.6, 广州大学计算机科学与技术专业本科，获学士学位
职业经历：
■ 2016.6–至今， 广州大学电子与通信工程系，副教授，硕士生导师，系副主任 ( 2017.1 - 2019.5期间赴华南理工大学控制科学与工程博士后流动站从事科学研究工作，完成博士后研究项目后出站)
■ 2010.9–2011.8，珠海格力电器R&D IC模拟电路研发部，半导体器件工程师
■ 2005.11–2010.8，广州大学信息与机电工程学院信息与控制工程系，助教，讲师
讲授课程：
可编程逻辑器件与硬件描述语言、电子系统设计、电磁场与电磁波、通信电子线路、电工电子学II
研究成果：
近期发表的期刊论文：
[1]黄兴原，秦剑，基于人工神经网络的HEMT器件参数提取方法研究,电子技术应用，2020,03:47-50
[2]Qin J , Zhou Q, Liao B, Wang H. Modeling of 2DEG characteristics of In_xAl_{1? x}N/AlN/GaN-Based HEMT Considering Polarization and Quantum Mechanical Effect. Electronics, 2018, 7(12): 410.
[3]Liao B, Zhou Q, Qin J, Wang H. Simulation of AlGaN/GaN HEMTs’ Breakdown Voltage Enhancement Using Gate Field-Plate, Source Field-Plate and Drain Field Plate. Electronics, 2019, 8(4): 406.
[4]Wei W, Yan X, Shen B, Qin J, Zhang X. Channel Plasmon Nanowire Lasers with V-Groove Cavities. Nanoscale Research Letters, 2018, 13(1): 227.
[5]Qin J, Qiang L. Analysis of carrier transport mechanism for p-type SnO thin-film transistor. Key Engineering Materials, 2017, 748: 122-126.
[6]Qin J, Ruo-He Y. A unified channel potential model for asymetrical Dual Gate a-Si:H Thin Film Transistors. Journal of South China University of Technology (Natural Science Edition), 2016, 44(1): 30-37.
[7]Qin J, Ruo-He Y. Modeling of current-voltage characteristics for dual gate amorphous-silicon transistors considering deep Gaussian density-of-state distribution. Journal of Semiconductors, 2016, 36(12): 124005-124001:124008.
[8]Qin J, Yao RH. A physics-based scheme for potentials of a-Si: H TFT with symmetric dual gate considering deep Gaussian DOS distribution. Solid-State Electronics, 2014, 95: 46-51.
科研服务：
近年主持及主要完成的科研项目：
1.新型InAlN/GaN异质结高迁移率晶体管器件结构与建模方法研究，广州市科技计划基础与应用基础研究项目，在研
2.GaN基异质结HEMT集约模型开发，中山市工业技术研究院横向项目，在研；
3.基于溶液法处理的柔性有机薄膜晶体管载流子输运机理及器件物理模型研究，广州市市属高校科研项目，已结题；
4.硅基氮化镓功率器件关键技术及产业化，广东省科技厅应用型科技研发专项，已结题；
5.氧化物半导体薄膜晶体管的模型及参数提取方法研究，国家自然科学基金面上项目，已结题；
发明专利：
1.基于神经网络的HEMT散射参数提取、系统及存储介质
2.基于神经网络的射频功放散射参数提取方法及装置.
3.基于神经网络的射频功放谐波平衡参数提取方法