广东工业大学微电子学院讲师、有条件的青百A层次人才
一、基本信息
钟伟，博士毕业于华南理工大学，讲师、有条件的青百A层次人才。主要从事金属氧化物薄膜晶体管、柔性传感器、柔性电子器件与集成、柔性集成电路的研究。主持博士后科学基金一项，以主要完成人参与广东省基础与应用研究基金项目、广州市对外合作科技项目等3项；发表SCI/EI论文20余篇，其中第一作者和通讯作者9篇；授权发明专利2项；

二、研究方向
1. 高性能金属氧化物薄膜晶体管的研究；
2. 高性能柔性金属氧化物薄膜晶体管的集成与电路应用

三、教育经历
2016.9-2019.6，华南理工大学，微电子学与固体电子学，博士学位
2012.9-2015.6，华南师范大学，材料物理与化学，硕士学位；
2008.9-2012.6，长春理工大学，无机非金属材料，学士学位；

四、工作经历
2019/09--2021/09 香港科技大学 先进显示与光电子技术国家重点实验室 博士后
2019/08--2021/07 华南理工大学 微电子学院 博士后
2015/06--2016/08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 研发工程师

五、项目经历
1. 基于铜互联的柔性InSnZnO薄膜晶体管及其应用的研究, 中国博士后科学基金，2020M672628，2020.01-2021.12，8万，主持。
2. 柔性顶栅InSnZnO薄膜晶体管关键技术研究，广东省基础与应用研究基金项目，2019A，2019.10-2022.09, 10万, 主要负责人。
3. 应用于高分辨率AMOLED显示的InSnZnO薄膜晶体管及其有源阵列研究，广州市对外合作科技专项，8，2018.04-2020.03，100万，主要完成人。
4. InSnZnO薄膜的磁控溅射法制备及其在垂直型薄膜晶体管上的应用，国家自然科学基金青年基金，**，2017-01至2019-12，19万元，参加

六、主要论文
1. Y. Xu^#, W. Zhong^#, B. Li, S. Deng, H. Fan, Z. Wu, L. Lu, F. S. Y. Yeung, H. S. Kwok, and R. Chen, "An Integrator and Schmitt Trigger Based Voltage-to-Frequency Converter Using Unipolar Metal-Oxide Thin Film Transistors," IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 9, p.144-145, 2021. (SCI, JCR Q2)
2. W. Zhong, R. Yao, Y. Liu, L. Lan, and R. Chen, "Effect of Self-Assembled Monolayers (SAMs) as Surface Passivation on the Flexible a-InSnZnO Thin-Film Transistors," IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, pp. 3157-3162, 2020. (SCI, JCR Q2)
3. W. Zhong, R. Yao, Z. Chen, L. Lan, and R. Chen, "Self-Assembled Monolayers (SAMs)/Al₂O₃ Double Layer Passivated InSnZnO Thin-Film Transistor," IEEE Access, vol. 8, pp. 101834-101839, 2020. (SCI, JCR Q1).
4. W. Zhong, G. Li, L. Lan, B. Li, and R. Chen, "InSnZnO Thin-film Transistors with Vapor-phase Self-assembled Monolayer as Passivation Layer," IEEE Electron Device Letters, vol. 39, pp. 1680-1683, 2018, (SCI, JCR Q1).
5. W. Zhong, S. Deng, K. Wang, G. Li, G. Li, R. Chen, and H. Kwok, "Feasible Route for a Large Area Few-Layer MoS₂ with Magnetron Sputtering," Nanomaterials, vol. 8, p. 590, 2018, (SCI, JCR Q2).
6. W. Zhong, G. Li, L. Lan, B. Li, and R. Chen, "Effects of annealing temperature on properties of InSnZnO thin film transistors prepared by Co-sputtering," RSC Advances, vol. 8, pp. 34817-34822, 2018, (SCI, JCR Q2).
7. W. Zhong, G. Li, R. Chen, “Vapor-phase self-assembled monolayer on InSnZnO Thin-Film Transistors for enhanced performance” in International Conference on Computer Aided Design for Thin-film Transistor Technologies. IEEE, 2018, (EI).
8. W. Zhong, G. Li, R. Chen, L. Lan, X. Zhang, W. Pei, H. Chen, and S. Deng, "A study on the bottom-gate ITO-stabilized ZnO thin-film transistors," in International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2017, pp. 1-4, (EI).

七、知识产权
1. 陈荣盛；钟伟；邓孙斌；李国元；吴朝晖；李斌，一种二硫化钼薄膜的制备方法(已授权)，CN1.8；
2. 陈荣盛; 钟伟; 邓孙斌; 尹雪梅; 李国元，一种金属氧化物薄膜晶体管及其钝化层的制备方法(已公开)，CN1.X；
3. 陈荣盛; 康良云; 钟伟，金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和钝化层的制备方法(已公开)，CN4.5；
4. 刘俊杰; 陈荣盛; 钟伟，具有钝化增强层的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法(已公开)，CN8.2；
5. 陈荣盛; 李荣媛; 康良云; 钟伟，柔性衬底金属氧化物薄膜晶体管及其钝化层的制备方法(已公开)，CN9.7；

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