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广东工业大学信息工程学院研究生导师介绍章国豪

广东工业大学 免费考研网/2012-12-02


章国豪
ZHANGGUOHAO
教授

所属学院:
信息工程学院

导师类别:
博士生导师、硕士生导师

职  务:
信息工程学院院长

科研方向:
射频、微波及毫米波单片电路及组件等方面的产品研究

博士招生学院:
自动化学院

硕士招生学院:
信息工程学院、自动化学院


个人简述
(限300字)
???章博士,英国利兹大学微电子学与固体电子学博士,IEEE高级会员,IEEE?RFIC技术委员会评委,现任美国著名射频芯片公司(Skyworks?Solutions?Inc.)新产品开发部高级经理及资深首席设计师,该公司是世界上领先的专注于射频及无线半导体解决方案的公司,其通信终端功放和低噪声放大器芯片性能和销量占全球市场的43%,居世界首位。
???章博士长期丛事射频、微波及毫米波单片电路及组件等方面的产品研发,是通信终端核心射频芯片如功率放大器、极低噪声放大器、混频器、振荡器(RFIC?PA?、?LNA、Mixer、VCO)等方面的国际知名专家,对GaAs?HBT,?GaAs?pHEMT,SiGe?HBT,BiCMOS?FET、CMOS?FET等工艺及器件模型有很深入的研究,拥有二十多年产品设计和产业化经验,积累了丰富的项目管理和研发团队管理经验。曾作为团队带头人和项目负责人主持了20多项科研项目,在国际会议及刊物上发表论文30余篇,申请明专利10项;曾多次组织和主持业界重要的国际会议和论坛,作专题邀请报告10余次。此外,还作为团队带头人参与了中国某专用射频芯片设计有限公司承担的两项国家863计划项目。
???章博士特别是近八年受聘Skyworks?Inc以来,专门开发3G/4G智能手机及移动终端用的高线性射频单片集成功率放大器芯片及模组。2005年底完成鉴定的用于3G手机的高线性GaAs?HBT功放产品被Motorola公司的Riza机型和Rimm公司的Blackbury的某机型独家选用,2006年总出货量上千万。2007-2008年期间领导团队开发了一种全新的功放电路架构?(Dual?Mode?Load?Insensitive?Power?Amplifier?Architecture)。?采用此架构的功放性能少受负载变化的影响。用此新架构的3G功放系列大受手机供应商的青睐。章博士领导的团队用此新架构推出的第一款功放产品被Sony?Ericson?公司选中。2008年销量2千万。此新架构的发明被公司授予唯一2008年度发明大奖。我领导的团队用此新架构继续开发了通用于2.5G和3G手机的功放包括开关的前端模块,2009年被Nokia,?Samsung,LG,?Rimm,?等手机供应商选用,2009年总出货量为5千万余。章博士领导的团队还从2009年初开始于另一团队合作共同开发了最新一代多模(WCDMA/CDMA2000/LTE)共五款不同频率的手机功放芯片(含Daisy-Chain?Coupler)。2010年4月开始量产,?其中两款(cell?band和UMTS?band)至今总出货量已超过4千万。该产品系列广泛用于手机,Tablet,?数据卡等移动终端。此功放系列采用另一种新型电路架构,在低功率段有很大的效率改善,产品性价比属业界最优。此成果研发内容已在Skyworks2010年度的技术会议上发表,并获邀在2010年11月初的IEEE?ICSICT(中国上海)作特邀报告。章博士领导的团队目前正开发用倒装芯片封装技术的超小型,廉价,高性能智能手机用的功放芯片系列,预计2011年中完成。此产品将极具市场竞争力,各手机大厂都看好并拭目以待我们的新一代产品。此外本人还领导参与研发用于新一代移动通讯的基站推动级功率放大器,极低噪声放大器芯片,射频多路开关芯片等射频专用芯片的研发与产业化。
???章博士曾获南京电子器件研究所(55所)科技进步一等奖及电子部科技进步二等奖。赴美工作期间,多次荣获美国公司发明大奖,被美国最近出版的2010年期Who’s?who收编为名人录。主导撰写多部专著及公司内部技术报告。章博士现担任IEEE多种重要职务。曾多次组织和主持国际会议和论坛,作专题邀请报告10余次,并在多个科技协会和期刊中任审稿和编辑。

教育背景
1985年07月中国南京工学院(现东南大学)电磁场与微波技术学士学位(B.S.)
1988年04月中国南京工学院(现东南大学)电磁场与微波技术硕士学位(M.S.)
1996年11月英国英国Leeds大学微电子学博士学位(Ph.D)????????????????????


工作经历
1988年-1993年中国南京电子器件研究所微波集成电路及模组设计组组长
1996年-1998年美国Epsilon-LambdaElectronicsCorp高级工程师
1998年-2004年美国CaliforniaAmplifierInc.首席设计师
2004年至今美国SkyworksSolutionsInc.新产品开发部高级经理资深首席设计师


学术兼职
IEEE?Senior?Member
IEEE?Radio-Frequency?Integrated?Circuits?Symp.?(RFIC),?Technical?Program?Committee
IEEE?RFIC?Symp.,?Active/Passive?Circuit?Committee?Chair/co-Chair,?2007-2009.
Editorial?Board?Member,?International?Journal?of?Active?and?Passive?Electronic?Components,?Hindawi?Publishing?(http://www.hindawi.com).?


主要荣誉
?1st?Place?of?Advanced?Science?and?Technology?for?the?product:?the?Ka?band?Pulsed?Injection-locked?IMPATT?Oscillator,?in?Nanjing?Electronics?Device?Institute,?Nanjing,?P.?R.?China?in?1989.
?2nd?Place?of?Advanced?Science?and?Technology?for?the?product:?the?Ka?band?Pulsed?Injection-locked?IMPATT?Oscillator,?in?the?Ministry?of?Electronics,?P.?R.?China,?1990
?Sino-British?Scholarship?for?PhD?Education?in?the?United?Kingdom?from?1993-1996.
76GHz?Car?Collision?Avoidance?Front-end?Module:?1st?Prototype?in?the?world?for?Toyota?Motors,?Japan.
?Ku?band?dual?channel?extremely?low?noise?Direct-Broadcasting?Satellite?(DBS)?receivers?(chipset?and?module),?Innovation?Award,?California?Amplifier?Inc,?California,?USA,?in?2003.
?Load?Insensitive?Power?Amplifier?Technologies,?Innovation?Award,?Skyworks?Solutions?Inc,?USA,?in?2008.
??Who’s?Who?in?America,?2010?Edition.


主要论文
?在国际会议及刊物上发表论文30余篇,主导撰写多部公司内部技术报告。曾多次组织和主持国际会议和论坛,作专题邀请报告10余次。
?S.?Fan,?H.?Tang,?H.?Zhao,?X.?Wang,?A.?Wang,?B.?Zhao,?G.?Zhang,?“Enhanced?Offset?Averaging?Technique?for?Flash?ADC?Design”,?in?press,?Tsinghua?Science?and?Technology,?V16,?N3,?June?2011.
?X.?Wang,?L.?Lin,?H.?Tang,?H.?Zhao,?Q.?Fang,?J.?Liu,?S.?Fan,?A.?Wang,?B.?Zhao,?L.?Yang?and?G.?Zhang,?“Low?Power?3.1-10.6GHz?IR-UWB?Transmitter?for?Gbps?Wireless?Communications”,?in?press,?Science?China,?2011.
??J.?Liu,?L.?Lin,?X.?Wang,?H.?Zhao,?H.?Tang,?Q.?Fang,?A.?Wang,?L.?Yang,?H.?Xie,?S.?Fan,?B.?Zhao,?G.?Zhang?and?X.?Wang,?“Tunable?Low-Voltage?Dual-Directional?ESD?Protection?for?RFICs”,?Proc.?IEEE?RWS,?978-1-4244-7685-5/11,?pp.279-282,?January?2011.
?J.?Liu,?L.?Lin,?X.?Wang,?H.?Zhao,?H.?Tang,?Q.?Fang,?A.?Wang,?H.?Chen,?H.?Xie,?S.?Fan,?B.?Zhao?and?G.?Zhang,?“Vast-Fast?Low-Triggering?LTdSCR?ESD?Protection?Structure?for?RF?ICs?in?CMOS”,?IEEE?RFIC?Symp.,?pp.233-236,?2010.
??G.?Zhang,?S.?Khesbak,?A.?Agarwal?and?S.?Chin,”Evolution?of?Handset?RFIC?Power?Amplifiers”,?Invited,IEEE?Microwave?Magazine,?pp.?60-69,?Feb.,?2010.
?G.?Zhang,”Linear?Handset?Power?Amplifier?Architectures?and?its?Packaging?Technologies”,?Invited,Proc.?IEEE?International?Conference?on?Solid?State?and?Integrated?Circuit?Technology?(ICSICT),November,?2010.
?G.?Zhang,?“Multi-mode?handset?power?amplifier?design?with?high?performance?daisy?chain?coupler?at?cell?band”,?Proc.?Skyworks?Tech?Conf.,?2010.
?G.?Zhang?and?J.?Hoang?“Self-compensated?high?performance?daisy?chain?coupler?for?handset?linear?power?amplifier?applications”.?Proc.?Skyworks?Tech.?Conf.?2010.
??L.?Lin,?X.?Wang,?H.?Tang,?Q.?Fang,?H.?Zhao,?A.?Wang,?R.?Zhan,?H.?Xie,?C.?Gill,?B.?Zhao,?Y.?Zhou,?G.?Zhang?and?X.?Wang,?“Whole-Chip?ESD?Protection?Design?Verification?by?CAD”,?Invited,?Proc.?EOS/ESD?Symp,?pp.28-37,?2009.
??X.?Wang,?B.?Qin,?H.?Xie,?L.?Lin,?H.?Tang,?Q.?Fang,?H.?Zhao,?S.?Wang,?A.?Wang,?H.?Chen,?B.?Zhao,?Y.?Zhou,?L.?Yang?and?G.?Zhang,?“FCC-EIRP-Aware?UWB?Pulse?Generator?Design?Approach”,?Invited,?Proc.?IEEE?Intl.?Conf.?Ultra?Wideband?(ICUWB),?pp.592-596,?2009.
??F.?Zhang,?Z.?Wang,?A.?Wang,?W.?Chen,?B.?Zhao?and?G.?Zhang,?“Design?Optimization?and?Modeling?of?on-Chip?RF?Inductors?in?0.13μm?and?90nm?Standard?CMOS”,?Proc.?IEEE?MWSCAS,?pp.975-978,?2009.?
?X.?Mu,?Z.?Alon,?G.?Zhang?and?S.?Chang,”Analysis?of?Output?Power?Variation?under?Mismatched?Antenna?Load?in?Power?Amplifier?FEM?with?Directional?Coupler”,?Proc.?IEEE?MTTS-IMS,?pp.549-552,?2009.
??G.?Zhang,?S.?Chang,?S.?Chen?and?J.?Sun,?“Dual?Mode?Efficiency?Enhanced?Linear?Power?Amplifiers?Using?a?New?Balanced?Structure”,?Proc.?IEEE?RFIC?Symp.,?2009.
??X.?Wang,?H.?Tang,?L.?Lin,?Q.?Fang,?H.?Zhao,?Albert?Wang,?G.?Zhang,?X.?Wang,?Y?Zhou,?Lee?Yang?and?H.?Chen?,?“ESD?Protection?for?RF/AMS?ICs:?Design?and?Optimization”,?Invited,?Proc.?IEEE?Intl.?Conf.?IC?Design?and?Technology?(ICICDT),?pp25-28,?May?2009.
??G.?Zhang?and?S.?Chang,”Power?Amplifier?Architectures?for?3G?Handsets:?Balanced?v.s.?Single-ended?Structure”,Invited,IEEE?RFIC/IMS?Workshop?on?Power?Amplifiers?and?Transmitters?for?Mobile?Products,?2008.
??X.?Mu,?G.?Zhang?and?S.?Chang,?“AMS?power?amplifier?design?from?Passkey?to?Castor”,?Proc.?Skyworks?Tech.?Conf.,?2008.
?G.?Zhang,?S.?Chang,?Z.?Alon,?Albert?Wang?(not?me??Be?accurate.)?and?K.?Weller,”A?Balanced?Power?Amplifier?and?Its?Implementation?in?Mobile?Handsets”,Invited?paper,Microwave?Workshops?and?Exhibition?MWE,?2007,?Japan.
??G.?Zhang,?S.?Chang?and?Z.?Alon,”A?High?Performance?Balanced?Power?Amplifier?and?Its?Integration?into?a?Front-end?Module?at?PCS?Band”,?Proc.?IEEE?MTTS?International?Microwave?Symp.?(IMS),?pp.251-254,?2007.
??G.?Zhang,?S.?Chang?and?Albert?Wang,”WCDMA?PCS?Handset?Front?End?Module”,Proc.?IEEE?MTTS?International?Microwave?Symp.?(IMS),?pp.304-307,?2006.
???G.?Zhang,?R.?D.?Pollard?and?C.?M.?Snowden,?“Large?Signal?Optically?Controlled?HEMT?and?Oscillator?Design”,?IEE?Proc.-G,?Microwave,?Antenna?and?Propagation,?Vol.?143,?No.?6,?Dec.,?1996.
???G.?Zhang,?R.?D.?Pollard?and?C.?M.?Snowden,?“A?Novel?Technique?for?HEMT?Tripler?Design”,?Proc.?IEEE?MTTS-IMS,?1996.
??G.?Zhang,?R.?D.?Pollard?and?C.?M.?Snowden,?“The?Characterization?and?Large?Signal?Modeling?of?pHEMTs?with?and?without?Illumination”,?IEE?Colliqium?on?Optical?Control?of?Microwave?Circuit,?Feb.,?1996.
??G.?Zhang?and?R.?Tao,?“An?8mm?Frequency?Quadrupler”,?Research?and?Progress?of?Solid?State?Electronics?(SSE),?Journal?of?Nanjing?Electronics?Device?Institute?,?Nov.,?1994.?
??G.?Zhang,?“An?8mm?IMPATT?Injection-locked?Amplifier”,?Research?and?Progress?of?Solid?State?Electronics?(SSE),?Journal?of?Nanjing?Electronics?Device?Institute?,Nov.,?1993.?
??G.?Zhang?and?Q.?Zou,?“A?W-band?Electrically-tuned?Oscillator”,?Research?and?Progress?of?Solid?State?Electronics?(SSE),?Journal?of?Nanjing?Electronics?Device?Institute,?August?1993.?
??G.?Zhang?and?Q.?Zou,?“Design?and?Characterization?of?a?W-Band?Bias-tuned?Gunn?Diode?Oscillator”,?Proc.?of?Int’l?Conf.?Microwave?and?Communications,?June?1992.
??G.?Zhang?and?Q.?Yang,?“CAA?of?Discontinuities?of?Finline?with?Bends?or?T-junctions?by?the?Finite?Element?Method”,?Proc.?of?CIE/CIC?National?Conf.?Microwave,?Sept.,?1987.
???G.?Zhang?and?Q.?Yang,?“The?Finite?Element?Method?for?Solving?Dispersion?Characteristics?of?Finline?with?a?Circular?Cross?Section”,?Journal?of?Nanjing?Institute?of?Technology,?May?1987.


知识产权
???Multi-mode?High?Efficiency?Linear?Power?Amplifier,授权国家:美国(US7876160B2)
??Multi-mode?High?Efficiency?Linear?Power?Amplifier,授权国家:台湾中国(19308.0134U2)
Self-compensated?daisy?chain?high?directional?coupler,申请国家:美国(patent?pending)
?A?Method?and?Structures?to?Reduce?Coupling?Coefficient?Variation?and?VSWR?Using?Intended?Mismatch?in?Daisy?Chain?Couplers,?申请国家:美国(patent?pending)
?Dual?Supply?HBT?Biasing?Circuit?for?Low?Battery?Usage申请国家:美国(patent?pending)
?A?New?LIPA-Based?Architecture?for?Multi-mode?Power?Amplifier?Applications,?申请国家:美国(patent?pending)
???A?Novel?Tunable?Structure?for?EMI?Shielding?and?RF?Performance?Optimizing?of?Semiconductor?Devices,?申请国家:美国(patent?pending)
??RF?Power?Amplifier?Thermal?Relief?Enabler?using?a?Flip-chip?Packaging?Technology,?申请国家:美国(patent?pending)
?New?Laminate?Plating?Technology?for?High?Performance?and?Low?Cost?RF?Module?Applications,?申请国家:美国(patent?pending)
?A?Novel?RF?Shielding?Structure?for?RF?Power?Amplifier?Module,?申请国家:美国(patent?pending)


科研项目
1988-1989?Ka波段雪崩注入锁定放大器,多用,正样,一人,工程师,项目负责人?
1990?Ku波段介质振荡器(FET?DRO)、保安及自动门控制用的Ku波段收发前端,商用,澳大利亚,每年一万套,五人,工程师,项目负责人?
1991-1993?微组装Ku波段极宽带压控振荡器、W波段Gunn振荡器、Ka波段FWCW制导收发前端,多用,正样,十三人,微波集成电路设计组组长,项目管理?
1996-1998?76GHz汽车防控及智能控制的收发前端模组,商用,日本丰田汽车公司产权所有,五人,高级工程师,项目负责人?
1998-1999?宽带卫星通讯系统的C及Ku波段,MMIC极低噪声pHEMT放大器芯片,商用,美国DirecTV公司,每年百万套,两人,高级工程师,项目负责人?
2000-2001?C波段单路卫星通讯接收前端,商用,美国Echostar卫星电视公司,每年百万套,四人,首席工程师,项目负责人?
2002-2003?Ku波段双路卫星通讯接收前端,商用,美国Echostar卫星电视公司,每年百万套,五人,项目经理,首席工程师?
2003-2004?Ku波段VSAT卫星收发前端,多用,宽带卫星数据传输,小批量,五人,项目经理,首席设计师?
2004-2005?WCDMA?Front-end?Module?(FEM),商用,Motorola手机公司,小批量,五人,项目经理,首席设计师?
2006-2007?HSPA?Front-end?Module?(FEM),商用,MotorolaRiza机型,每年四百万套,五人,项目经理,首席设计师
2007-2008?GMSK/EDGE?Quad-band,?PA?FEM,商用,Apple公司iPhone?4,2010年出货八百万套,七人工程部技术经理,首席设计师,项目负责人
2008-2010?Multi-mode?Cell?Band?800MHz?PAM?andWCDMA?UMTS?900?PAM?两款产品,商用,Samsung,?Sony-Ericson及其他手机与数据卡产商至今出货四千万套,八人,工程部高级经理,智深首席设计师,项目负责人
2008至今?面向软件无线电的可重构射频集成电路设计,国家863课题项目,十人,课题组长?
2009至今?多模式多频段宽带无线通信射频前端SoC芯片开发,国家863课题项目,十三人,课题付组





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