王峰
EVERETTX.WANG
教授

所属学院：
信息工程学院

导师类别：
硕士生导师

科研方向：
纳米半导体器件设计与仿真、数字集成电路设计、固化软件开发、欠驱动系统和控制

硕士招生学院：
信息工程学院


个人简述
(限300字)
　　王峰教授1961年7月出生，美籍华人，是我校“百人计划”引进的特聘教授。王教授具有20多年在一流微电子芯片公司从事研究、设计和生产管理的能力。研发的成果被广泛用于英特尔公司纳米器件的研发，成为设计应力CMOS国际标准,长期维持和更新英特尔芯片设计工具，为LINUX内核贡献了实时驱动程序，被评为100位对LINUX内核贡献的华人之一。优秀工作曾荣获多个英特尔公司1999年的推动前沿奖、2000年英特尔制造工艺会议最佳论文奖和04年领导开发应力模型的团队质量奖。
　　王教授曾承担和参与多项英特尔公司芯片开发项目，参加过0.25微米0.18微米、0.13微米、90纳米、65纳米和45纳米器件开发任务，历任资深工程师（Sr.Engineer）、高级工程师(StaffEngineer)、资深高级工程师(Sr.StaffEngineer)，申报人研发的电子空穴迁移率模型、迁移率应力响应模型、CMOS量子力学模拟软件包、量子隧道效应模型、3维格点产生、流体力学模型和高能随机模拟软件包等成果广泛用于英特尔公司90纳米，65纳米和45纳米器件的前期研发。服务英特尔公司设计技术服务部，领导物理模型小组，研发65和45纳米力学应力CMOS器件，协助开发高K金属门技术,支持英特尔芯片设计软件。所研发的空穴迁移率力学应力模型已经成为设计应力CMOS国际标准。英特尔公司下属的光子技术部门，任热光开关产品项目经理，主持热光开关芯片的全面管理：从产品定义、设计到工艺开发、掩膜定制再到流片、测试和封装。
　　王教授在国际学报和国际期刊上发表论文47篇，美国和国际专利19项，他是国际电机电子工程师协会（IEEE）、硅谷科技协会、美中高层次人才协会、华美半导体协会、硅谷中国无线工程师协会、北美工程师协会、北大校友会会员。

教育背景
学位(加注英文)时间国家院校专业
学士学位1982年07月中国北京大学核物理
（B.S.）
硕士学位1986年04月中国中国科学院，理论物理所粒子物理
（M.S.）
博士学位1993年10月美国德克萨斯大学奥斯汀分校微电子学
（Ph.D）（UniversityofTexasatAustin）


工作经历
职务（加注英文）时间国家单位（加注英文）
资深工程师、高级工程师1993-1999美国英特尔公司-电脑辅助设计部
Sr.Engineer,StaffEngineerTCAD，IntelCorp.
主任工程师，产品经理1999-2002美国英特尔公司-光学通讯
Sr.StuffEngineer，productmanagerPhotonicTechnology,IntelCorp.
主任工程师、小组领导2002-2006美国英特尔公司-设计技术部
Sr.StaffEngineer,TeamleaderDesignTechnologyService,IntelCorp.
首席技术官2006-2011美国硅谷高峰技术公司
CTOEverteQInc.


主要论文
E.Wang,P.Matagne,L.Shifren,B.Obradovic,R.Kotlyar,S.Cea,M.Stettler,M.D.Giles,“PhysicsofholetransportinstrainedsiliconMOSFETinversionlayers”,IEEETransactionsonElectronDevices,Vol.53,No.8,August2006,P.1840.
lS.Dey,M.Agostinelli,C.Prasad,X.Wang,andL.Shifren,“Effectsofhotcarrierstressonreliabilityofstrained-simosfets”,IEEEInternationalReliabilityPhysicsSymposium,pp.461-464,SanJose,California,2006
lL.Shifren,X.Wang,P.Matagne,B.Obradovic,C.Auth,S.Cea,T.Ghani,J.He,T.Hoffman,R.Kotlyar,Z.Ma,K.Mistry,R.Nagisetty,R.Shaheed,M.Stettler,C.Webber,andM.D.Giles,"Drivercurrentenhancementinp-typemetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistorsundershearuniaxialstress",Appliedphysicsletters.Vol.85,No.25,2004,P.6188
lE.Wang,P.MatagneL.Shifren,B.Obradovic,R.Kotlyar,S.Cea,J.He,Z.Ma,R.Nagisetty,S.Tyagi,M.Stettler,andM.D.Giles,“Quantummechanicalcalculationofholemobilityinsiliconlayersunderarbitrarystress”,IEEEIEDM’04P.147,SanFrancisco,2004
lS.Cea,M.Armstrong,C.Auth,T.Ghani,M.D.Giles,T.Hoffmann,R.Kotlyar,P.Matagne,K.Mistry,R.Nagisetty,B.Obradovic,R.Shaheed,L.Shifren,M.Stettler,S.Tyagi,X.Wang,C.Weber,K.Zawadzki,“Frontendstressmodelingforadvancedlogictechnologies”,IEEEIEDM’04P.963,SanFrancisco,2004
lR.Kotlyar,M.D.Giles,P.Matagne,B.Obradovic,L.Shifren,M.Stettler,E.Wang,“InversionMobilityandgateleakageinhigh-k/metalgateMOSFETs”,IEEEIEDM’04P.391,SanFrancisco,2004
lM.D.Giles,M.Armstrong,C.Auth,S.M.Cea,T.Ghani,T.Hoffmann,R.Kotlyar,P.Matagne,K.Mistry,R.Nagisetty,B.Obradovic,R.Shaheed,L.Shifren,M.Stettler,S.Tyagi,X.Wang,C.Weber,K.Zawadzki,“UnderstandStressenhancedPerformanceinIntel90nmCMOStechnology”,2004.Symposiumontechnology.PP.118-119
lB.Obradovic,P.Matagne,L.Shfren,X.Wang,M.Stettler,J.HeandM.D.Giles,“Aphysically-basedanalyticmodelforstress-inducedholemobilityenhancement”,InternationalComputationalElectronics,2004.IWCE-102004.Abstracts.10thInternationalWorkshoponComputationalElectronics2004PP.26–27
lPaulPackanMarkDoczy,RafaelRios,TahirGhani,BrianDoyle,EverettWang,"UnderstandingFundamentalTradeoffsinMetalGateMOSDevices",IntelProcessTechnologyConference,SanFrancisco,CA.2000
lE.Wang,P.Packan,M.Giles,R.RiosandF,Leon,"Applicationof
lQuantumModelinginDeepSubmicron/Ultra-thinTechnologies",InvitedTalk,NASADeviceSimulationWorkshop,MountainView,CA,May,1999
lW.Shih,E.Wang,S.Jallepalli,F.Leon,C.MaziarandA.Tasch,"ModelinggateleakagecurrentinnMOSstructuresduetotunnelingthroughanultra-thinoxide",SolidStateElectronics.Vol.42,No.6,1998
lK.Seshan,D.Scharfetter,B.Johnson,T.MariebandE.Wang,"Bi-AxialUni-AxialStressEffectsonP865DeviceParameters",IntelProcessTechnologyConference98',Oct.12-13,1998,SanFrancisco,CA.AbstractappearsinProceedingpage41-44.
lE.Wang,D.Scharfetter,P.Aminzadeh,M.Alavi,F.LeonandW.Shih,"ModelingofReverseTemperatureDependenceofSubstrateCurrentforDeepSubmicronMOSFETswithScaledVoltageSupply",IntelProcessTechnologyConference98',Oct.12-13,1998,SanFrancisco,CA.AbstractappearsinProceedingpage77-80.
lE.Wang,M.Stettler,S.YuandC.Maziar,"ApplicationofCumulantExpansiontotheModelingofNon-localEffectsinSemiconductorDevices",InternationalWorkshoponComputationalElectronicsVI,Sep.19-21,1998,Osaka,Japan
lE.WangandF,Leon,"DeviceSimulationRequirementsinIndustrialEnvironment",InvitedTalk,NASADeviceSimulationWorkshop,MountainView,CA,1997
lE.Wang,M.Giles,S.Yu,F.Paco,A.Hiroki,andS.Odanaka,"RecursiveM-treeMethodfor3-DAdaptiveTetrahedralMeshRefinementandItsApplicationtoBrillouinZoneDiscretization",SISPAD'96,Sep.2-4,1996,Tokyo,Japan
lGhetti,X.Wang,F.VenturiandF.Leon,"StabilityIssuesinSelf-consistentMonteCarlo-PoissonSimulation",SimulationofSemiconductorDevicesandProcesses,Vol.6,EditedbyH.Pichler,Sep.1995,p.388