导师简介-蔡丽娥




技术职称：讲师
所获学位：博士
研究方向：
1、Ⅲ-Ⅴ族GaN基半导体材料光电性能；
2、GaN基发光器件，包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔面发射激光器（VCSE）
联系电话：
电子邮箱：@xmut.edu.cn
个人简介：蔡丽娥，女，福建莆田，博士学位。
教育经历：
1、1995.09-1999.06 闽南师范大学，物理教育，本科
2、2006.09-2011.07 厦门大学，微电子学与固体电子学专业，工学博士学位
科研项目：
1、 半导体器件发光特性关键技术研发ZK-HX200907， 企业横向课题， 起止时间：2020.9-2022.8，主持。
2、 福建省教育厅A类重点项目，用于GaN基发光器件的谐振腔研究（JA12249），起止时间：2012.08-2015.08，主持。
3、 厦门理工学院高层次人才项目，谐振腔对发光二极管性能的影响（YKJ11026R），2011.11.01-2013.11.30, 主持。
4、 国家自然科学基金，具有铜电极的氧化物TFT中的铜原子扩散及其抑制方法研究（**），2017.08.18- 2020.12.31，参与。
5、 省属高校资助项目，分段式自由曲面太阳能聚光镜设计研究（JK**），2017.12.19- 2020.05.31，参与。
6、 福建省自然科学基金项目，基于氮化镓的高开路电压、高能量密度钷-147微型同位素电池的研究（2013J0102），2013.09.13- 2015.12.31，参与。
7、 国家自然科学基金，硅基红外焦平面器件的原位纳米横向生长应变复合衬底研究（**），2013.08.15- 2016.12.31，参与。
8、 厦门理工学院科研基金项目，AlN MOVPE分层生长模式的研究（JB13150），2013.10.14- 2015.12.31，参与。
9、 福建省教育厅项目-B类项目，聚苯乙烯球粗化GaN基LED的研究（JB12182），2012.07.01- 2015.06.30，参与。
发表论文:
蔡丽娥*，张保平，张江勇，沈汉鑫，朱文章，“GaN基蓝光VCSEL的制备及光学特性” ，发光学报，卷37, 期4：65-69（2016）。
王霏， 吕雪芹， 丁鼎，蔡丽娥，“785nm便携式光栅外腔可调谐半导体激光器的研制和输出特性” 光谱学与光谱分析，卷37, 期2：612-617（2017）。
Hong-Yi Lin, Nigel Copner, Dong Sun, Li-E Cai, Wen-Zhang Zhu, "Dual-wavelength CW a-cut Nd:YVO4 laser at 1064.3 and 1066.7 nm", Optik 127 (2016) 9073–9075
Hong-Yi Lin, Xiao-Hua Huang, Ying-Chao Xu,Xian-Guo Meng, Li-E Cai, "Mid-infrared, wide-tunable, continuous-wave Nd:YVO4/PPMgLN intracavity optical parametric oscillator", Optik, 0030-4026, 125：6969–6971,2014
M. Chen, B. P. Zhang*, L. E. Cai, J. Y. Zhang, L. Y. Ying and X. Q. Lv,"Auto-Split Laser Lift-Off Technique for Vertical-Injection GaN-Based Green Light-Emitting Diodes", IEEE Photonics Journal, 5，** (2013)
M. Chen, W. J. Liu, L. E. Cai, J. Y. Zhang, L. Sun, M. M. Liang, X. L. Hu, X. M. Cai, F. Jiang, X. Q. Lv, L. Y. Ying, Z. R. Qiu and B.P.Zhang*. "Fabrication of Veritcal-structured GaN-Based Light-Emitting Diodes Using Auto-Split Laser Lift-Off Technique", Electrochemical and Solid State Letters, 1，Q26-Q28 (2012)
L. E. Cai, B. P. Zhang, J. Y. Zhang, C. M. Wu, F. Jiang, X. L. Hu, M. Chen, Q. M. Wang "Improvement of efficiency droop of GaN based light emitting devices by a rear nitride reflector", Physica E 43, 289-292(2010).
L. E. Cai, J. Y. Zhang, B. P. Zhang, S. Q. Li, D. X. Wang, J. Z. Shang, F. Lin, K. C. Lin, J. Z. Yu and Q. M. Wang, “Blue-green optically pumped GaN-based vertical cavity surface emitting laser”, Electronics Letters 44, 972 (2008).
Hong-Yi Lin, Xiao-Hua Huang, Ying-Chao Xu, Xian-Guo Meng, Li-E Cai，“Mid-infrared, wide-tunable, continuous-wave Nd:YVO4/PPMgLN intracavity optical parametric oscillator”， Optik, 0030-4026, 125：6969–6971（2014）
F. Jiang, L. E. Cai, J. Y. Zhang, B. P. Zhang, "Formation of high reflective Ni/Ag/Ti/Au contact on p-GaN", Physica E 42, 2420–2423(2010).
J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, X. L. Hu, F. Jiang, J. Z. Yu, Q. M. Wang, "Efficient hole transport in asymmetric coupled InGaN multiple quantum wells", Appl. Phys. Lett. 95,161110(2009)
J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang*, S. Q. Li et a1, "Blue-Violet Lasing of Optically Pumped GaN-Based Vertical Cavity Surface Emitting Laser With Dielectric Distributed Bragg Reflectors", Journal of Lightwave Technology 27, 55 (2009).
J. Z. Shang, B. P. Zhang, M. H. Mao, L. E. Cai, J. Y. Zhang, Z. L. Fang, B. L. Liu, J. Z. Yu, Q. M. Wang, K. Kusakabe and K. Ohkawa, “Growth behavior of AlInGaN films”, Journal of Crystal Growth, 311, 474 (2009).
J. Y. Zhang, L. E. Cai, B. P. Zhang, S. Q. Li, F. Lin, J. Z. Shang, D. X. Wang, K. C. Lin, J. Z. Yu, Q. M. Wang, "Low threshold lasing of GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with an asymmetric coupled quantum well active region", Appl. Phys. Lett 93, 191118 (2008).
J. Z. Shang, B. P. Zhang, C. M. Wu, L. E. Cai, J. Y. Zhang, J. Z. Yu and Q. M. Wang, “High Al-content AlInGaN epilayers with different thicknesses grown on GaN-Sapphire templates”, Applied Surface Science 255, 3350 (2008).
专利申请：
张保平，蔡丽娥, 刘宝林，余金中，王启明，大功率半导体微腔发光二极管，申请号：7.7, 授权。
张江勇, 张保平，王启明，蔡丽娥，余金中, “一种氮化物发光器件及其制备方法”，申请号:1.1，授权。