龙浩
系别：微电子与集成电路系
职称：副教授
邮箱：longhao@xmu.edu.cn
联系方式：
办公地点：海韵园行政楼


个人简历:
学历：
北京大学理学学士，物理学专业
北京大学理学博士，凝聚态物理专业


研究方向：
半导体光电子学、发光二极管、半导体可见光激光器


主讲课程：
概率统计B，专业英语（本科生课）
半导体光电子学、工程伦理（研究生课）


成果奖励：
III-V族氮化物材料生长用图形化蓝宝石衬底关键技术与产业化；教育部科技进步国家二等奖（参与人）（2015）


课题项目：
利用碳纳米管改善激光剥离工艺及垂直结构LED的研究，国家自然科学基金（青年）项目，2018.01-2020.12，主持
纳米图形化（001）Si上生长半极性GaN及其LED器件，博士后基金，2015.11-2017.04，主持


代表作：
[1] J.Z.Wu, Hao Long * et.al.；Reduction of Lasing Threshold of GaN-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers by Using Short Cavity Lengths； IEEE Transactions on Electron Devices; 2018, 65,6,2504-2508
[2] Hao Long, et.al.; Carbon nanotube assisted Lift off of GaN layers on sapphire; Applied Surface Science; 2017, 394, 598-603
[3] Hao Long, et.al.; Modulating Lateral Strain in GaN-Based Epitaxial Layers by Patterning Sapphire Substrates with Aligned Carbon Nanotube Films; Nano Research, 2012,5,9,646
[4] Hao Long et.al.; High quality GaN epilayers grown on carbon nanotube patterned sapphire substrate by metal–organic vapor phase epitaxy; CrystEngComm; 14,4728,2012
[5] Hao Long et.al.; Different exciton behaviors in blue and green wells of dual-wavelength InGaN/GaN MQWs structures; Journal of Applied Physics; 111, 5, 2012
[6] Hao Long et.al.; Modulation of anisotropic crystalline in a-plane GaN on HT-AlN buffer layer; Applied Surface Science; 258, 15, 2012
[7] Z.M.Zheng, Hao Long* et.al.; Loss analysis in nitride deep ultraviolet planar cavity; Journal of Nanophotonics; 12,04, 2018