硕士生导师
姓名： 苏少坚
学历 /学位：博士
职称 /职务：副教授
所属部门：信息学院电子科学与技术系（原光电系）
办公室：厦门校区机电信息大楼B350室
E-mail： sushaojian@hqu.edu.cn




【简介】
苏少坚，男，汉族，福建安溪人，2007年本科毕业于山东大学物理学院，获理学学士学位；2012年博士毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。2012年至今任职于华侨大学信息科学与工程学院。
【讲授课程】

本科生《大学物理》、《半导体器件基础》，研究生《半导体器件制作工艺》。
【研究领域】
硅基光子学、IV族半导体材料及其光电子和微电子器件、非晶晶化技术
【科研项目】
目前主持一项国家自然科学基金青年项目和一项福建省自然科学基金青年项目，参与一项国家自然科学基金青年项目。
【学术发表】
已在国内外期刊和会议上署名发表论文约50篇，代表性论著如下：
[1] S. Su, D. Zhang, C. Xue, B. Cheng, “Influence of growth and annealing temperature on the strain and surface morphology of Ge ₉₉₅Sn _0.005epilayer,” Applied Surface Science, vol. 340, pp132-137, 2015.
[2] S. Su, D. Zhang, G. Zhang, C. Xue, B. Cheng, “Growth of Ge _1-xSn _x/Ge strained-layer superlattices on Si(100) by molecular beam epitaxy,” Superlattices and Microstructures, vol. 64, pp. 543-551, 2013.
[3] S. Su, G. Han, D. Zhang, G. Zhang, C. Xue, Q. Wang, B. Cheng, “Strained germanium-tin pMOSFET fabricated on a silicon-on-insulator substrate with relaxed Ge buffer,” Chinese Physics Letters, vol. 30, no. 11, pp. 118501, 2013.
[4] 苏少坚，张东亮，张广泽，薛春来，成步文，王启明，“Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge _1-xSn _x合金”， 物理学报，vol. 62，no. 5, pp. 058101, 2013.
[5] S. Su, B. Cheng, D. Zhang, G. Zhang, C. Xue, Q. Wang, “Growth of Ge _1-xSn _x alloys using combined sources of solid tin and gaseous germane,” ECS Transactions, vol. 50, no. 9, pp. 903-906, 2012.
[6] 苏少坚, 成步文, 薛春来, 张东亮, 张广泽, 王启明, “GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏移”, 物理学报, vol.61, no.17, pp.176104, 2012.
[7] S. Su, B. Cheng, C. Xue, W. Wang, Q. Cao, H. Xue, W. Hu, G. Zhang, Y. Zuo, and Q. Wang, “GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection,” Optics Express, vol.19, no.7, pp.6400-6405, 2011.
[8] S. Su, W. Wang, B. Cheng, G. Zhang, W. Hu, C. Xue, Y. Zuo, and Q. Wang, “Epitaxial growth and thermal stability of Ge _1-xSn _x alloys on Ge-buffered Si(001) substrates,” Journal of Crystal Growth, vol.317, no.1, pp.43-46, 2011.
[9] S. Su, W. Wang, B. Cheng, W. Hu, G. Zhang, C. Xue, Y. Zuo, and Q. Wang, “The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge _1-xSn _x alloys,” Solid State Communications, vol.151, no.8, pp.647-650, 2011.