个人简介：
罗求发，男，1989年出生于福建龙岩，2018年7月毕业于华侨大学，获工学博士，于2020年1月到华侨大学工作。


主要任职：
华侨大学，制造工程研究院，讲师


研究方向：
高效精密加工


研究领域：
半导体衬底超精密加工；
新型磨抛工具设计及制备技术


工作经历：
(1) 2020-01至今, 华侨大学, 制造工程研究院, 讲师
(2) 2018-07至2019-12, 厦门芯光润泽科技有限公司, 碳化硅衬底事业部,项目负责人


学习经历：
(3) 2014-09至2018-07, 华侨大学, 机电及自动化学院, 博士
(4) 2008-09至2012-06, 华侨大学, 机电及自动化学院，学士


主持或参加的科研项目：
(1)国家自然科学基金面上项目,**,硬核软壳纳米复合磨粒的半固结柔性加工技术基础研究,80万元，2015-01至2018-12，参与；
(2)国家自然科学基金面上项目,**, LED半导体基片研磨工具制备新方法和及其加工机理研究,78万元，2016-01至2019-12，参与；
(3)国家自然科学基金面上项目,**,大尺寸金刚石磨盘超声辅助行星磨削SiC晶片关键技术基础研究,62万元,2017-01至2020-12，参与。


主要论著与学术论文：
(1) Qiufa Luo, Jing Lu, Xipeng Xu. A comparative study on the material removal mechanisms of 6H-SiC polished by semi-fixed and fixed diamond abrasive tools, Wear, 2016, 350-351: 99-106. (SCI三区，IF=2.950)
(2) Qiufa Luo, Jing Lu, Xipeng Xu. Study on the processing characteristics of SiC and sapphire substrates polished by semi-fixed and fixed abrasive tools, Tribology International, 2016, 104: 191-203. (SCI二区，IF=3.517)
(3) Qiufa Luo, Jing Lu, Xipeng Xu, Feng Jiang. Removal mechanism of sapphire substrates (0001, 11-20 and 10-10) in mechanical planarization machining, Ceramics International, 2017, 43: 16178-16184. (SCI二区Top，IF=3.450)
(4) Jing Lu, Qiufa Luo, Xianyan Mao, Xipeng Xu, Yanhui Wang, Hua Guo. Fabrication of a resin-bonded ultra-fine diamond abrasive polishing tool by electrophoretic co-deposition for SiC processing, Precision Engineering, 2017, 47: 353-361. (SCI三区, IF=2.685)
(5) Jing Lu, Qiufa Luo, Xipeng Xu, Hui Huang, Feng Jiang. Removal mechanism of 4H- and 6H-SiC substrates (0001 and 000-1) in mechanical planarization machining, Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers Part B-Journal of Engineering Manufacture, 2019, 233(1) 69-76. (SCI四区，IF=1.752)
(6) 陆静, 罗求发, 宋运运, 胡光球, 徐西鹏. 凝胶结合剂超细金刚石磨粒工具的制备及应用, 机械工程学报, 2015, 51(15): 205-212. (EI)
(7) 陆静；徐西鹏；张大语；许永超；罗求发. 一种硬核软壳复合磨料及其制备方法和应用, ZL3.3, 2019. (发明专利)
(8) Lu Jing; Xu Xipeng; Zhang Dayu; Xu Yongchao; Luo Qiufa. Composite abrasive with hard core and soft shell, manufacturing method and application method, US**B2, 2020. (美国专利)


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