基本内容:

（一）半导体中的电子状态

半导体中的电子状态和能带，半导体中电子的运动、有效质量，本征半导体的导电机构、空穴，回旋共振（了解），硅和锗的能带结构，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构。
（二）半导体中的杂质和缺陷能级

硅、锗晶体中的杂质能级，Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级，缺陷和位错能级。
（三）半导体中载流子的统计分布

状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般 情况下的载流子统计分布，简并半导体。
（四）半导体的导电性

载流子的漂移运动和迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻耳兹曼方程，电导率 的统计理论，强电场下的效应和热载流子，多能谷散射和耿氏效应。
（五）非平衡载流子

非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费未能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散 运动，爱因斯坦关系式，连续性方程。
（六）金属和半导体的接触
金属半导体接触及其能带图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触。
（七）半导体表面理论

表面态、表面电场效应，MIS结构的电容-电压特性，硅-二氧化硅系统的性质，表面电导及迁移率，表面电场对PN 结特性的影响。

（八）半导体的光学性质和光电效应

半导体的光学常数，半导体的光吸收，半导体的光电导，半导体的光生伏特效应，半导体发光。

（九）半导体异质结构（了解）

半导体异质结及其能带图、异质PN结的I-V特性及其注入特性、异质结量子井及其电子能态与特性

参考书目 (包括作者、书目、出版社、出版时间、版次)：

1. 刘恩科、朱秉升、罗晋生等编著，《半导体物理学》，电子工业出版社.2007.12（主要参考书目）

2. 黄昆等《半导体物理学》，科学出版社，1979

3. 王长安等编，《半导体物理基础》，上海科技出版社1985.10

4. 田敬民编著《半导体物理问题与习题》，国防工业出版社2004.5

5. 张安康,周凤林编著，《半导体物理问题与习题》，江苏科技出版社1992.7

6. 施敏等，《半导体器件物理与工艺》，苏州大学出版社2002年版

7. R. M. Warner ，B. L. Grung 著，吕长志等译，《半导体器件电子学》，电子工业出版社，2005

8. 《固体物理学》谢希德、方俊鑫 上海科技出版社 1980.12