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福建物质结构研究所海西研究院导师教师师资介绍简介-刘伟

本站小编 Free考研考试/2021-05-15

刘伟,博士、研究员、博士生导师。2008年于中科院化学研究所获得博士学位。2008年9月至2010年3月,从事博士后研究工作。2010年3月到2016年4月先后以博士后与研究科学家身份从事科研工作。2016年4月到中科院福建物质结构研究所工作,任研究员、课题组长。
近五年来,在低维材料及其电子器件领域, 发表期刊论文23篇和19篇国际会议论文,其中5篇会议论文发表在世界电子器件领域顶级会议International Electron Device Meeting (IEDM)上。
联系方式:
Email:liuw@fjirsm.ac.cn 电话:+86-
主要研究方向:
(1)碳纳米管、石墨烯与二维半导体薄膜的合成与性能调控;
(2)应用于大规模集成电路的石墨烯/碳纳米管互联线器件;
(3)高性能碳纳米管/二维半导体薄膜晶体管;
(4)基于二维半导体异质结的电子隧穿器件;
(5)用于合成人工燃料的高性能光电转换器件。
代表论文:
  1. Liu, W.; Kang, J.; Sarkar, D.; Khatami, Y.; Jena, D.; Banerjee, K., Role of metal contacts in designing high-performance monolayer n-type WSe2 field effect transistors. Nano Letters 2013, 13 (5), 1983-1990.
  2. Liu, W.; Sarkar, D.; Kang, J.; Cao, W.; Banerjee, K., Impact of contact on the operation and performance of back-gated monolayer MoS2 field-effect-transistors. ACS Nano 2015, 9 (8), 7904-7912.
  3. Liu, W.; Kang, J.; Cao, W.; Sarkar, D.; Khatami, Y.; Jena, D.; Banerjee, K. In High-performance few-layer-MoS2 field-effect-transistor with record low contact-resistance, 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE: 2013; 19.4. 1-19.4. 4.
  4. Liu, W.; Xiu, F.; Sun, K.; Xie, Y.-H.; Wang, K. L.; Wang, Y.; Zou, J.; Yang, Z.; Liu, J., Na-doped p-type ZnO microwires. Journal of the American Chemical Society 2010, 132 (8), 2498-2499.
  5. Liu, W.; Jackson, B. L.; Zhu, J.; Miao, C.-Q.; Chung, C.-H.; Park, Y.-J.; Sun, K.; Woo, J.; Xie, Y.-H., Large scale pattern graphene electrode for high performance in transparent organic single crystal field-effect transistors. ACS Nano 2010, 4 (7), 3927-3932.
  6. Liu, W.; Cui, Z.-M.; Liu, Q.; Yan, D.-W.; Wu, J.-Y.; Yan, H.-J.; Guo, Y.-L.; Wang, C.-R.; Song, W.-G.; Liu, Y.-Q., Catalytic synthesis and structural characterizations of a highly crystalline polyphenylacetylene nanobelt array. Journal of the American Chemical Society 2007, 129 (43), 12922-12923.
  7. Sarkar, D.; Xie, X.; Liu, W.; Cao, W.; Kang, J.; Gong, Y.; Kraemer, S.; Ajayan, P. M.; Banerjee, K., A subthermionic tunnel field-effect transistor with an atomically thin channel. Nature 2015, 526 (7571), 91-95.





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