曾卉一
曾卉一,博士,副研究员。1992.9-1995.7在武汉大学化学系有机化学/金属有机化学专业从事新颖的全功能化光折变聚合物设计、合成和性能研究,获理学硕士学位。1995.9-1998.11在中国科学院福建物质结构研究所物理化学专业从事多元稀土硫属化合物合成、结构和性能研究,获理学博士学位,毕业后留所工作。2003.3-2005.6在MaxPlanckInstituteforSolidStateResearch(Stuttgart,Germany)与Dr.Hj.Mattausch合作从事Rareearth-Boron-Halides研究。2006.2-2006.12在NorthwesternUniversity化学系(Evanston,IL60208-3113,USA)与Prof.JamesA.Ibers合作从事ActinideTransition-MetalChalcogenidesandPnictides研究。
早期从事有机非线性光学材料的研究,提出全功能化有机硅聚合物光折变材料的设想并合成出首例非线性发色团键合在侧链上的聚硅烷(此后该研究思路被原课题组多人采用并取得重要成果),在全功能化有机硅聚合物光折变材料的研究方面做出开创性的工作。在从事硫属化合物的合成、结构、晶体生长和性能研究的过程中,发展了卤化物反应性助融剂法,通过卤化物反应性助融剂法成功得到三元、四元甚至五元硫属化合物及其晶体。在稀土-硼-卤化物的合成与结构研究过程中,得到多个结构新颖的三元富金属卤化物,含B3、B6、B8环的层状化合物La2XB3(X=Cl,Br)的合成及晶体结构的完全确定解决了困扰Simon研究组多年的B网问题。在从事锕系元素(Th,238U)-过渡金属硫属化合物和磷属化合物研究过程中获得Ba2UCu2S5、KUCuS3两个新化合物,生长出长度超过8mm的RbUCuS3、CsUCuS3单晶,为研究RbUCuS3、CsUCuS3单晶的电导率作出了重要贡献。
已申请发明专利2件(第一发明人),在Inorg.Chem.、J.AlloysCompds.等刊物发表论文30余篇。
研究兴趣:
有机固体化学、无机固体化学、红外非线性光学材料的合成与晶体生长
联系电话:** Email:zhy@fjirsm.ac.cn
代表作:
1.含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法,曾卉一、黄锦顺、郭国聪、郑发鲲、董振超,中国发明专利,公开号CN1952222
2.非中心对称结构稀土硫化物,曾卉一、郭国聪、黄锦顺、郑发鲲,中国发明专利,公开号CN1951820
3.Hui-YiZeng,Fa-KunZheng,Guo-CongGuo,Jin-ShunHuang,Synthesesandsingle-crystalstructuresofLa3AgSnS7,Ln3MxMS7(Ln=La,Ho,Er;M=Ge,Sn;1/4≤x≤1/2),J.Alloys.Compds.,online.
4.Hui-YiZeng,Mar’yanaLukachuk,HirokiOkudera,ChongZheng,HansjürgenMattausch,andArndtSimon,La2XB3(X=Cl,Br):ANovelLayeredStructurewithPlanarBoronNetsofB3,B6andB8Rings,Z.Anorg.Allg.Chem.2007,633,1359-1365.
5.Hui-YiZeng,Fa-KunZheng,Rui-PingChen,Zhen-ChaoDong,Guo-CongGuo,Jin-ShunHuang,ReactiveFluxSynthesis,CrystalStructureandBandGapsofAInS2(A=Rb,Cs),J.Alloys.Compds.2007,432,69-73.
6.Hui-YiZeng,HansjürgenMattausch,ArndtSimon,Fa-KunZheng,Zhen-ChaoDong,Guo-CongGuo,andJin-ShunHuang,KCaEr2CuS5:ANewPentanaryRare-EarthLayeredChalcogenidewithoutSubstitutionalDisorder,Inorg.Chem.2006,45(19),7943-7946.
7.Hui-YiZeng,HirokiOkudera,ChongZheng,HansjürgenMattausch,ReinhardK.Kremer,andArndtSimon,La3Cl3BC–Structure,BondingandElectricalConductivity,Z.Naturforsch.2005,60b,499-504.
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福建物质结构研究所研究生导师简介-曾卉一
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