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1.IntroductionSiCMOSFET,asoneofthemostpromisingpowerswitchdevices,hasreplacedpartofSicounterpartinmanyapplications.Inacommonbridgerectifiercircuit,SiC ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01A novel 4H-SiC trench MOSFET with double shielding structures and ultralow gate-drain charge
1.Introduction4H-siliconcarbide(4H-SiC)MOSFETsareattractiveforconvertersandinverterswhichrequirefastswitchingspeedandlowspecificRon,sp,owingtosuperior ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01An improved SOI trench LDMOST with double vertical high-k insulator pillars
1.IntroductionThelateraldoublediffusedmetal–oxide–semiconductortransistor(LDMOST)hasbeenwidelyusedinsmartpowerintegratedcircuits(SPIC).Themaindesignta ...中科院半导体研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-01VIP万种考研考证电子书、题库、视频随便看,每本不到一分钱!
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