姓名：黄义
性别：男
电子邮件：
职称：副教授
单位：光电学院、半导体学院
学位：工学博士



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黄义，男，中共党员，重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院副教授，重庆巴渝****（青年），中科院西部青年****。2012年博士毕业于南京大学电子科学与工程学院微电子与固体电子学专业，曾获教育部首届“博士研究生学术新人奖”；先后为重庆市选调生、重庆邮电大学教师，现在主要致力于功率芯片设计、第三代半导体GaN、SiC器件、半导体光电显示材料、半导体纳米材料等领域。曾主持国家级自然科学基金、中央引导地方发展专项共2项，主持重庆市产业重大主题专项，一般项目、决策咨询项目等8项，主持中国科学院、南京大学、青海中利公司等横向项目3项；在Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters、J. Photon. Energy、Materials Science and Engineering B、Solar Energy Materials and Solar Cells等国际知名重要期刊发表论文10余篇、授权专利3项。近几年来，致力于科技成果转化推动工作，作为重庆市科技成果转化决策咨询、高新技术企业评审专家，相关咨询建议成果获重庆市主要领导批示与推广；推动高速低功耗芯片、环保阻燃复合胶粘剂新材料等系列技术成果转化与产学研合作，获得中国产学研合作促进会创新成果二等奖1项（排名3），重庆市委优秀调研成果二等奖1项。

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2009.9-2012.6
 南京大学 |  工学博士 
2007.9-2009.7
 南京大学 |
2003.9-2007.6
 西南大学 |

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邮箱:

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姓名：黄义
性别：男
电子邮件：
职称：副教授
单位：光电学院、半导体学院
学位：工学博士



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科技奖励： 省高端人才
论文成果： Study on silicon nanopillars with ultralow broadband reflectivity via maskless reactive ion etching at room temperature .Materials Science and Engineering B .2017 Comparative investigation on designs of light absorption enhancement of ultrathin crystalline silicon for photovoltaic applications .journal of photonics for energy .2016 科研项目： 栅注入晶体管结构的p-GaN/InAlN/GaN常关型功率器件研究 , 2017/09/01 -2020/12/31 AlInN雪崩光电二极管的研究 , 2015/06/26 -2018/08/25 InAlN栅注入晶体管（GIT）功率开关器件仿真设计与制备 , 2016/06/28 -2018/06/30 基于GaN材料栅注入晶体管GIT功率开关器件研究 , 2016/06/25 -2019/06/30 InAlN栅注入晶体管(GIT)功率开关器件仿真设计与制备 , 2016/07/01 -2018/06/30 宽禁带半导体栅注入晶体管（GIT）大功率电力开关的研究 , 2016/07/07 -2017/07/07