近年来，王少峰教授致力于根据离散晶格动力学建立全离散位错晶格理论，导出能够刻画位错芯结构及其性质的位错方程，发展位错方程的有效近似求解方法，并将新理论广泛应用于铜、铝、铁等金属和合金，半导体硅，碳纳米管，石墨烯等材料中的位错。位错晶格理论确定了材料声子谱对位错的结构及其物理性质的影响，确定了材料广义层错能对位错的结构的影响，并且可以揭示位错芯重构、位错扭折等复杂的过程和现象。这对于在原子和电子微观层次上理解认识材料的延展性、脆性和强度等宏观性质有着重要的理论意义。近十年来，位错晶格理论获得国家自然科学基金三次持续资助，在国际主要物理学期刊发表论文30余篇，研究工作受到同行的关注和肯定。