姓名：刘金龙 所在系所： 功能材料研究所
职称： 副研究员
通信地址： 北京市海淀区学院路30号北京科技大学新材料技术研究院
邮编： 100083
办公地点： 北京科技大学金物楼208
办公电话：
邮　　箱： liujinlong@ustb.edu.cn


【个人简介】 刘金龙，男，1985年10月生，河北张家口人。
2003年9月-2007年7月：哈尔滨工程大学获材料科学与工程专业学士学位；
2007年9月-2009年7月：哈尔滨工业大学获材料学专业硕士学位；
2009年9月-2014年1月：北京科技大学获材料学专业博士学位；
2014年1月- 今：北京科技大学新材料技术研究院，助理研究员；
2017年1月-2018年2月，美国阿贡国家实验室访问。

【研究方向】 碳材料电子器件的研究与应用
单晶金刚石的大尺寸制备和应用
高功率电子器件的热管理
功能薄膜、二维材料及等离子体表面改性
大面积高质量金刚石膜的制备

【科研业绩】 　　发表论文
　　1. Liu Jinlong, Chen Liangxian，Zheng Yuting，et al. Carrier transport characteristics of H-terminated diamond films prepared using molecular hydrogen and atomic hydrogen，International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials，2017,24(7): 850-856.
　　2.Liu Jinlong , Chen Liangxian, Wei Junjun, et al. Surface carbonization of GaN and the related structure evolution during the annealing process, Chinese Physics Letters,2017, 35(1):010101.
　　3.刘金龙，林亮珍，胡锦凤，等。等微波法制备纳米碳点反应机制与发光机理。物理化学学报，2017,34(1): 92-98.
　　4.Liu Jinlong, Tian Hanmei，Chen Liangxian，et al. Direct growth of nano-diamond film on GaN with a thin Si buffer layer. New Carbon Materials, 2016, 31(5): 1-7.
　　5.刘金龙，李成明，陈良贤，等。氢终结金刚石表面 P 型导电沟道稳定性研究。材料热处理学报，2016, (07):156-161.
　　6.刘金龙，刘盛，郭建超，等。氢终止金刚石表面的形成机制。物理化学学报,2015,31(9),1741-1746.
　　7.田寒梅，刘金龙*，等。微波等离子体下 GaN 的分解与纳米金刚石膜的沉积。人工晶体学报, 2015,44(1): 7-12.
　　8.Chengming Li，Jinlong Liu*，et al. An amazing semiconductor choice for high-frequency FET: H-terminated polycrystalline diamond film prepared by DC arc jet CVD, Phys.Status. Solidi C, 2014, 11(11-12): 1692-1696.
　　9. J.L. Liu, C.M. Li, J.C. Guo, R.H. Zhu, L.X. Chen, J.J. Wei, L.F. Hei, J.J. Wang, Z.H. Feng, H. Guo, F.X. Lv. Effect of atomic hydrogen bombardment on the surface conductivity of polycrystalline diamond films. Applied Surface Science, 2013, 287: 304-310.
　　10. J.L. Liu, C.M. Li, R.H. Zhu, J.C. Guo, L.X. Chen, J.J. Wei, L.F. Hei, J.J. Wang, Z.H. Feng, H. Guo, F.X. Lv. RF characteristic of MESFET on H-terminated DC arc jet CVD diamond film. Applied Surface Science, 2013, 284: 798-803.
　　11. J.L. Liu, C.M. Li, L.X. Chen, J.J. Wei, L.F. Hei, J.J. Wang, Z.H. Feng,,H. Guo, F.X. Lv. Nucleation and growth surface conductivity of H-terminated diamond films prepared by DC arc jet CVD. Diamond and Related Materials, 2013, 32: 48-53.
　　12. S. Liu, J.L. Liu, C.M. Li, J.C. Guo, L.X. Chen, J.J. Wei, L.F. Hei, F.X. Lu. The mechanical enhancement of vapor deposited diamond film by plasma low pressure/ high-temperature treatment. Carbon, 2013, 65: 365-370. 13. J.L. Liu, C.M. Li, R.H. Zhu, L.X. Chen, J.J. Wang, Z.H. Feng. Ohmic contact properties of p-type surface conductive layer on H-terminated diamond films prepared by DC arc jet CVD. International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials, 2013, 20(8): 802-807.
　　14. 刘金龙，李成明，陈良贤，黑立富，吕反修. 高频大功率金刚石薄膜场效应管的研究进展. 无机材料学报，2010，25(9):897-905.
　　15. J.L. Liu, C.M. Li, L.X. Chen, Y.Y. Zhang, L.F. Hei and F.X. Lv. Preparation and characterization of diamond-TiC-Ti-Ag/Cu gradient metallization system. Materials Science Forum, 2011, 687: 722-728. 16. C.M. Li, R.H. Zhu, J.L. Liu, L.X. Chen, J.C. Guo, C.Y. Hua, L.F. Hei, J.J. Wei, J.J. Wang, Z.H. Feng, H. Guo, F.X. Lu. Effect of arc characteristics on the properties of large size diamond wafers prepared by DC arc plasma jet CVD. Diamond and Related Materials, 2013, 39: 47-52.
　　17. L.X. Chen, C.M. Li, W.L. Yin, J.L. Liu, L.F. Hei, F.X. Lv. Effect of deposition temperature and quality of free-standing diamond substrates on the properties of RF sputtering ZnO films. Diamond and Related Materials, 2011, 20: 527–531.
　　18. C.M. Li, L.X. Chen, L.M. Wang, J.L. Liu, L.F. Hei, F.X. Lv. The properties of free-standing diamond films after plasma high temperature treatment of the rapid heating. Diamond & Related Materials, 2011, 20: 492–495. 19. Z.H. Feng, J.J. Wang, Z.Z. He, S.B. Dun, C. Yu, J.L. Liu, P.W. Zhang, H. Guo, C.M. Li, S.J. Cai. Polycrystalline diamond MESFETs by Au-mask technology for RF applications SCIENCE CHINA Technology Sciences, 2013, 56(4): 957-962.
　　0. 黑立富, 刘杰, 刘金龙, 李成明, 宋建华, 吕反修. 预处理对超纳米金刚石薄膜表面质量的影响. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 302-305.
　　21. 赵晓静, 李成明, 陈良贤, 刘金龙, 冯寅楠, 黑立富, 吕反修. ZnS衬底表面制备HfO2增透保护膜的性能. 材料热处理学报, 2012, 33(10): 130-134.
　　22. 张营营, 李成明, 陈良贤, 刘金龙, 黑立富, 吕反修. 金刚石自支撑膜衬底制备AlN薄膜的性能. 材料热处理学报, 2011, 32(8): 1-5.
　　参编专著
　　《金刚石膜制备与应用》 科学出版社（978-7-03-041822-7） 2014.08
　　申请专利
　　1. 刘金龙，李成明，陈良贤，化称意，郭建超，闫雄伯，黑立富，魏俊俊。一种金刚石膜表面选区扩散形成 P-N 结的制备方法。专利号：5.8.
　　2. 刘金龙，李成明，陈良贤，郭建超，闫雄伯，魏俊俊，黑立富。一种 GaN/金刚石膜复合片的制备方法。专利号：9.2
　　3. 刘金龙，李成明，苗建印，李振宇，魏俊俊，陈良贤，黑立富，张建军，闫雄伯。一种超高定向导热碳基复合材料的制备方法。专利号：6.7
　　4. 刘金龙，李成明，林亮珍，郑宇亭，赵云，闫雄伯，陈良贤，魏俊俊，黑立富，张建军。基于低成本单晶金刚石制备高性能金刚石半导体的方法。申请号：1.7
　　5. 刘金龙，李成明，张营营，陈良贤, 黑立富，吕反修. 一种高导热集成电路用金刚石基片的制备方法. 2010. ZL 7.6