姓  名： 张静言
所在系所： 材物系
职  务： 干部
职  称： 讲师
通信地址： 北京市海淀区学院路30号北京科技大学材料学院
邮  编： 100083
办公地点： 化生楼615
电  话：
邮  箱： jyzhang@ustb.edu.cn
传  真：
研究领域
教育背景
主讲课程
主要论文著作
主要科研项目
获得荣誉及社会兼职
新型纳米磁性薄膜与自旋电子学材料、物理及器件

2008年毕业于中国矿业大学应用物理系
2015年毕业于北京科技大学材料物理与化学系



[1] Tuning giant anomalous Hall resistance ratio in perpendicular Hall balance
J. Y. Zhang, S. G. Wang, E. Amsellem, A. Kohn, and G. H. Yu et al.,
Appl. Phys. Lett. 106 (2015) 152401.
[1] Three dimensional magnetic abacus memory,
S. L. Zhang, J. Y. Zhang (共同第一作者), S. G. Wang, G. H. Yu, T. Hesjedal et al.,
Scientific Reports 4 (2014) 6109.
[2] Effect of interfacial structures on anomalous Hall behavior in perpendicular Co/Pt
multilayers,
J. Y. Zhang, Z. L. Wu, S. G. Wang, G. H. Yu et al.,
Appl. Phys. Lett. 102 (2013) 102404.
[3] Ultrahigh anomalous Hall sensitivity in Co/Pt multilayers by interfacial modification,
J. Y. Zhang, G. Yang, S. G. Wang, G. H. Yu et al.,
Appl. Phys. Express 6 (2013) 103007.
[4] Effect of MgO/Co interface and Co/MgO interface on the spin dependent transport in
perpendicular Co/Pt multilayers,
J. Y. Zhang, G. Yang, S. G. Wang, G. H. Yu et al.,
J. Appl. Phys. 116 (2014) 163905.

基于霍尔天平结构新型多组态存储材料与物理研究，国家自然科学基金青年项目，主持
磁性纳米复合结构中反常霍尔效应的研究，北京科技大学基本科研业务专项，主持
电场调控多组态信息存储材料及器件物理研究，中国博士后科学基金面上项目，主持