姓名：齐俊杰
所在系所：材料物理与化学系
职务：干部
职称：副教授
通信地址：北京科技大学
邮编：100083
办公地点：金物楼312
电话：010-62334725（办公）
传真：010-62391879
邮箱：junjieqi@mater.ustb.edu.cn
主要研究领域
目前主要研究方向为：纳米材料与器件、材料结构表征及性能调控。所在研究组为材料物理与化学系纳米材料与纳米技术梯队，承担和参加研究项目10余项，近年来在国内外学术刊物上发表论文50余篇，其中SCI收录40余篇，发明专利10项，撰写专著2部，获教育部自然科学二等奖1项。近年来承担和参加的主要科研项目1.国家自然科学基金：压电特性ZnO纳米结构生长机理及纳功能器件基础研究。2.国家重点基础研究发展计划“973”项目：准一维半导体纳米材料的结构调控与组装。3.科技部国际科技合作计划项目：半导体压电耦合新型纳米器件。4.国家863计划：功能氧化物纳米材料制备及纳功能器件组装，5.国家自然科学基金国际合作与交流项目（重大）：半导体和压电耦合新型纳米结构与器件。6.国家自然科学基金：一维功能氧化物掺杂纳米材料的制备、结构及性能表征。7.军品配套研制项目1项。
发表论文著作
[1]JunjieQi,YueZhang,YunhuaHuang,QingliangLiao,andJuanLiu,Dopinganddefectsintheformationofsingle-crystalZnOnanodisks，Appl.Phys.Lett.,2006,89,252115[2]YaYang,JunjieQi,YueZhang,QingliangLiao,LidanTang,ZiQin.ControllableFabricationandElectromechanicalCharacterizationofSingleCrystallineSb-dopedZnONanobelts.Appl.Phys.Lett.,92(2008)183117[3]JunjieQi,YueZhang,DefectsinZnONanodiscs,TheThirdChina-JapanJointSeminaronAtomicLevelCharacterization(China-JapanSALC2006),2006.3.6-12[4]ZhanqiangDeng,JunjieQi,YueZhang,QingliangLiaoandYunhuaHuang,GrowthmechanismandopticalpropertiesofZnSnanotetrapods,Nanotechnology,18(2007)475603[5]YaYang,JunjieQi,QingliangLiao,HuifengLi,YueZhang,LidanTang,YishuWang,High-performancePiezoelectricGateDiodeofaSinglePolar-surfaceDominatedZnONanobelt,Nanotechnology,2009,20:125201[6]YaYang,JunjieQi,YueZhang,QingliangLiao,LidanTang,ZiQin.SynthesisandCharacterizationofSb-dopedZnONanobeltswithSingle-SideZigzagBoundaries,J.PhysicalChemistryC,2008,112:17916-17919[7]YaYang,JunjieQi,QingliangLiao,YueZhang,XiaoqingYan,YunhuaHuang,LidanTang.Fabrication,structuralcharacterization,andphotoluminescenceofGa-dopedZnOnanobelts.Appl.Phys.A,2009,94(4):799-803
获得主要荣誉
1.2006年教育部高等学校科学技术奖（自然科学奖）二等奖，：功能纳米材料及其相关基础理论研究。
