近日,清华大学深圳国际研究生院李佳课题组及合作者深入研究了MnBi2Te4制备的相变过程和相应的能带演化过程。首先,课题组成员选取MnTe/Bi2Te3和MnBi2Te4单层作为相变模型来研究其Mn-Bi交换的过程,并发现MnBi和BiMn反位缺陷是相变过程中的主要缺陷(如图1),与实验观察的结果一致。
课题组成员还发现,空位缺陷(如MnTe/Bi2Te3中Bi空位和MnBi2Te4中Mn空位)能够显著降低相变过程中的动力学势垒。但是随着相变的进行,Mn-Bi交换的动力学势垒逐渐升高,且热力学释放的能量逐渐降低。当大部分Mn-Bi完成交换后,也即MnBi2Te4中存在稀浓度的MnBi和BiMn反位缺陷时,简单的退火并不能克服过高动力学势垒,使得最终退火所得的MnBi2Te4中出现大量难以消除的Mn-Bi混合反位缺陷(如图2)。过度的提高退火温度来克服动力学势垒并不能进一步提升MnBi2Te4样品质量。
最后,课题组成员发现MnBi2Te4单层中狄拉克点相关能带的带隙会随着结构中MnBi和BiMn反位缺陷浓度的上升而减小,也即过高的MnBi和BiMn反位缺陷浓度会造成MnBi2Te4单层带隙的消失(如图3)。以上研究成果揭示了MnBi2Te4中MnBi和BiMn反位缺陷的形成和消失的机理,以及其在MnBi2Te4能带调控中扮演的角色,为实验中小带隙表面态的表征提供新的见解。
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图1.由MnTe/Bi2Te3单层到MnBi2Te4单层相变示意图和材料中本征点缺陷
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图2.由MnTe/Bi2Te3单层到MnBi2Te4单层相变的热力学和动力学过程
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图3.由MnTe/Bi2Te3单层到MnBi2Te4单层相变的能带演化过程
相关研究成果以“MnBi2Te4中不可消除的Mn-Bi混合反位缺陷”(Irremovable Mn-Bi Site Mixing in MnBi2Te4)为题发表在《纳米快报》(Nano Letters)上。
论文的第一作者为清华大学深圳国际研究生院2018级博士生吴曦,通讯作者为清华大学深圳国际研究生院李佳副教授。论文共同作者还包括北京航空航天大学汤沛哲教授、清华大学深圳国际研究生院康飞宇教授和清华大学物理系段文晖教授。该研究得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、广东省“珠江人才计划”本土创新科研团队和深圳市基础研究等项目的资助。
论文链接:
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c00956
供稿:深圳国际研究生院
题图设计:李柳依
编辑:李华山
审核:郭玲
2023年06月13日 13:48:29