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章晓中1982年1月在复旦大学物理专业（77级）获学士学位，1984年10月在上海交大固体物理专业获硕士学位。1985－1989年获国家公费奖学金在牛津大学材料系攻读博士学位，1989年获牛津大学博士学位。1989-1992年在英国皇家研究院任博士后研究员，1992-1999年在新加坡国立大学物理系做教师，历任研究员、讲师、高级讲师。1999年8月回国后被聘为清华大学材料系（现材料学院）的教授、博导，1999-2006年担任清华大学电子显微镜实验室主任，清华大学材料院中心实验室副主任，2004-2017年担任全国纳米技术标准化技术委员会副主任委员。目前是清华大学材料学院长聘教授（二级教授），担任先进材料教育部重点实验室副主任、全国纳米技术标准化技术委员会委员、全国微束分析标准化技术委员会顾问、全国新材料发展研究会常务理事。目前的研究领域为：自旋电子学材料与器件、类脑计算材料与器件、材料的电子显微学及计算材料学。回国后作为项目负责人申请到国家级科研项目10项（包括973项目1项，重大科学研究计划1项，自然科学基金重点项目1项，自然科学基金联合基金重点项目1项，自然科学基金面上项目6项），已经在Nature等SCI收录杂志上发表论文190多篇，获得中国和美国发明专利23项, 他的硅基磁电阻工作(Nature 2011)入选2011年度“中国科学十大进展”和2011年度“中国高等学校十大科技进展”。



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教育背景



工作履历



学术兼职



研究领域



研究概况



奖励与荣誉



学术成果


复旦大学物理系物理专业77级, 理学学士(1982)
上海交通大学物理系固体物理专业，理学硕士(1984)
牛津大学材料系读博(国家公费奖学金) ，博士（1989）



1989－1992，英国皇家研究院（The Royal Institution of Great Britain），博士后研究员
1992－1999，新加坡国立大学物理系教师，历任研究员、讲师、高级讲师
1999－清华大学材料系/学院，教授（1999－），博士生导师（2000－）
2015- 清华大学类脑计算研究中心， 教授
2016- 北京市未来芯片技术高精尖创新中心， 教授



先进材料教育部重点实验室副主任
清华大学材料科学与工程系教学指导委员会委员



自旋电子学材料与器件、类脑计算材料与器件、碳材料、材料的电子显微学、计算材料科学



目前主要在自旋电子学材料与器件、类脑计算材料与器件、磁性半导体等领域进行工作。



1985年, 国家公费留学奖学金
2001年，清华大学“学术新人奖”
2003年, 中国分析测试学会一等奖
2004年，获清华大学“良师益友”称号
2007年, 国家精品课程《电子显微分析》
2008年 清华大学教学成果一等奖
2011年12月，硅基磁电阻研究成果入选2011年度“中国高等学校十大科技进展”
2012年1月，硅基磁电阻研究成果入选2011年度“中国科学十大进展”
2016年 “中国移动杯“暨第十届北京发明创新大赛金奖



近期代表性论文：
1)ZC Luo, HG Piao, Andrew V. Brooks, XF Wang, JJ Chen, CY Xiong, FH Yang, XR Wang, XG Zhang, XZ Zhang, Large magnetoresistance in silicon at room temperature induced by onsite Coulomb interaction, Adv. Elec. Mater. , Doi: 10.1002/aelm.
2)Zhaochu Luo, Ziyao Lu, Chengyue Xiong, Tao Zhu, Wei Wu, Qiang Zhang, Huaqiang Wu, Xixiang Zhang, Xiaozhong Zhang，Reconfigurable magnetic logic combined with non-volatile memory writing，Adv. Mater. 29, ** (2017).
3)R. Rajan, ZC Luo, ZY Lu，AS Saleemi, CY Xiong, XZ Zhang, Diode and inhomogeneity assisted extremely large magnetoresistance in silicon, Appl. Phys. Lett., 111(4), 042406 (2017)
4)ZC Luo, CY Xiong, X Zhang, ZG Guo, JW Cai, XZ Zhang， Extremely large magnetoresistance at low magnetic field by coupling nonlinear transport effect and anomalous Hall effect， Adv. Mater. 28, 2760–2764 (2016).
5)J. Chen, H-g Piao, Z Luo, X. Zhang et al. Enhanced linear magnetoresistance of germanium at room temperature due to surface imperfection," Appl. Phys. Lett.106 , 173503 （2015）.
6)Ning Jiang,; Woodley, M. Scott, C. Richard , Catlow, X. Zhang, Applying a new interatomic potential for the modelling of hexagonal and orthorhombic YMnO3, J. Mater. Chem.C 3, 4787-4793 (2015).
7) Zhaochu Luo，Xiaozhong Zhang, et al., Silicon-Based Current-Controlled Reconfigurable Magnetoresistance Logic Combined with Non-Volatile Memory，Adv. Funct. Mater. 25, 158-166 (2015).
8) Zhaochu, Luo and Xiaozhong Zhang, Resistance transition assisted geometry enhanced magnetoresistance in semiconductors, J. Appl. Phys. 117, 17A302 (2015);
9) An Bao , Hong-Shuai Tao, Hai-Di Liu, XiaoZhong Zhang & Wu-Ming Liu, Quantum magnetic phase transition in square-octagon lattice, Scientific Reports, 4 6918 (2014)
10) Chen J, Zhang X, et al., Enhanced low field magnetoresistance in germanium and silicon-diode combined device at room temperature. Appl. Phys. Lett. 105, 193508 (2014).
11)Jimin Wang, Xiaozhong Zhang, et al., Magnetic field controllable nonvolatile resistive switching effect in silicon device, Appl. Phys. Lett. 104, 243511. ( 2014)
12) Rizwan Ur Rehman, Xiaozhong Zhang, ChengyueXiong, Yi Yu, Semiconducting amorphous carbon thin films for transparent conducting electrodes, Carbon 76 (2014) 64-70.
13)Y. Yu, X. Zhang, Y. G. Zhao, N. Jiang, R. Yu, J. W. Wang, C. Fan, X. F. Sun, J. Zhu. Atomic-scale study of topological vortex-like domain pattern in multiferroic hexagonal manganites. Appl. Phys. Lett. 103, 032901 (2013).
14)Jimin Wang, Xiaozhong Zhang, Caihua Wan, Johan Vanacken,Victor V. Moshchalkov，Magnetotransport properties of undoped amorphous carbonFilms， Carbon， 59 (2013) 278-282
15)C. H. Wan , X. Z. Zhang, X. L. Gao, J. M. Wang & X. Y. Tan, Geometrical enhancement of low-field magnetoresistance in silicon, Nature 477, 304-307 (2011).
16) L H Wu, X Zhang, J Vanacken, N Schildermans, C H Wan, and V VMoshchalkov, Room-temperature Non-saturating Magnetoresistance of Intrinsic Bulk Silicon in High Pulsed Magnetic Fields, Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 112113.
17)Chengguo Zhang, X. Zhang, Yonghao Sun, et al., Atomistic simulation of Y-site substitution in multiferroic h-YMnO3, Phys. Rev. B 83（2011）054104.
18) XiliGao, Xiaozhong Zhang, Caihua Wan, Xin Zhang, Lihua Wu, and Xinyu Tan, Abnormal humindity-dependent electrical properties of amorphous carbon/silicon, Appl. Phys. Lett. 97（2010）212101.
19)Su Li and Xiaozhong Zhang, Sb2O3-induced tapered ZnO nanowire arrays: the kinetics of radial growth and morphology control, J. Phys. Chem. C, 114 (2010) 10379–10385.
20) Caihua Wan, Xiaozhong Zhang，Xin Zhang, XiliGao and Xinyu Tan, Photoconductivity of iron doped amorphous carbon films on n-type silicon substrates, Appl. Phys. Lett. 95 (2009). 022105
21) Xin Zhang, Xiaozhong Zhang, Caihua Wan and LihuaWu , A bias voltage dependent positive magnetoresistance in Cox–C1-x /Si heterostructure, Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 022503.
22) F.L Tang and X. Zhang, Hole distribution and local structure in La2 - xSrxCuO4, Appl. Phys. Lett. 90, (2007) 142501.
23) X. Zhang, W.G. Yang, L. N. Zhang, J. J. Qi and J. Yuan , Correlation of Bonding of Grain Boundary and Fracture Mode with Local Electronic Structure in Steels by Electron Energy Loss Spectroscopy, Appl. Phys. Lett.90 (2007) 171905.
24) F.L. Tang and X. Zhang, Atomic distribution and local structure in charge-ordered La1/3Ca2/3MnO3, Phys. Rev. B 73 (2006) 144401
25) Lisheng Wang, X. Zhang, Songqing Zhao, Junjie Qi, Guoyuan Zhou , Y. L. Zhou, Synthesis of well aligned ZnO nanowires using simple PVD approach on c-axis oriented ZnO thin films without catalysts, Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 024108.
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28) Jun Liu, X. Zhang, Y.Han. F.S. Xiao, Direct observation of nanorange ordered microporosity within mesoporous molecular sieves, Chem Mater. 14 (2002) 2536-2540.
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