偏振光探测是探测领域中一个重要的分支，利用探测器偏振敏感特性可以有 效分辨探测目标与背景。然而许多材料缺乏固有的偏振吸收特性，因此开发高 性能偏振光电探测器仍然面临巨大的挑战。
常熟工业学院电子与信息工程学院刘玉申等人制备了基于 ReSe2/WSe2 范德瓦尔斯垂直异质结结构的光电二极管，在室温工作条件下，在 520 nm 实现了~0.28 AW-1 的响应率和~1.1×1012 Jones 的探测率。另外，通过利用局域光电流（SPCM）的方法验证了器件的偏振光响应与入射光偏振角度密切相关。这项工作为开发基于二维材料的高性能偏振探测器提供了一种新的思路，为光电探测器在气象探测及光学成像等方面提供了巨大应用前景。
图. ReSe2/WSe2器件的极化特性。（a）520 nm不同偏振方向下器件的SPCM图像（用橙色箭头标记）。（b）相应的光电流随偏振角的变化。
Van der Waals heterojunction ReSe2/WSe2 polarization-resolved photodetector
Xiaoyu Tian, Yushen Liu
J. Semicond. 2021, 42(3): 032001
doi: 10.1088/1674-4926/42/3/032001
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