阻变存储器（RRAM）又称为忆阻器，其具有非常简单的两端器件结构，几乎满足了易失性存储器、非易失性存储器和神经形态特征的所有基本要求。目前正对一系列材料（如生物材料、钙钛矿、二维材料、过渡金属氧化物）的存储和神经形态行为进行研究。
在本综述中，韩国汉阳大学材料科学与工程系Changhwan Choi教授等人通过简要地解释基于这些材料的RRAM器件相对应的开关机制来讨论其所表现出的不同的电学行为。然后，本文讨论了使用忆阻器的新兴存储技术及其潜在的神经形态应用，阐明了在器件制造过程中使用不同材料工程技术改善器件的存储和神经形态性能，如ION/IOFF比、耐久性、尖峰时间相关的突触可塑性（STDP）和双脉冲易化（PPF）等。详细分析了在各种开关材料（包括无机金属氧化物，新型有机材料）以及各种器件结构（如单层、多层异质结构器件，交叉阵列）中实现的基本生物突触功能的仿真结果。最后，本文讨论了无机和基于新材料的忆阻器所面临的挑战，并对未来发展进行展望。

Towards engineering in memristors for emerging memory and neuromorphic computing: A review
Andrey S. Sokolov, Haider Abbas, Yawar Abbas, Changhwan Choi
J. Semicond. 2021, 42(1): 013101
doi: 10.1088/1674-4926/42/1/013101
Full Text: http://www.jos.ac.cn/article/doi/10.1088/1674-4926/42/1/013101?pageType=en