马晓宇，男，研究员，博士生导师。
　　现任光电子器件国家工程研究中心主任。1963年出生，1984年和1987年在吉林大学电子工程系获理学学士和理学硕士学位。1987年至今就职于中国科学院半导体研究所，历任助理研究员、副研究员、研究员。
　　取得的主要学术成绩及所获奖励：
　　在III-V族的光电子器件的MOCVD外延生长研究和器件工程化中取得了突出的成绩和贡献，在国内率先研制成功实用化1.3mm半导体量子阱激光器，DVD用650nm半导体激光器。在808nm、941nm、980nm、1450nm等波长大功率半导体激光器（列阵）及其组件方面的研究方面达到了从设计、工艺到检验的全部国产化，具有独立自主的知识产权，发展了一系列自主技术及申请了相关专利。课题组实验室具有大功率半导体激光器（列阵）及其组件的从材料外延生长、工艺加工、封装耦合到特性检验完整的一条生产线，实现了大功率半导体激光器（列阵）及组件的研制生产一体化，所研制的系列产品性能指标属国内领先水平，其中准连续器件将近目前国际产品水平，适应了我国固体激光器对泵浦光源的需求，在嫦娥一号探月工程等国家重点应用工程和项目中获得了广泛应用，具有较高的市场占用率；其研究成果获国家科技进步二等奖、三等奖，中国科学院科技进步一等奖，二等奖等多项奖励。
　　研究领域及方向：
　　大功率半导体激光器（列阵）及其组件、光纤激光器、固体激光器、存储用激光器等。
联系方式：
E-mail：maxy@semi.ac.cn；电话：
　　完成/在研主要项目：
　　1.探月工程项目：“CE-1月球探测器有效载荷激光高度计用激光二极管叠层列阵”2003.12～2005.12
　　2.863重点项目"全固体激光器及其应用技术---5KW全固态激光器的子课题："高功率、高效率、长寿命半导体激光泵浦模块研究"（2006－2009）；
　　3.国家特殊应用项目等多项。
　　代表性论著：
　　1.GuotongDU,XiaoyuMa,ZhengZou,XiaoboZHANG,andDingsanGAO(1989)"Terracedsubstrateinnerstripesemiconductorlasersbyone-stepliquid-phaseepitaxy"J.Appl.Phys.Vol.66,No.5,P.2225-2227,1September
　　2.PENGHuaide,MAXiaoyu,MAChaohua,ZHANGShenglian,WANGXiaojieandPANGGuisheng(1992)"1.3mmand1.5mmInGaAsP/InPp-typeInPsubstrateburiedcrescent(PBC)laserdiodeswithlowthresholdcurrentandhighefficiency"InternationalJ.ofOptoelectronics,Vol.7,No.1,P.79-84
　　3.马骁宇，王树堂，熊飞克，郭良，王仲明，曾靖，王丽明，陈良惠（1996）"低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用"半导体学报第17卷第5期第398页（1996）
　　4.MAXiaoyu,WANGShutang,XIONGFeike,GUOLiang,WANGZhongming,ZENGJing,WANGLiming,CHENLianghui(1996)"InGaAsP/InPstained-layersquantummaterialsandtheirapplicationsbyLP-MOCVD"PanTaoTiHsuehPao/ChineseJournalofSemiconductorsv17n5May1996p398InChinese
　　5.MAXiaoyu,WANGShutang,XIONGFeike,GUOLiang,WANGZhongming,WANGLiming,ZHANGXiaoyan,SUNGuoxi,XIACaihong,ZHUTian,YANGYali,ZHANGHongqin,HEGuangping,YAOShuqin,BIKekui,CHENLianghui（1996）"High-performance1.3-and1.55-mmInGaAP/InPstrained-layerquantumwelllasersgrownbyLP-MOCVD(InvitedPaper)"PROCEEDINGSSPIEIntegratedOptoelectronicsVol.2891,p.2891-34,1996,Beijing
　　6.Ma,Xiaoyu;Cao,Qing;Wang,Shutang;Guo,Liang;Wang,Liming;Yang,Yali;Zhang,Hongqin;Zhang,Xiaoyan;Chen,Lianghui（1998）Studyofsinglemode650nmAlGaInPquantumwelllaserdiodesforDVD(InvitedPaper)ProceedingsofSPIE-TheInternationalSocietyforOpticalEngineeringv3547Sep98Sponsoredby:SPIESPIEp-786X
　　7.Yang,G.W.;Hwu,R.Jennifer;Xu,Z.T.;Ma,X.Y.（1999）High-performance980-nmquantum-welllasersusingahybridmaterialsystemofanAl-freeInGaAs-InGaAsPactiveregionandAlGaAscladdinglayersgrownbymetal-organicchemicalvapordepositionIEEEJournalofQuantumElectronics**IEEEp1-9197
　　8.Fang,Gaozhan;Xiao,Jianwei;Ma,Xiaoyu;Feng,Xiaoming;Wang,Xiaowei;Liu,Yuanyuan;Liu,Bin;Tan,Manqing;Lan,Yongsheng（2002）Highpower808nmAlGaAs/GaAsquantumwelllaserdiodeswithbroadwaveguideChineseJournalofSemiconductorsv23n8August2002SciencePressp-4177
　　9.Wang,Xiaowei;Xiao,Jianwei;Ma,Xiaoyu;Wang,Zhongming;Fang,Gaozhan（2002）FiberopticcouplingofCWlinearlaserdiodearrayChineseJournalofLasersB(EnglishEdition)v11n3June2002SciencePressp-2822
　　10.Wei,Xin;Ma,Xiaoyu;Wang,Guohong;Zhang,Guangze;Zhu,Xiaopeng;Chen,Lianghui（2002）MetalorganicchemicalvapordepositionofGaNAsalloyusingdimethylhydrazineasnitrogenprecursorPanTaoTiHsuehPao/ChineseJournalofSemiconductorsv23n6June2002SciencePressp-4177
　　11.Wei,X.;Wang,G.H.;Zhang,G.Z.;Zhu,X.P.;Ma,X.Y.;Chen,L.H.（2002）MetalorganicchemicalvapordepositionofGaNAsalloysusingdifferentGaprecursorsJournalofCrystalGrowthv236n4March2002ElsevierScienceB.V.p-0248
　　12.马骁宇等，大功率半导体激光器的发展与应用，化学工业出版社《中国材料工程大典》第12卷第11篇。
　　13．AdvancesinHighPowerSemiconductorDiodeLasers(Invitedpaper),SPIEPhotonicsAsia2007(SPIE-6824-1)2007.11,Beijing,China