半导体所半导体材料科学重点实验室马文全研究员小组通过与美国俄克拉荷马大学杨瑞青教授课题组合作,采用杨瑞青教授设计的结构,利用分子束外延生长技术,解决了锑化物材料生长窗口窄、多层结构的应变和界面控制等难题,成功研制出锑化物带间级联激光器。器件从78 K到169 K实现连续激射,脉冲激射最高温度达到249 K;78 K温度下,对应的激射波长为4.27微米,阈值电流密度小于70 A/cm2;169 K温度下,对应的激射波长为4.63微米,阈值电流密度约为306 A/cm2。图1为激光器材料的X射线双晶衍射谱,图2为激光器在78 K温度下的激射光谱。相信通过努力性能将会有更多突破。

图1. 锑化物带间级联激光器的XRD谱

图2. 锑化物带间级联激光器的激射谱