邱晨光 职称：研究员
研究所：物理电子学研究所
研究领域：碳基电子学；拟态神经电子器件与系统集成；陡峭亚阈值摆幅超低功耗器件
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电子邮件：chenguangqiu@pku.edu.cn
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教育背景
2011年于西安电子科技大学取得微电子专业学士学位，2016年于北京大学取得物理电子学专业博士学位，2016-2019年在北京大学电子学系从事博士后研究，并入选“博雅博士后”， 2019年全职加入北京大学电子学系任研究员



主要研究领域

主要致力于碳基电子学；拟态神经电子器件与系统集成；陡峭亚阈值摆幅超低功耗器件


主要获奖成果
从事纳米电子器件方面的研究近十年，在Science，Nature Electronics, ACS Nano，Nano Letters, IEDM等顶级国际期刊和会议上发表论文，其中第一作者在Science上发表论文两篇，所包括的“5纳米栅长碳纳米管晶体管”的Science论文入选ESI高被引用论文和热点论文，并且该工作入选2017年的中国高校十大科技进展，该论文入选2017年中国前100篇国际上高影响力论文。此外，在2018年的一作Science论文上率先在国际上提出并实现了狄拉克冷源晶体管，使得亚60低功耗器件领域增加了又一新成员。