《集成电路设计基础》复习大纲
重点是CMOS电路结构和设计分析。具体范围如下：
1．模拟集成电路设计、制造过程的基本概念（包括掩膜的技术功能、掩膜在制造过程中的应用、简单版图识别）。（参考书第1、2章）。
2．基本MOS器件的模型及其分析方法（包括MOS管基本模型、直流特性、频率特性）。（参考书第3章）。
3．CMOS基本模拟单元电路分析（参考书第4章）
4．CMOS放大器基本结构和特性参数分析（参考书第5章）。
5. 二级运算放大器分析与设计基础（参考书第6章）
本次考试的基本形式为选择题、简答题、计算题和设计题。本次考试不要求死记公式。
参考书：Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg, CMOS Analog Circuit Design, Second Edition, 电子工业出版社，2007年8月。
2012.09.10
